[發明專利]一種氮化鎵器件的制備方法

在審

• 申請號: 202110996352.7
• 申請日: 2021-08-27
• 公開（公告）號: CN113936993A
• 公開（公告）日: 2022-01-14
• 發明（設計）人: 汪瓊;黃永;程晨言;陳興;王東;吳勇
• 申請（專利權）人: 西安電子科技大學蕪湖研究院
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;C23C16/52
• 代理公司: 上海駟合知識產權代理有限公司 31405
• 代理人: 于秀

1.一種氮化鎵器件的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

采用化學氣相沉積法在襯底(L1)上生長氮化鋁界面層(L21)；其中，化學氣相沉積反應室中的鋁源和氨氣均為脈沖方式通入，且在每一個通入氨氣的時間段中，鋁源均存在通入和關閉兩種狀態，在每一個關閉氨氣的時間段中，鋁源均處于通入狀態；

在所述氮化鋁界面層(L21)上依次生長高阻層(L3)、溝道層(L4)和勢壘層(L5)；所述高阻層(L3)為氮化鎵層或者鋁鎵氮層。

2.根據權利要求1所述的氮化鎵器件的制備方法，其特征在于，所述化學氣相沉積反應室中的鋁源在通入第一時間段后關閉，氨氣在經過所述第一時間段開啟后，鋁源和氨氣以脈沖方式通入。

3.根據權利要求2所述的氮化鎵器件的制備方法，其特征在于，鋁源對應的一個脈沖內鋁源的通入時間長度是鋁源的關閉時間長度的兩倍。

4.根據權利要求1-3任一項所述的氮化鎵器件的制備方法，其特征在于，鋁源對應的一個脈沖內鋁源通入的時間長度和氨氣對應的一個脈沖內氨氣通入的時間長度相同。

5.根據權利要求4所述的氮化鎵器件的制備方法，其特征在于，鋁源對應的一個脈沖內鋁源關閉的時間長度與所述第一時間段的時間長度相同。

6.根據權利要求1-5任一項所述的氮化鎵器件的制備方法，其特征在于，所述氮化鋁界面層(L21)上還生長有氮化鋁/鋁鎵氮超晶格結構層(L22)。

7.根據權利要求6所述的氮化鎵器件的制備方法，其特征在于，所述氮化鋁/鋁鎵氮超晶格結構層(L22)的生長溫度為1050-1250℃，生長壓力為50-200torr。

8.根據權利要求6或7所述的氮化鎵器件的制備方法，其特征在于，所述襯底(L1)為Si襯底，或者由Si基礎襯底制備成的SiC-on-Si復合襯底，或者由SOI基礎襯底制備成的SiC-on-SOI復合襯底。