[發(fā)明專利]一種抗燒蝕隱身蒙皮在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110989888.6 | 申請(qǐng)日: | 2021-08-26 |
| 公開(公告)號(hào): | CN113844147A | 公開(公告)日: | 2021-12-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 朱焰焰;朱德明;鄭杰;于方民;張茂功 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 天諾光電材料股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | B32B33/00 | 分類號(hào): | B32B33/00;B32B27/42;B32B27/08;B32B27/02;B32B27/34;B32B3/12;B32B27/28 |
| 代理公司: | 濟(jì)南日新專利代理事務(wù)所(普通合伙) 37224 | 代理人: | 劉亞寧 |
| 地址: | 250119 山東省濟(jì)南*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 抗燒蝕 隱身 蒙皮 | ||
本發(fā)明屬于抗燒蝕、雷達(dá)吸波材料領(lǐng)域,具體涉及一種抗燒蝕隱身蒙皮。所述蒙皮由外到內(nèi)包括抗燒蝕涂層、酚醛面板、高溫吸波層以及結(jié)構(gòu)層;其中,高溫吸波層由芳綸蜂窩芯和吸波布組成。本發(fā)明所述抗燒蝕隱身蒙皮具有較好的抗燒蝕性能和吸波性能,能夠抵抗600~800℃高溫燃?xì)饬鳠g,燒蝕時(shí)間5~30s;經(jīng)高溫?zé)g后,蒙皮雷達(dá)波反射率均值下降≤10%,滿足了蒙皮抗燒蝕、隱身的需求。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于抗燒蝕、雷達(dá)吸波材料領(lǐng)域,具體涉及一種抗燒蝕隱身蒙皮。
背景技術(shù)
在軍事領(lǐng)域內(nèi)雷達(dá)仍然是現(xiàn)代戰(zhàn)爭(zhēng)中搜尋目標(biāo)的重要技術(shù)之一,研制能高效吸收電磁波的吸波材料是提高武器系統(tǒng)生存的有效途徑。因此,吸波材料在軍事領(lǐng)域上有廣泛的應(yīng)用前景。
吸波材料主要是通過材料的介質(zhì)損耗使電磁波在材料內(nèi)部以熱能的形式消耗掉,或使電磁波因多次反射而干涉相消,達(dá)到吸收和衰減投射到物體內(nèi)部電磁波的目的。性能較好的吸波材料應(yīng)具備優(yōu)良的阻抗匹配特性和衰減特性,阻抗匹配特性要求材料表面的相對(duì)磁導(dǎo)率和相對(duì)介電常數(shù)相近,從而可減少入射電磁波的反射,使其盡可能進(jìn)入材料內(nèi)部而發(fā)生損耗;衰減特性則使進(jìn)入材料內(nèi)部的電磁波因介質(zhì)損耗而迅速地被吸收。
目前隱身蒙皮雖具有較好的吸波隱身性能,但抗燒蝕能力有限,難以達(dá)到高溫條件下的環(huán)境要求。
發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)現(xiàn)有隱身蒙皮抗燒蝕性能低的缺點(diǎn),本發(fā)明提供一種抗燒蝕隱身蒙皮,可用于高溫環(huán)境工作的器件,解決器件短時(shí)高溫條件下的抗燒蝕問題。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采用以下技術(shù)方案:
本發(fā)明提供一種抗燒蝕隱身蒙皮,其由外到內(nèi)包括抗燒蝕涂層、酚醛面板、高溫吸波層以及結(jié)構(gòu)層;其中,高溫吸波層由芳綸蜂窩芯和吸波布組成。
進(jìn)一步地,所述抗燒蝕涂層由填料和樹脂組成,其中填料包括二氧化硅、二氧化鋯、氧化鐵、氧化鎂中的一種或者多種,樹脂包括有機(jī)硅樹脂、酚醛樹脂、耐高溫環(huán)氧樹脂中的一種或者多種。
更進(jìn)一步地,抗燒蝕涂料中填料和樹脂質(zhì)量比為45~65:35~55。
進(jìn)一步地,所述抗燒蝕涂料層厚度為1~2mm。
更進(jìn)一步地,所述酚醛面板厚度為0.6~1.0mm。
進(jìn)一步地,高溫吸波層中包括三層芳綸蜂窩芯和兩層吸波布;芳綸蜂窩芯和吸波布間隔排列。
進(jìn)一步地,所述吸波布由吸收劑、樹脂組成;其中吸收劑包括碳化硅、氮化硅、碳黑、氧化鋅中一種或者多種;樹脂包括有機(jī)硅樹脂、磷酸三苯酯中的一種或多種。
更進(jìn)一步地,吸波布中吸收劑與樹脂的質(zhì)量比為20~50:80~50。
進(jìn)一步地,高溫吸波層厚度為3.5~4.0mm。
進(jìn)一步地,結(jié)構(gòu)層為芳綸板,芳綸板厚度為0.15~0.20mm。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明具有以下優(yōu)勢(shì):
本發(fā)明所述抗燒蝕隱身蒙皮具有較好的抗燒蝕性能和吸波性能,能夠抵抗600~800℃高溫燃?xì)饬鳠g,燒蝕時(shí)間5~30s;經(jīng)高溫?zé)g后,蒙皮雷達(dá)波反射率均值下降≤10%,滿足了蒙皮抗燒蝕、隱身的需求。
附圖說明
構(gòu)成本發(fā)明的一部分的說明書附圖用來提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解,本發(fā)明的示意性實(shí)施例及其說明用于解釋本發(fā)明,并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的不當(dāng)限定。
圖1為本發(fā)明實(shí)施例1所述抗燒蝕隱身蒙皮的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖中,1.抗燒蝕涂層,2.酚醛面板,3-1.芳綸蜂窩芯一,3-2.芳綸蜂窩芯二,3-3.芳綸蜂窩芯三,4-1.吸波布一,4-2.吸波布二,5.結(jié)構(gòu)層。
具體實(shí)施方式
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