[發明專利]一種氧化鋁/鈦硅碳層狀復合材料及其原位制備方法在審
| 申請號： | 202110986447.0 | 申請日： | 2021-08-26 |
| 公開（公告）號： | CN113582673A | 公開（公告）日： | 2021-11-02 |
| 發明（設計）人： | 陳瑩瑩;王志;史國普;李慶剛;吳俊彥 | 申請（專利權）人： | 濟南大學 |
| 主分類號： | C04B35/10 | 分類號： | C04B35/10;C04B35/515;C04B35/622;C04B35/645;B28B1/29;B28B3/00;B28B11/24 |
| 代理公司： | 濟南泉城專利商標事務所 37218 | 代理人： | 李桂存 |
| 地址： | 250022 山東*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 氧化鋁 鈦硅碳 層狀 復合材料 及其 原位 制備 方法 | ||
1.一種氧化鋁/鈦硅碳層狀復合材料的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
a. 制備氧化鋁流延片和鈦硅碳流延薄片
將氧化鋁或鈦硅碳的原料粉和磷酸三乙酯、聚乙烯醇縮丁醛、鄰苯二甲酸二辛酯按質量比28-44:2.4-3.6:3-6:2.4-4.8，水浴下混合；球磨形成均勻穩定的流延漿料；除泡，制備流延薄片；
b．制備坯體
將步驟a制備的流延薄片，裁剪后交替疊層，真空熱壓成型；
c. 真空燒結
將步驟b的坯體在真空燒結得到氧化鋁/鈦硅碳層狀復合陶瓷材料；
所述的鈦硅碳的原料粉是鈦粉、碳化硅粉、碳粉和鋁粉摩爾比為3:1.1:0.9:0.2原位合成。
2.根據權利要求1所述的氧化鋁/鈦硅碳層狀復合材料的制備方法，其特征在于，所述步驟c真空燒結的條件為：真空氣氛、1450-1600℃燒結溫度、5℃/min升溫速率、30 MPa燒結壓力、90 min保溫保壓時間。
3.根據權利要求1所述的氧化鋁/鈦硅碳層狀復合材料的制備方法，其特征在于，所述的氧化鋁或鈦硅碳的原料粉同磷酸三乙酯、聚乙烯醇縮丁醛、鄰苯二甲酸二辛酯、無水乙醇質量比為40:50.6:2:4:3.2。
4.根據權利要求1所述的高純氧化鋁/鈦硅碳層狀陶瓷的制備方法，其特征在于，所述層狀氧化鋁層厚度為90-140 μm；鈦硅碳層厚度為65-95 μm。
5.采用權利要求1-4 任一項所述的制備方法制備的氧化鋁/鈦硅碳層狀復合材料。
6.根據權利要求5所述的氧化鋁/鈦硅碳層狀復合材料，其特征在于，所述的復合材料制備得到的陶瓷。
7.根據權利要求6所述的氧化鋁/鈦硅碳層狀復合材料，其特征在于，該陶瓷的強度為412-508MPa，斷裂韌性為 4.3-7.3 MPa·m1/2，密度為3.21-3.97 g/cm3，氣孔率為1.32%-1.93%。
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