[發明專利]基于磁流體的空芯微結構光纖環圈繞制應力釋放方法

有效

• 申請號: 202111001550.1
• 申請日: 2021-08-30
• 公開（公告）號: CN113884083B
• 公開（公告）日: 2023-04-28
• 發明（設計）人: 李茂春;趙小明;羅巍;田超;顏苗;馬林;梁鵠;馬駿;李凡
• 申請（專利權）人: 中國船舶重工集團公司第七0七研究所
• 主分類號: G01C19/72
• 分類號: G01C19/72
• 代理公司: 天津盛理知識產權代理有限公司 12209
• 代理人: 劉英梅

1.一種基于磁流體的空芯微結構光纖環圈繞制應力釋放方法，其特征在于：包括如下步驟：

步驟1、在繞制光纖前或光纖環圈繞制后，將磁流體注入空芯微結構光纖內部填充空氣所占區域；

步驟2、將繞制后的光纖環圈置入三維交變磁場中，受磁場交變作用使空芯微結構光纖內部磁流體產生交變磁力，該交變磁力均勻作用于空芯微結構光纖產生微小幅度的伸縮微振動，伸縮微振動起到消除空芯微結構光纖環圈繞制應力的作用。

2.根據權利要求1所述的基于磁流體的空芯微結構光纖環圈繞制應力釋放方法，其特征在于：步驟1中，光纖采用帶膠繞制工藝情況下，在環圈繞制前對待繞空芯微結構光纖進行磁流體注入。

3.根據權利要求1所述的基于磁流體的空芯微結構光纖環圈繞制應力釋放方法，其特征在于：步驟1中，光纖采用灌膠工藝情況下，在空芯微結構光纖環圈繞制完成后再進行磁流體注入。

4.根據權利要求1所述的基于磁流體的空芯微結構光纖環圈繞制應力釋放方法，其特征在于：步驟1中，光纖內部填充磁流體的工藝步驟為：

步驟1.1、將空芯微結構光纖全部浸入磁流體中，磁流體盛裝在一個具有內部氣壓處理功能的容器中；

步驟1.2、對容器內部進行抽真空處理，將空芯微結構光纖內的空氣抽出；

步驟1.3、對容器內部通入壓力空氣，進行加壓處理，在壓力作用下，使磁流體充分進入空芯微結構光纖內部，填充空氣所占區域；

步驟1.4、對光纖環圈的兩端進行封堵。

5.根據權利要求1所述的基于磁流體的空芯微結構光纖環圈繞制應力釋放方法，其特征在于：步驟2的具體操作過程為：將空芯微結構光纖環圈放置于三維磁場發生裝置內，首先開啟X方向交變磁場，磁場變化頻率為10Hz，磁場幅值為100Gs，持續時間10min；然后關閉X方向磁場，隨后開啟Y方向交變磁場，磁場變化頻率為10Hz，磁場幅值為100Gs，持續時間10min；然后關閉Y方向磁場，隨后開啟Z方向交變磁場，磁場變化頻率為10Hz，磁場幅值為100Gs，持續時間10min；再然后同時開啟X、Y和Z方向交變磁場，磁場變化頻率為10Hz，磁場幅值為100Gs，持續時間30min；最后關閉三維磁場，空芯微結構光纖環圈應力釋放操作結束。