[發明專利]一種全橋功率模塊的封裝結構

在審

• 申請號: 202110986037.6
• 申請日: 2021-08-26
• 公開（公告）號: CN113725200A
• 公開（公告）日: 2021-11-30
• 發明（設計）人: 廖光朝;張小兵
• 申請（專利權）人: 深圳云潼科技有限公司
• 主分類號: H01L25/07
• 分類號: H01L25/07;H01L23/495;H01L25/18
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 潘登

本發明公開了一種全橋功率模塊的封裝結構。全橋功率模塊的封裝結構包括引線框架，引線框架包括上橋基島和下橋基島；第一晶體管組件，第一晶體管組件包括m個間隔設置的第一金屬氧化物半導體場效應晶體管晶粒；第二晶體管組件，第二晶體管組件包括m個第二金屬氧化物半導體場效應晶體管晶粒；m個間隔設置的第一金屬氧化物半導體場效應晶體管晶粒的漏極串聯電連接；第二金屬氧化物半導體場效應晶體管晶粒的漏極與第一金屬氧化物半導體場效應晶體管晶粒的源極一一對應，且電連接；第二金屬氧化物半導體場效應晶體管晶粒的漏極作為信號輸出端。本發明達到了減小應用全橋功率模塊的印刷電路板的體積，提高散熱效果。

技術領域

本發明實施例涉及半導體技術領域，尤其涉及一種全橋功率模塊的封裝結構。

背景技術

目前市場上新能源變頻領域的低壓泵及直流電機均使用6個金屬-氧化物半導體場效應晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)單管或3個MOSFET單管(其內部合封2個MOSFET晶粒)的MOSFET半橋封裝的器件，在水泵、電機控制板上組合，最終產生泵和電機的三相工作電壓。

現有技術將多個MOSFET晶體管設計組合焊接在印制電路板上組成全橋功率控制方案；但是，這種方案導致印刷電路板體積較大，散熱差、不利用統一散熱、印刷電路板設計走線電路復雜。

發明內容

本發明提供一種全橋功率模塊的封裝結構，以實現減小應用全橋功率模塊的印刷電路板的體積，提高散熱效果。

第一方面，本發明實施例提供了一種全橋功率模塊的封裝結構，全橋功率模塊的封裝結構包括：

引線框架，所述引線框架包括上橋基島和下橋基島，所述下橋基島包括m個下橋子基島，所述m的取值包括大于或等于2的整數；

第一晶體管組件，所述第一晶體管組件位于所述上橋基島的表面，其中，所述第一晶體管組件包括m個間隔設置的第一金屬氧化物半導體場效應晶體管晶粒；

第二晶體管組件，所述第二晶體管組件包括m個第二金屬氧化物半導體場效應晶體管晶粒，所述第二金屬氧化物半導體場效應晶體管晶粒位于所述下橋子基島的表面，所述第二金屬氧化物半導體場效應晶體管晶粒與所述下橋子基島一一對應設置；

m個間隔設置的所述第一金屬氧化物半導體場效應晶體管晶粒的漏極串聯電連接；

所述第二金屬氧化物半導體場效應晶體管晶粒的漏極與所述第一金屬氧化物半導體場效應晶體管晶粒的源極一一對應，且電連接；

所述第二金屬氧化物半導體場效應晶體管晶粒的漏極作為信號輸出端。

可選地，所述m的取值為3。

可選地，全橋功率模塊的封裝結構還包括m個絕緣設置的第一柵極連接電極；

所述第一柵極連接電極與所述第一金屬氧化物半導體場效應晶體管晶粒的柵極一一對應，且電連接。

可選地，全橋功率模塊的封裝結構還包括m個絕緣設置的第二柵極連接電極；

所述第二柵極連接電極與所述第二金屬氧化物半導體場效應晶體管晶粒的柵極一一對應，且電連接。

可選地，m個間隔設置的所述第一金屬氧化物半導體場效應晶體管晶粒的漏極位于所述上橋基島的表面；

所述第二金屬氧化物半導體場效應晶體管晶粒的漏極位于所述下橋子基島的表面。

可選地，全橋功率模塊的封裝結構還包括m個源極連接電極，所述源極連接電極與所述第二金屬氧化物半導體場效應晶體管晶粒的源極一一對應，且電連接。