[發明專利]MCM封裝結構及其制作方法在審
| 申請號： | 202110991105.8 | 申請日： | 2021-08-26 |
| 公開（公告）號： | CN113707630A | 公開（公告）日： | 2021-11-26 |
| 發明（設計）人： | 楊磊;王鑫璐 | 申請（專利權）人： | 矽磐微電子（重慶）有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/485 | 分類號： | H01L23/485;H01L25/18;H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京博思佳知識產權代理有限公司 11415 | 代理人： | 閆海珍 |
| 地址： | 401331 重*** | 國省代碼： | 重慶;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | mcm 封裝 結構 及其 制作方法 | ||
1.一種MCM封裝結構，其特征在于，包括：
第一類型裸片，包括若干第一焊盤，所述第一焊盤位于所述第一類型裸片的活性面；所述第一類型裸片具有第一實際位置與第一理論位置，所述第一實際位置相對于所述第一理論位置具有偏移量；
第二類型裸片，包括若干第二焊盤，所述第二焊盤位于所述第二類型裸片的活性面；所述第二類型裸片具有第二實際位置與第二理論位置，所述第二實際位置相對于所述第二理論位置具有偏移量；
塑封層，包覆所述第一類型裸片與所述第二類型裸片；所述塑封層包括相對的正面與背面，所述塑封層的正面暴露所述第一焊盤與所述第二焊盤；
第一再布線層，位于所述塑封層的正面一側；所述第一再布線層包括第一子再布線層與第二子再布線層，所述第一子再布線層電連接所述第一焊盤且隨所述第一實際位置一并偏移，所述第二子再布線層電連接所述第二焊盤且隨所述第二實際位置一并偏移；
第一介電層，包埋所述第一再布線層；
第二再布線層，位于所述第一介電層上；所述第二再布線層電連接所述第一子再布線層與所述第二子再布線層，且所述第二再布線層基于所述第一類型裸片的所述第一理論位置與所述第二類型裸片的所述第二理論位置而確定。
2.根據權利要求1所述的MCM封裝結構，其特征在于，在所述第一再布線層中，所述第一子再布線層與所述第二子再布線層電絕緣。
3.根據權利要求1或2所述的MCM封裝結構，其特征在于，所述第一子再布線層與所述第二子再布線層分別包括一層金屬圖案層，或所述第一子再布線層與所述第二子再布線層分別包括兩層及其以上數目的金屬圖案層。
4.根據權利要求3所述的MCM封裝結構，其特征在于，所述第一子再布線層的每層所述金屬圖案層包括第一類型金屬圖案塊，所述第一類型金屬圖案塊與所述第一焊盤一一對應設置且數量相等，至少一個所述第一類型金屬圖案塊的面積大于對應的所述第一焊盤的面積；所述第二子再布線層的每層所述金屬圖案層包括第二類型金屬圖案塊，所述第二類型金屬圖案塊與所述第二焊盤一一對應設置且數量相等，至少一個所述第二類型金屬圖案塊的面積大于對應的所述第二焊盤的面積。
5.根據權利要求1或2所述的MCM封裝結構，其特征在于，所述MCM封裝結構還包括：第M類型裸片，M為大于等于3且小于等于N的任一正整數；所述第M類型裸片包括若干第M焊盤，所述第M焊盤位于所述第M類型裸片的活性面；
且所述塑封層還包覆所述第M類型裸片，所述塑封層的正面暴露所述第M焊盤；所述第M類型裸片具有第M實際位置與第M理論位置，所述第M實際位置相對于所述第M理論位置具有偏移量；
所述第一再布線層還包括第M子再布線層，所述第M子再布線層電連接所述第M焊盤且隨所述第M實際位置一并偏移；
所述第二再布線層還電連接所述第M子再布線層，且所述第二再布線層基于所述第一類型裸片的所述第一理論位置、所述第二類型裸片的所述第二理論位置、……以及第N類型裸片的第N理論位置而確定。
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