[發(fā)明專利]半導(dǎo)體設(shè)備

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202111004313.0
• 申請(qǐng)日: 2021-08-30
• 公開（公告）號(hào): CN113718332A
• 公開（公告）日: 2021-11-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 孫中岳
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司
• 主分類號(hào): C30B25/08
• 分類號(hào): C30B25/08;C30B25/14;C30B25/18;C30B25/20;C30B29/06
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;王婷

1.一種半導(dǎo)體設(shè)備，其特征在于，包括工藝腔室和設(shè)置在所述工藝腔室中的反應(yīng)基座，所述反應(yīng)基座具有用于承載晶圓的承載面，所述工藝腔室的側(cè)壁上設(shè)置有進(jìn)氣塊，用于向所述工藝腔室中輸入氣體；所述工藝腔室中還設(shè)置有導(dǎo)流組件，所述導(dǎo)流組件環(huán)繞所述反應(yīng)基座設(shè)置，用于將所述進(jìn)氣塊輸入的氣體導(dǎo)流分配至所述工藝腔室中，所述導(dǎo)流組件的底部具有第一錐形部，所述第一錐形部的外徑由上至下逐漸減小，所述工藝腔室具有與所述第一錐形部配合設(shè)置且內(nèi)徑由上至下逐漸減小的第一錐形定位面，所述第一錐形部對(duì)應(yīng)設(shè)置在所述第一錐形定位面上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體設(shè)備，其特征在于，所述進(jìn)氣塊中形成有第一進(jìn)氣通道和第二進(jìn)氣通道，所述導(dǎo)流組件具有第一導(dǎo)氣通道和第二導(dǎo)氣通道，所述第一進(jìn)氣通道與所述第一導(dǎo)氣通道對(duì)應(yīng)連通，所述第二進(jìn)氣通道與所述第二導(dǎo)氣通道對(duì)應(yīng)連通，其中，所述第一導(dǎo)氣通道的出氣口不低于所述反應(yīng)基座，所述第二導(dǎo)氣通道的出氣口低于所述反應(yīng)基座。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體設(shè)備，其特征在于，所述導(dǎo)流組件包括同軸的上導(dǎo)流環(huán)和下導(dǎo)流環(huán)，所述上導(dǎo)流環(huán)層疊設(shè)置于所述下導(dǎo)流環(huán)上方，其中，所述第二導(dǎo)氣通道形成在所述下導(dǎo)流環(huán)中且沿厚度方向貫穿所述下導(dǎo)流環(huán)的側(cè)壁，所述下導(dǎo)流環(huán)的頂面不低于所述承載面，且所述下導(dǎo)流環(huán)的側(cè)面形成有多個(gè)延伸至所述下導(dǎo)流環(huán)的頂面的第一導(dǎo)流槽，所述上導(dǎo)流環(huán)的底面上形成有多個(gè)沿所述上導(dǎo)流環(huán)的徑向延伸的第二導(dǎo)流槽，多個(gè)所述第一導(dǎo)流槽的底端形成為多個(gè)所述第一進(jìn)氣通道的進(jìn)氣口，多個(gè)所述第一導(dǎo)流槽的頂端一一對(duì)應(yīng)地與多個(gè)所述第二導(dǎo)流槽連通，多個(gè)所述第二導(dǎo)流槽在所述上導(dǎo)流環(huán)內(nèi)壁上的開口形成為多個(gè)所述第一進(jìn)氣通道的出氣口。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體設(shè)備，其特征在于，所述上導(dǎo)流環(huán)的頂部具有第二錐形部，所述第二錐形部的外徑由上至下逐漸增大，所述工藝腔室的頂部具有內(nèi)徑由上至下逐漸增大的第二錐形定位面，所述上導(dǎo)流環(huán)的第二錐形部與所述第二錐形定位面貼合。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體設(shè)備，其特征在于，所述工藝腔室包括支撐環(huán)、上外壁和下外壁，所述上外壁密封所述支撐環(huán)的頂端，所述下外壁密封所述支撐環(huán)的底端，所述進(jìn)氣塊設(shè)置在所述支撐環(huán)上，所述第一錐形定位面形成在所述下外壁上。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體設(shè)備，其特征在于，所述上外壁的頂部形成為曲面，且所述上外壁的頂部由中央?yún)^(qū)域至邊緣區(qū)域高度逐漸降低。

7.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的半導(dǎo)體設(shè)備，其特征在于，所述半導(dǎo)體設(shè)備還包括多個(gè)引流環(huán)，多個(gè)所述引流環(huán)的一端一一對(duì)應(yīng)地設(shè)置在多個(gè)所述第二導(dǎo)氣通道中，多個(gè)所述引流環(huán)的另一端分別設(shè)置在對(duì)應(yīng)的第二進(jìn)氣通道中，且所述引流環(huán)的橫截面外輪廓均與對(duì)應(yīng)的所述第二導(dǎo)氣通道以及所述第二進(jìn)氣通道的橫截面形狀對(duì)應(yīng)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體設(shè)備，其特征在于，所述第二進(jìn)氣通道包括導(dǎo)流段和配合段，所述配合段位于朝向所述第二導(dǎo)氣通道的一側(cè)，且所述配合段橫截面的形狀及尺寸均與所述引流環(huán)的外壁對(duì)應(yīng)，所述導(dǎo)流段的橫截面面積小于所述配合段的橫截面面積。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體設(shè)備，其特征在于，所述引流環(huán)的橫截面外輪廓為矩形，所述引流環(huán)在水平面上的投影形狀為平行四邊形，且所述平行四邊形對(duì)應(yīng)于所述引流環(huán)兩端的邊具有與所述下導(dǎo)流環(huán)對(duì)應(yīng)于所述引流環(huán)位置的側(cè)壁相切的平行線。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體設(shè)備，其特征在于，所述第一進(jìn)氣通道和所述第二進(jìn)氣通道的高度相同，所述工藝腔室的側(cè)壁上設(shè)置有兩個(gè)所述進(jìn)氣塊，每個(gè)所述進(jìn)氣塊中形成有兩個(gè)所述第一進(jìn)氣通道和位于兩個(gè)所述第一進(jìn)氣通道之間的第二進(jìn)氣通道，兩個(gè)所述進(jìn)氣塊并排設(shè)置且相鄰的兩個(gè)所述第一進(jìn)氣通道與同一第一導(dǎo)氣通道連通。