[發明專利]電阻式隨機存取存儲器器件

在審

• 申請號: 202110987309.4
• 申請日: 2021-08-26
• 公開（公告）號: CN114256414A
• 公開（公告）日: 2022-03-29
• 發明（設計）人: 黎佳俊;卓榮發;陳學深
• 申請（專利權）人: 格芯新加坡私人有限公司
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 林瑩瑩;牛南輝

1.一種存儲器器件，包括：

具有開口的電介質層；

位于所述開口中的第一電極；

設置在所述第一電極上的電阻層；

設置在所述電阻層上的第一氧清除層，其中所述第一氧清除層包括與所述電阻層不同并且部分地覆蓋所述電阻層的材料；以及

與所述第一氧清除層接觸的第二電極。

2.根據權利要求1所述的器件，其中，所述第一電極通過所述第一氧清除層和所述電阻層電連接到所述第二電極。

3.根據權利要求2所述的器件，還包括：

設置在所述電阻層上的第二氧清除層，其中所述第二氧清除層與所述第一氧清除層間隔開。

4.根據權利要求3所述的器件，其中，所述第一氧清除層和所述第二氧清除層各自具有與所述電介質層的上表面基本上共面的上表面。

5.根據權利要求4所述的器件，其中，所述第二電極橫向延伸以接觸所述第二氧清除層。

6.根據權利要求5所述的器件，還包括：

布置在所述第二電極上方并連接到所述第二電極的位線；以及

布置在所述第一電極下方并連接到所述第一電極的源極線。

7.根據權利要求4所述的器件，還包括：設置在所述第二氧清除層上的第三電極，其中所述第一電極通過所述第二氧清除層和所述電阻層電連接到所述第三電極。

8.根據權利要求7所述的器件，還包括：

布置在所述第二電極上方并連接到所述第二電極的第一位線；

布置在所述第三電極上方并連接到所述第三電極的第二位線；以及

布置在所述第一電極下方并連接到所述第一電極的源極線。

9.根據權利要求3所述的器件，還包括：沿著所述開口的側壁，其中所述第一氧清除層和所述第二氧清除層具有與所述側壁鄰接的側面。

10.根據權利要求9所述的器件，其中，所述第一氧清除層和所述第二氧清除層的所述側面與所述電阻層的側邊緣基本上對齊。

11.根據權利要求9所述的器件，其中，所述第一氧清除層和所述第二氧清除層具有比所述電阻層小的寬度。

12.根據權利要求3所述的器件，其中，所述第二氧清除層通過設置在所述電阻層上的電介質帽與所述第一氧清除層間隔開。

13.根據權利要求3所述的器件，其中，所述第一氧清除層和所述第二氧清除層包括鉭、鈦、鎢、氧化鉿或氧化鋁。

14.一種存儲器器件，包括：

具有開口的電介質層；

沿著所述開口的側壁；

位于所述開口中的第一電極；

設置在所述第一電極上并沿著所述側壁設置的電阻層；

設置在所述電阻層上的第一氧清除層，其中所述第一氧清除層包括與所述電阻層不同并且部分地覆蓋所述電阻層的材料；以及

與所述第一氧清除層和所述電阻層接觸的第二電極。

15.根據權利要求14所述的器件，還包括：

設置在所述電阻層上的電介質帽；

設置在所述電阻層上的第二氧清除層，其中所述第二氧清除層通過所述電介質帽與所述第一氧清除層間隔開。

16.根據權利要求15所述的器件，其中，所述電阻層具有設置在所述第一電極上的第一分段和沿著所述側壁設置的第二分段。

17.根據權利要求16所述的器件，其中，所述電阻層的所述第二分段具有與所述電介質層的上表面基本上共面的上表面。