[發明專利]半導體元件及其制造方法

在審

• 申請號: 202110987052.2
• 申請日: 2021-08-26
• 公開（公告）號: CN114122209A
• 公開（公告）日: 2022-03-01
• 發明（設計）人: 林子翔;陳之皓;吳瑋哲;陳英杰
• 申請（專利權）人: 晶元光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/20
• 分類號: H01L33/20;H01L33/00;B23K26/38
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

本發明公開一種半導體元件及其制造方法，其中該半導體元件包含：基板，包含上表面及第一側面至第四側面，其中上表面包含第一邊連接第一側面及第二邊連接第二側面；第一激光切痕，位于第一側面及第二側面；以及半導體疊層位于基板的上表面上，其中半導體疊層包含下表面，下表面包含第五邊鄰近第一邊以及第六邊相對第五邊且鄰近第二邊；其中，第一邊與第五邊的距離為S1μm，第二邊與第六邊的距離為S2μm；自第三側面觀之，第一側面與垂直方向形成第一銳角，其角度為θ1，第二側面與垂直方向形成第二銳角，其角度為θ2，第一激光切痕于垂直方向上與上表面的距離為D1μm，且滿足D1≤0.2×(S1+S2)/tanθa，其中θa＝(θ1+θ2)/2。

技術領域

本發明涉及一種半導體元件及其制造方法，特別是涉及一種具有激光切割基板的半導體元件及其制造方法。

背景技術

隨著科技的發展，III-V族半導體材料已可被制造成各種半導體元件，并廣泛應用于照明、醫療、顯示、通訊、感測、電源系統等領域。本發明即在提出一新穎的半導體元件及其制造方法以改善元件的良率。

發明內容

一種半導體元件，包括：一基板，包含一上表面、一第一側面、一第二側面相對第一側面、一第三側面連接第一側面及第二側面、以及一第四側面相對第三側面，其中，上表面包含一第一邊連接第一側面、一第二邊相對第一邊并且連接第二側面、一第三邊連接第三側面以及一第四邊相對第三邊并且連接第四側面；一水平方向平行上表面以及一垂直方向垂直上表面；一第一激光切痕，位于第一側面及第二側面；以及一半導體疊層，位于基板的上表面上，其中，半導體疊層包含一下表面連接基板的上表面，下表面包含一第五邊鄰近第一邊以及一第六邊相對第五邊且鄰近第二邊；其中，第一邊與第五邊于水平方向的距離為S1μm，第二邊與第六邊于水平方向的距離為S2μm；其中，自第三側面觀之，第一側面與垂直方向形成一第一銳角，其角度為θ1，第二側面與垂直方向形成一第二銳角，其角度為θ2，第一激光切痕于垂直方向上與上表面的距離為D1μm，且滿足D1≤0.2×(S1+S2)/tanθa，其中，θa＝(θ1+θ2)/2。

附圖說明

圖1A～圖1D為本發明的半導體元件的一實施例，其中，圖1A為半導體元件的上視示意圖；圖1B為半導體元件的第一側面視圖；圖1C為半導體元件的第二側面視圖；圖1D為半導體元件的第三側面視圖；

圖2A～圖2H為本發明的半導體元件的制造方法的示意圖；

圖3為本發明的半導體疊層的一實施例的示意圖。

符號說明

100：基板

11、11’：切割道

100s、1000s：上表面

100s1：第一邊

100s2：第二邊

100s3：第三邊

100s4：第四邊

100a：第一側面

100b：第二側面

100c：第三側面

100d：第四側面

102：半導體疊層

102a：第一半導體層

102b：主動(有源)層

102c：第二半導體層

102s1：第五邊

102s2：第六邊

103：第一電極

104：第二電極