[發(fā)明專利]適用于液晶聚合物基板的微孔制作方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110993056.1
• 申請(qǐng)日: 2021-08-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113811084A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-12-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王峰;劉喜梅;柴志強(qiáng);潘麗
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 安捷利電子科技（蘇州）有限公司;青島科技大學(xué)
• 主分類號(hào): H05K3/00
• 分類號(hào): H05K3/00
• 代理公司: 蘇州創(chuàng)元專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 32103
• 代理人: 俞春雷

1.一種適用于液晶聚合物基板的微孔制作方法，所述液晶聚合物基板包括液晶聚合物層和銅層，其特征在于，所述微孔制作方法包括如下步驟：

分別制備銅層和液晶聚合物層的電解質(zhì)溶液；制作工作電極；利用所述工作電極，采用銅層的電解質(zhì)溶液對(duì)銅層進(jìn)行通電刻蝕、采用液晶聚合物層的電解質(zhì)溶液對(duì)液晶聚合物層進(jìn)行通電刻蝕，并制得所述微孔；所述電解質(zhì)溶液包括刻蝕劑前驅(qū)體和約束劑。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述銅層的電解質(zhì)溶液中的刻蝕劑前驅(qū)體為FeCl₂，約束劑為SnCl₂；所述電解質(zhì)溶液中FeCl₂與SnCl₂的摩爾比為0.1～0.5:1。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述銅層的電解質(zhì)溶液中還包括絡(luò)合劑，所述絡(luò)合劑在所述銅層的電解質(zhì)溶液中的摩爾濃度為0.01～0.02mol/L。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述絡(luò)合劑為2,2-聯(lián)吡啶，所述銅層的電解質(zhì)溶液包括HCl；所述FeCl₂、2,2-聯(lián)吡啶、SnCl₂、HCl摩爾比為0.1～0.3:0.03～0.09:1:0.5～1.5。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述液晶聚合物層的電解質(zhì)溶液中的刻蝕劑前驅(qū)體為錳酸鉀，約束劑為過(guò)氧化氫，所述錳酸鉀與過(guò)氧化氫的質(zhì)量比為2～4:1。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述液晶聚合物層的電解質(zhì)溶液還包括增溶劑，所述增溶劑在所述液晶聚合物層的電解質(zhì)溶液中的重量百分比為10％～15％。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述增溶劑為乙二胺；所述液晶聚合物層的電解質(zhì)溶液包括K₂MnO₄、KOH、乙二胺、H₂O₂；所述液晶聚合物層的電解質(zhì)溶液中K₂MnO₄、KOH、乙二胺、H₂O₂的質(zhì)量比為35～38:2～5:10～13:12～15。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述工作電極通過(guò)如下步驟進(jìn)行制備：

將金屬絲置于毛細(xì)玻璃管中，對(duì)毛細(xì)玻璃管的中間位置加熱，待毛細(xì)玻璃管熔融時(shí)在毛細(xì)玻璃管兩端施加相反的拉力，將毛細(xì)玻璃管中間位置拉斷形成微電極，接著將微電極的尖端用樹(shù)脂進(jìn)行封樣，然后對(duì)微電極的尖端進(jìn)行拋光，最后溶解樹(shù)脂解封微電極得到所述工作電極。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，銅層的刻蝕按照如下步驟進(jìn)行：

在所述液晶聚合物基板的表面覆蓋所述銅層的電解質(zhì)溶液，當(dāng)所述工作電極的尖端與所述液晶聚合物基板表面的間距小于電解質(zhì)溶液的厚度時(shí)停止下降，進(jìn)行通電刻蝕。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制作方法，其特征在于，通電刻蝕時(shí)，以工作電極的尖端的初始位置為圓心，根據(jù)設(shè)定的微孔尺寸沿所需刻蝕微孔的圓周移動(dòng)所述工作電極，同時(shí)控制工作電極的尖端向下移動(dòng)，當(dāng)所述工作電極的尖端到達(dá)液晶聚合層的表面時(shí)，停止通電，銅層的刻蝕結(jié)束。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制作方法，其特征在于，銅層刻蝕時(shí)的參數(shù)為：恒電流電解，電流密度為10～15mA/cm²，體系溫度為35℃-40℃。