[發明專利]一種半導體器件及制備方法

有效

• 申請號: 202110991978.9
• 申請日: 2021-08-27
• 公開（公告）號: CN113436975B
• 公開（公告）日: 2021-12-14
• 發明（設計）人: 楊天應
• 申請（專利權）人: 深圳市時代速信科技有限公司
• 主分類號: H01L21/335
• 分類號: H01L21/335;H01L29/778;H01L29/40
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 崔熠

1.一種半導體器件制備方法，其特征在于，所述方法包括：

在襯底上形成半導體疊層；

在所述半導體疊層上分別形成源極金屬、漏極金屬和柵極金屬；

在所述柵極金屬上形成第一介質層；

在所述第一介質層上形成底層源場板，所述底層源場板位于所述柵極金屬和所述漏極金屬之間，且所述底層源場板在所述襯底的正投影與所述柵極金屬在所述襯底的正投影不相交；

在所述底層源場板上形成第二介質層；

刻蝕所述第二介質層，形成連通至所述底層源場板的互連孔；

通過所述互連孔形成與所述底層源場板連接的互連結構；

所述互連結構連接于所述底層源場板遠離所述柵極金屬的一端；

所述通過所述互連孔形成與所述底層源場板連接的互連結構包括：

在所述互連孔內形成與所述底層源場板連接的第一導電體。

2.如權利要求1所述的半導體器件制備方法，其特征在于，在所述互連孔內形成與所述底層源場板連接的第一導電體之后，所述方法還包括：

在所述第二介質層上形成第二導電體，所述第二導電體一端與所述第一導電體連接以形成所述互連結構、另一端朝向所述源極金屬延伸。

3.如權利要求2所述的半導體器件制備方法，其特征在于，所述第二導電體在所述襯底的正投影與所述柵極金屬在所述襯底的正投影不相交。

4.如權利要求2所述的半導體器件制備方法，其特征在于，所述第二導電體為叉指狀結構。

5.如權利要求1所述的半導體器件制備方法，其特征在于，所述底層源場板與所述柵極金屬之間的間距大于所述第一介質層的厚度。

6.如權利要求1所述的半導體器件制備方法，其特征在于，所述互連孔為多個，多個所述互連孔沿所述底層源場板的延伸方向間隔設置。

7.如權利要求1所述的半導體器件制備方法，其特征在于，所述在所述柵極金屬上形成第一介質層之后，所述方法還包括：

刻蝕所述第一介質層，形成分別與所述源極金屬和所述漏極金屬連通的第一源極互連窗口和第一漏極互連窗口；

在所述源極互連窗口和所述漏極互連窗口內分別形成第一源極互連金屬和第一漏極互連金屬；

所述在所述底層源場板上形成第二介質層之后，所述方法還包括：

刻蝕所述第二介質層，形成分別與所述第一源極互連金屬和所述第一漏極互連金屬連通的第二源極互連窗口和第二漏極互連窗口；

在所述第二源極互連窗口和所述第二漏極互連窗口內分別形成第二源極互連金屬和第二漏極互連金屬。

8.一種半導體器件，其特征在于，包括：

襯底；

設置于所述襯底上的半導體疊層；

設置于所述半導體疊層上的源極金屬、漏極金屬和柵極金屬；

設置于所述柵極金屬上的第一介質層；

設置于所述第一介質層上的底層源場板，所述底層源場板位于所述柵極金屬和所述漏極金屬之間，且所述底層源場板在所述襯底的正投影與所述柵極金屬在所述襯底的正投影不相交；

設置于所述底層源場板上的第二介質層；

設置于所述第二介質層上的互連孔，所述互連孔與所述底層源場板連通；

設置于互連孔的互連結構，所述互連結構與所述底層源場板連接；

所述互連結構連接于所述底層源場板遠離所述柵極金屬的一端；

所述互連結構包括第一導電體，所述第一導電體位于所述互連孔內且與所述底層源場板連接。

9.如權利要求8所述的半導體器件，其特征在于，所述互連結構還包括第二導電體，所述第二導電體位于所述第二介質層上，所述第二導電體一端與所述第一導電體連接、另一端朝向所述源極金屬延伸。