[發明專利]一種帶ESD結構的溝槽MOSFET器件的制造方法在審
| 申請號： | 202110991356.6 | 申請日： | 2021-08-26 |
| 公開（公告）號： | CN113611611A | 公開（公告）日： | 2021-11-05 |
| 發明（設計）人： | 蔡全興;蔡欣瑤;宋尹達 | 申請（專利權）人： | 上海芯聚電子科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/336 | 分類號： | H01L21/336;H01L27/02 |
| 代理公司： | 無錫派爾特知識產權代理事務所(普通合伙) 32340 | 代理人： | 楊立秋 |
| 地址： | 200000 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 esd 結構 溝槽 mosfet 器件 制造 方法 | ||
1.一種帶ESD結構的溝槽MOSFET器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供襯底，在襯底表面形成外延層，在外延層表面形成氧化層；
清洗外延層表面多余的氧化層，再沉積遮蔽氧化層；
在外延層表面刻蝕形成溝槽；去掉遮蔽氧化層；
在外延層表面以及溝槽內生長柵極氧化層；在溝槽內形成多晶硅柵極；
在外延層內部頂面形成P型體區，在P型體區內部頂面形成P+有源區和N+有源區；
在外延層外部頂面沉積介質層，并在介質層自頂向下選擇性刻蝕至外延層表面，形成孔接觸區；
在介質層表面沉積金屬，選擇性刻蝕金屬，形成源極金屬。
2.如權利要求1所述的帶ESD結構的溝槽MOSFET器件的制造方法，其特征在于，在外延層表面以及溝槽內生長柵極氧化層之前，該制造方法還包括：
清洗外延層表面，生長200?的犧牲氧化層，去掉外延層表面以及溝槽表面的雜質。
3.如權利要求2所述的帶ESD結構的溝槽MOSFET器件的制造方法，其特征在于，所述柵極氧化層的厚度根據閾值電壓需求做相應匹配。
4.如權利要求1所述的帶ESD結構的溝槽MOSFET器件的制造方法，其特征在于，通過如下方法在外延層內部頂面形成P型體區：在形成溝槽的N-型外延層2自頂向下注入P型摻雜，并推阱退火，形成P型體區。
5.如權利要求1所述的帶ESD結構的溝槽MOSFET器件的制造方法，其特征在于，所述多晶硅柵極和所述源極金屬之間有介質層隔離。
6.如權利要求1所述的帶ESD結構的溝槽MOSFET器件的制造方法，其特征在于，所述遮蔽氧化層的厚度為3000?。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海芯聚電子科技有限公司，未經上海芯聚電子科技有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110991356.6/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種數據采集方法和裝置
- 下一篇：一種無碳排放的熱再生瀝青拌合站
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
