[發明專利]顯示面板和顯示裝置有效
| 申請號: | 202110987817.2 | 申請日: | 2021-08-26 |
| 公開(公告)號: | CN113782546B | 公開(公告)日: | 2022-09-30 |
| 發明(設計)人: | 吳曉曉;林春榮;劉冰萍 | 申請(專利權)人: | 廈門天馬微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京匯思誠業知識產權代理有限公司 11444 | 代理人: | 李曉霞 |
| 地址: | 361101 福建*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 顯示裝置 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,所述顯示面板包括:襯底和位于所述襯底之上的多個綁定端子;其中,
所述綁定端子包括透明導電部和第一金屬部,所述第一金屬部位于所述襯底和所述透明導電部之間;
所述透明導電部和所述第一金屬部之間的絕緣層采用無機材料制作,所述透明導電部和所述第一金屬部通過貫穿所述絕緣層的第一過孔相連接;
所述顯示面板包括柵極金屬層和源漏金屬層;所述源漏金屬層位于所述柵極金屬層遠離所述襯底的一側,在所述柵極金屬層和所述源漏金屬層之間設置有第一子絕緣層;
所述顯示面板包括位于所述襯底之上的多個薄膜晶體管,所述薄膜晶體管的柵極位于所述柵極金屬層,所述薄膜晶體管的源極和漏極位于所述源漏金屬層;所述第一金屬部位于所述柵極金屬層,所述絕緣層包括所述第一子絕緣層。
2.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,
所述絕緣層包括N層子絕緣層,N為不小于1的整數。
3.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,
所述顯示面板還包括平坦化層,所述平坦化層位于所述薄膜晶體管的遠離所述襯底的一側;
所述平坦化層具有第一挖孔;在垂直于所述襯底方向上,所述第一挖孔貫穿所述平坦化層;其中,
所述透明導電部在所述襯底的正投影位于所述第一挖孔在所述襯底的正投影內。
4.根據權利要求3所述的顯示面板,其特征在于,
所述顯示面板包括顯示區和非顯示區,所述綁定端子位于所述非顯示區;
所述非顯示區還包括連接線,所述連接線位于所述源漏金屬層;所述連接線與所述第一金屬部通過所述第一子絕緣層的過孔相連接;且,所述平坦化層在所述襯底的正投影覆蓋所述連接線在所述襯底的正投影。
5.根據權利要求3所述的顯示面板,其特征在于,
所述顯示面板還包括位于所述源漏金屬層遠離所述襯底一側的第一透明導電層和第二透明導電層;
所述第一透明導電層和所述第二透明導電層之間設置有第二子絕緣層;
所述第二子絕緣層具有第二挖孔;在垂直于所述襯底方向上,所述第二挖孔貫穿所述第二子絕緣層;其中,
所述第二挖孔和所述第一挖孔在同一工藝制程中制作。
6.一種顯示面板,其特征在于, 所述顯示面板包括:襯底和位于所述襯底之上的多個綁定端子;其中,
所述綁定端子包括透明導電部和第一金屬部,所述第一金屬部位于所述襯底和所述透明導電部之間;
所述透明導電部和所述第一金屬部之間的絕緣層采用無機材料制作,所述透明導電部和所述第一金屬部通過貫穿所述絕緣層的第一過孔相連接;
所述顯示面板包括柵極金屬層、源漏金屬層、第一透明導電層和第二透明導電層;所述源漏金屬層位于所述柵極金屬層的遠離所述襯底的一側,所述第一透明導電層位于所述源漏金屬層的遠離所述柵極金屬層的一側,所述第二透明導電層位于所述第一透明導電層的遠離所述源漏金屬層的一側;
所述顯示面板包括位于所述襯底之上的多個薄膜晶體管,所述薄膜晶體管的柵極位于所述柵極金屬層,所述薄膜晶體管的源極和漏極位于所述源漏金屬層;其中,所述第一金屬部位于所述源漏金屬層;
在所述源漏金屬層和所述第一透明導電層之間設置有至少一層第三子絕緣層,所述絕緣層包括所述第三子絕緣層;
所述綁定端子還包括第二金屬部,所述第二金屬部位于所述柵極金屬層;所述柵極金屬層和所述源漏金屬層之間設置有第一子絕緣層;所述第一金屬部和所述第二金屬部通過所述第一子絕緣層的過孔相連接。
7.根據權利要求6所述的顯示面板,其特征在于,
所述第一透明導電層和所述第二透明導電層之間設置有第二子絕緣層,所述絕緣層包括所述第二子絕緣層。
8.根據權利要求6所述的顯示面板,其特征在于,
對于一個所述綁定端子,所述透明導電部和所述第一金屬部通過至少兩個所述第一過孔相連接。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





