[發(fā)明專利]一種N型電池硼擴(kuò)SE結(jié)構(gòu)的制作方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110986034.2 | 申請(qǐng)日: | 2021-08-26 |
| 公開(公告)號(hào): | CN113948374A | 公開(公告)日: | 2022-01-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 歐文凱;向亮睿 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 普樂(lè)新能源科技(徐州)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/223 | 分類號(hào): | H01L21/223;H01L31/18 |
| 代理公司: | 杭州天昊專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 33283 | 代理人: | 董世博;卓彩霞 |
| 地址: | 221399 江蘇省徐州市高新技*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 電池 se 結(jié)構(gòu) 制作方法 | ||
1.一種N型電池硼擴(kuò)SE結(jié)構(gòu)的制作方法,其特征是,包括以下步驟:
S1:將N型硅片垂直或水平插入舟內(nèi),并放入爐管;
S2:升溫至擴(kuò)散溫度,進(jìn)行抽空及檢漏;
S3:溫度保持在擴(kuò)散溫度,恒壓通入氮?dú)狻⒀鯕猓诠杵砻嬷谱饕粚颖友趸瑁?/p>
S4:溫度保持在擴(kuò)散溫度,通入氮?dú)狻⒀鯕夂团鹪磳?duì)硅片表面進(jìn)行沉積擴(kuò)散,將硼原子均勻分布在硅片表面;
S5:升溫至推結(jié)溫度,并通入氮?dú)夥€(wěn)壓;
S6:溫度保持在推結(jié)溫度,并恒溫推進(jìn)一段時(shí)間,形成生成淺結(jié)輕摻雜區(qū);
S7:氮?dú)夥諊禍兀⒊鰻t管;
S8:通過(guò)激光對(duì)擴(kuò)散后硅片進(jìn)行開槽;
S9:在硅片正面對(duì)應(yīng)電極的激光開槽位置印刷硼漿,并烘干;
S10:將印刷硼漿后的硅片送入退火爐管,在氮?dú)狻⒀鯕夥諊拢M(jìn)行高溫恒壓重?fù)诫s推進(jìn)及退火;
S11:氮?dú)夥諊拢禍爻龉埽瓿膳饠U(kuò)SE結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種N型電池硼擴(kuò)SE結(jié)構(gòu)的制作方法,其特征是,步驟S1中,所述N型硅片作為襯底材料,通過(guò)清洗制絨使硅片表面產(chǎn)生金字塔狀結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種N型電池硼擴(kuò)SE結(jié)構(gòu)的制作方法,其特征是,步驟S2中,擴(kuò)散溫度為800~1100℃。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種N型電池硼擴(kuò)SE結(jié)構(gòu)的制作方法,其特征是,步驟S7,出爐管后,制作的輕摻雜區(qū)擴(kuò)散方阻在120ohm/squ~160ohm/squ。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種N型電池硼擴(kuò)SE結(jié)構(gòu)的制作方法,其特征是,步驟S8中激光開槽時(shí),選擇功率在24W-30W之間,打標(biāo)速度40000-60000mm/s,頻率在200KHz-240KHz。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種N型電池硼擴(kuò)SE結(jié)構(gòu)的制作方法,其特征是,步驟S10中,退火溫度在900℃-1000℃,時(shí)間保持在20min-60min。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種N型電池硼擴(kuò)SE結(jié)構(gòu)的制作方法,其特征是,步驟S10中,制作重?fù)诫s區(qū),擴(kuò)散方阻控制在60ohm/squ~80ohm/squ。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種N型電池硼擴(kuò)SE結(jié)構(gòu)的制作方法,其特征是,步驟S4中,硼源為BBr3/BCl3蒸汽。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種N型電池硼擴(kuò)SE結(jié)構(gòu)的制作方法,其特征是,步驟S3中,氮?dú)饬髁靠刂圃?000sccm-3000sccm,氧氣流量控制在500sccm-1000sccm,時(shí)間3min-10min。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種N型電池硼擴(kuò)SE結(jié)構(gòu)的制作方法,其特征是,步驟S4中,氮?dú)饬髁繛?000sccm-2000sccm,氧氣流量為500sccm-1000sccm,硼源蒸汽流量為500sccm-1000sccm,時(shí)間控制在10min-20min。
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H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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