[發明專利]量子點、發光元件和包括該發光元件的顯示裝置

在審

• 申請號: 202110995058.4
• 申請日: 2021-08-27
• 公開（公告）號: CN114106812A
• 公開（公告）日: 2022-03-01
• 發明（設計）人: 權善英;裵完基;咸東孝;吳根燦;李赫珍;許盛弼
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司;成均館大學校產學協力團
• 主分類號: C09K11/02
• 分類號: C09K11/02;C09K11/88;H01L27/32;H01L51/50;B82Y20/00;B82Y30/00
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 梁洪源;康泉

1.一種量子點，包括：

第一核層；以及

圍繞所述第一核層的殼層，

其中，所述第一核層與所述殼層之間的晶格常數之差是3％或更小。

2.根據權利要求1所述的量子點，其中，

所述第一核層包括第13族元素和第15族元素，并且

所述殼層包括第12族元素和第16族元素。

3.根據權利要求1所述的量子點，進一步包括：所述第一核層與所述殼層之間的第二核層，所述第二核層圍繞所述第一核層。

4.根據權利要求3所述的量子點，其中，

所述第二核層包括第13族元素和第15族元素，并且

所述第一核層包括所述第二核層中包括的所有元素并且進一步包括至少一種第13族元素。

5.根據權利要求3所述的量子點，其中，所述第一核層的厚度大于所述第二核層的厚度。

6.根據權利要求5所述的量子點，其中，

所述第一核層的厚度是1nm至2nm，并且

所述第二核層的厚度是0nm至1nm。

7.根據權利要求3所述的量子點，其中，所述殼層與所述第二核層之間的晶格常數之差是4％或更大。

8.根據權利要求3所述的量子點，其中，所述殼層的厚度大于所述第二核層的厚度。

9.根據權利要求1所述的量子點，其中，所述殼層的厚度是1nm或更大。

10.根據權利要求1至9中任一項所述的量子點，其中，所述殼層包括由下面的式3表示的化合物：

式3

EF_zF'_1-z

其中，在上面的式3中，

E是第12族元素，

F和F'每個各自是第16族元素，并且

z是0至1的實數。

11.根據權利要求10所述的量子點，其中，所述殼層包括ZnSe_zS_1-z，并且z是0至1的實數。

12.根據權利要求3所述的量子點，其中，所述第二核層包括由下面的式1表示的化合物，并且所述第一核層包括由下面的式2表示的化合物：

式1

AB

式2

A_1-y(A'_xA”_1-x)_yB

并且

其中，在式1和式2中，

A、A'和A”每個各自是第13族元素，

B是第15族元素，并且

x和y每個各自是大于0且小于1的實數。

13.根據權利要求12所述的量子點，其中，

所述第一核層包括In_1-y(Ga_xAl_1-x)_yP，

所述第二核層包括InP，并且

x和y每個各自是大于0且小于1的實數。

14.一種發光元件，包括：

第一電極；

在所述第一電極上的空穴傳輸區；

在所述空穴傳輸區上并且包括多個量子點的發射層；

在所述發射層上的電子傳輸區；以及

在所述電子傳輸區上的第二電極，

其中，所述多個量子點每個包括第一核層、圍繞所述第一核層的第二核層和圍繞所述第二核層的殼層，并且

所述第一核層與所述殼層之間的晶格常數之差是3％或更小。