[發明專利]ADC抗干擾性能提升系統及方法在審
| 申請號： | 202110989386.3 | 申請日： | 2021-08-26 |
| 公開（公告）號： | CN113691257A | 公開（公告）日： | 2021-11-23 |
| 發明（設計）人： | 袁少華;楊磊;蔡占成 | 申請（專利權）人： | 上海芯圣電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H03M1/06 | 分類號： | H03M1/06 |
| 代理公司： | 成都頂峰專利事務所(普通合伙) 51224 | 代理人： | 楊俊華 |
| 地址： | 200000 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | adc 抗干擾 性能 提升 系統 方法 | ||
1.一種ADC抗干擾性能提升系統，其特征在于，包括：ADC接地端、ADC模塊和N阱，
所述ADC接地端，用于為所述ADC模塊提供獨立接地端；
所述N阱，用于將所述ADC接地端和所述ADC模塊進行物理隔離。
2.根據權利要求1所述的提升系統，其特征在于，所述ADC接地端、所述ADC模塊和所述N阱處于MCU內部，所述MCU還包括IO模塊和RC模塊。
3.根據權利要求1所述的提升系統，其特征在于，還包括：IO模塊和RC模塊。
4.根據權利要求2所述的提升系統，其特征在于，還包括：
將所述ADC接地端單獨封裝到所述MCU外部接地端。
5.根據權利要求2或3任一所述的提升系統，其特征在于，
所述N阱將所述ADC接地端分別與所述IO模塊和所述RC模塊進行物理隔離；
所述N阱將所述ADC模塊分別與所述IO模塊和所述RC模塊進行物理隔離。
6.根據權利要求5所述的提升系統，其特征在于，所述ADC接地端連接所述ADC模塊的接地端。
7.根據權利要求5所述的提升系統，其特征在于，
所述IO模塊和所述RC模塊連接第一接地端，所述ADC接地端與所述第一接地端處于兩個網絡層。
8.根據權利要求6所述的提升系統，其特征在于，所述ADC接地端與所述ADC模塊的接地端之間包括寄生電阻，所述ADC模塊的接地端與所述ADC接地端之間存在電壓差。
9.根據權利要求1所述的提升系統，其特征在于，所述N阱處于晶圓P襯底上。
10.一種ADC抗干擾性能提升方法，其特征在于，包括：
為ADC模塊提供獨立接地端；
將ADC接地端和所述ADC模塊進行物理隔離。
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