[發(fā)明專利]一種高可靠性晶圓級封裝的聲表濾波器結(jié)構(gòu)及其制備方法

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• 申請日: 2021-08-27
• 公開（公告）號: CN113691233A
• 公開（公告）日: 2021-11-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金中;彭雄;吳良臣
• 申請（專利權(quán)）人: 中國電子科技集團(tuán)公司第二十六研究所
• 主分類號: H03H9/64
• 分類號: H03H9/64;H03H3/08
• 代理公司: 重慶博凱知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 50212
• 代理人: 李海華

1.一種高可靠性晶圓級封裝的聲表濾波器結(jié)構(gòu)，包括晶圓，在晶圓工作表面粘貼有PI底膜，PI底膜具有的鏤空部位形成腔體和通孔，PI底膜的其余部位構(gòu)成墻結(jié)構(gòu)；通孔內(nèi)填充有金屬以形成電極通道；電極通道上端形成焊盤并在焊盤處設(shè)置焊球；在腔體開口上粘貼有PI頂膜，PI頂膜周圍搭在墻結(jié)構(gòu)上，PI頂膜將腔體開口完全封閉；其特征在于：在PI底膜與晶圓外周的結(jié)合界面處以及PI底膜和PI頂膜外周的結(jié)合界面處均設(shè)有保護(hù)層，該保護(hù)層將對應(yīng)位置的結(jié)合界面包覆以與外界隔離。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高可靠性晶圓級封裝的聲表濾波器結(jié)構(gòu)，其特征在于：PI底膜與晶圓外周的結(jié)合界面處的保護(hù)層以及PI底膜和PI頂膜外周的結(jié)合界面處的保護(hù)層連為一體以形成具有一定高度的圍擋。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種高可靠性晶圓級封裝的聲表濾波器結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述圍擋為通過電鍍形成的電鍍圍擋，電鍍圍擋與頂模上的圖形層和焊球絕緣。

4.一種高可靠性晶圓級封裝的聲表濾波器制備方法，其特征在于：步驟如下：

1）在晶圓工作表面粘貼一層底膜；

2）通過光刻工藝去掉不需要的膜層，光刻部位形成通孔和腔體，光刻后留下的底膜構(gòu)成墻結(jié)構(gòu)；

3）在墻結(jié)構(gòu)上再粘貼一層頂膜，頂模將上一步光刻形成的通孔和腔體封閉；

4）通過光刻工藝將與通孔對應(yīng)的頂模去除，留下腔體上方的頂模；

5）在第4）步得到的產(chǎn)品表面通過磁控濺射形成種子層；

6）將不需要電鍍部位的種子層通過光刻膠進(jìn)行保護(hù)，只露出需要電鍍部位的種子層；需要電鍍的部位包括底膜與晶圓外周的結(jié)合界面以及底膜和頂膜外周的結(jié)合界面；

7）通過電鍍在通孔內(nèi)形成導(dǎo)通結(jié)構(gòu)并在其它電鍍區(qū)域形成需要的鍍層結(jié)構(gòu)；

8）去掉第6）步的光刻膠；

9）通過腐蝕，將第6）步光刻膠保護(hù)的種子層去掉；腐蝕時(shí)，將第7）步得到的電鍍部位通過光刻膠保護(hù)，只露出需要腐蝕的區(qū)域；其中光刻膠保護(hù)的電鍍部位包括底膜與晶圓外周的結(jié)合界面處的電鍍部位以及底膜和頂膜外周的結(jié)合界面處的電鍍部位；腐蝕完畢，去掉對應(yīng)的光刻膠；

10）在通孔上方刷錫膏形成錫球。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種高可靠性晶圓級封裝的聲表濾波器制備方法，其特征在于：第7）步中，底膜與晶圓外周的結(jié)合界面得到的的鍍層跟底膜和頂膜外周的結(jié)合界面得到的鍍層連為一體以形成具有一定高度的電鍍圍擋。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種高可靠性晶圓級封裝的聲表濾波器制備方法，其特征在于：第6）步光刻膠保護(hù)的種子層部位還包括用于將待形成的電鍍圍擋與待形成的頂模上的圖形層和錫球隔離的隔離區(qū)域的種子層；隔離區(qū)域的種子層在第9）步腐蝕時(shí)腐蝕徹底，從而實(shí)現(xiàn)電鍍圍擋與頂模上的圖形層和錫球隔離。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種高可靠性晶圓級封裝的聲表濾波器制備方法，其特征在于：所述底膜和頂模均為PI膜。