[發(fā)明專利]一種促進(jìn)細(xì)胞貼壁和生長(zhǎng)的裝置及其使用方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110992734.2 | 申請(qǐng)日： | 2021-08-27 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN113699045A | 公開（公告）日： | 2021-11-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 方鵬;曹江浪;李光林 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 中國(guó)科學(xué)院深圳先進(jìn)技術(shù)研究院 |
| 主分類號(hào)： | C12M3/04 | 分類號(hào)： | C12M3/04;C12M1/42;C12M1/22;C12M1/24 |
| 代理公司： | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人： | 潘登 |
| 地址： | 518055 廣東省深圳*** | 國(guó)省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 促進(jìn) 細(xì)胞 生長(zhǎng) 裝置 及其 使用方法 | ||
1.一種促進(jìn)細(xì)胞貼壁和生長(zhǎng)的裝置，其特征在于，所述裝置包括：
細(xì)胞培養(yǎng)器材、支撐所述細(xì)胞培養(yǎng)器材的托盤、位于所述細(xì)胞培養(yǎng)器材和托盤之間的駐極體以及將所述駐極體密封在細(xì)胞培養(yǎng)器材和托盤之間的密封圈；
所述細(xì)胞培養(yǎng)器材的底壁厚度為0.1～0.5mm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的促進(jìn)細(xì)胞貼壁和生長(zhǎng)的裝置，其特征在于，所述細(xì)胞培養(yǎng)器材包括細(xì)胞培養(yǎng)瓶、細(xì)胞培養(yǎng)皿或細(xì)胞培養(yǎng)板中的任意一種或至少兩種的組合；
優(yōu)選地，所述托盤包括托臂和托底；
優(yōu)選地，所述托臂的高度為3～5mm，所述托臂的厚度為0.5～2mm；
優(yōu)選地，所述托底的厚度為0.8～1.5mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的促進(jìn)細(xì)胞貼壁和生長(zhǎng)的裝置，其特征在于，所述駐極體的厚度為5～500μm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1～3任一項(xiàng)所述的促進(jìn)細(xì)胞貼壁和生長(zhǎng)的裝置，其特征在于，所述細(xì)胞培養(yǎng)器材的制備原料包括聚丙烯、聚苯乙烯、聚四氟乙烯、氟化乙丙烯共聚物或聚三氟氯乙烯中的任意一種或至少兩種的組合；
優(yōu)選地，所述駐極體的制備原料包括聚丙烯和/或氟化乙丙烯共聚物；
優(yōu)選地，所述密封圈的制備原料包括生物膠和/或醫(yī)用膠布。
5.根據(jù)權(quán)利要求1～4任一項(xiàng)所述的促進(jìn)細(xì)胞貼壁和生長(zhǎng)的裝置，其特征在于，所述裝置包括：
細(xì)胞培養(yǎng)器材、支撐所述細(xì)胞培養(yǎng)器材的托盤、位于所述細(xì)胞培養(yǎng)器材和托盤之間的駐極體以及密封所述駐極體的密封圈；
所述細(xì)胞培養(yǎng)器材包括細(xì)胞培養(yǎng)瓶、細(xì)胞培養(yǎng)皿或細(xì)胞培養(yǎng)板中的任意一種或至少兩種的組合，所述細(xì)胞培養(yǎng)器材的底壁厚度為0.1～0.5mm；
所述托盤包括托臂和托底，所述托臂的高度為3～5mm，所述托臂的厚度為0.5～2mm，所述托底的厚度為0.8～1.5mm；
所述駐極體的厚度為5～500μm；
所述細(xì)胞培養(yǎng)器材的制備原料包括聚丙烯、聚苯乙烯、聚四氟乙烯、氟化乙丙烯共聚物或聚三氟氯乙烯中的任意一種或至少兩種的組合；
所述駐極體的制備原料包括聚丙烯和/或氟化乙丙烯共聚物；
所述密封圈的制備原料包括生物膠和/或醫(yī)用膠布。
6.一種權(quán)利要求1～5任一項(xiàng)所述的促進(jìn)細(xì)胞貼壁和生長(zhǎng)的裝置的使用方法，其特征在于，所述使用方法包括：
對(duì)駐極體進(jìn)行極化，靜置；
向滅菌后的細(xì)胞培養(yǎng)器材中接種細(xì)胞；
將駐極體放置在細(xì)胞培養(yǎng)器材與托盤之間，使用密封圈密封；
將裝置放置在培養(yǎng)環(huán)境中，培養(yǎng)細(xì)胞。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的促進(jìn)細(xì)胞貼壁和生長(zhǎng)的裝置的使用方法，其特征在于，所述極化前還包括對(duì)駐極體進(jìn)行清潔的步驟；
優(yōu)選地，所述清潔包括超聲清洗；
優(yōu)選地，所述清潔后還包括干燥駐極體的步驟。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的促進(jìn)細(xì)胞貼壁和生長(zhǎng)的裝置的使用方法，其特征在于，所述極化的方法包括電暈充電法和/或電擊穿充電法；
優(yōu)選地，所述靜置的時(shí)間為不少于24h。
9.根據(jù)權(quán)利要求6～8任一項(xiàng)所述的促進(jìn)細(xì)胞貼壁和生長(zhǎng)的裝置的使用方法，其特征在于，所述使用方法還包括更換培養(yǎng)基和/或駐極體的步驟。
10.根據(jù)權(quán)利要求6～9任一項(xiàng)所述的促進(jìn)細(xì)胞貼壁和生長(zhǎng)的裝置的使用方法，其特征在于，所述使用方法包括：
對(duì)駐極體進(jìn)行超聲清洗，干燥后，通過電暈充電法和/或電擊穿充電法對(duì)駐極體進(jìn)行極化，靜置不少于24h；
向滅菌后的細(xì)胞培養(yǎng)器材中接種細(xì)胞；
將駐極體放置在細(xì)胞培養(yǎng)器材與托盤之間，使用密封圈密封；
將裝置放置在培養(yǎng)環(huán)境中，培養(yǎng)細(xì)胞；
根據(jù)細(xì)胞的生長(zhǎng)狀態(tài)，更換培養(yǎng)基和/或駐極體，繼續(xù)培養(yǎng)。
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