[發明專利]一種N型電池硼擴SE結構的制作方法在審
| 申請號: | 202110986034.2 | 申請日: | 2021-08-26 |
| 公開(公告)號: | CN113948374A | 公開(公告)日: | 2022-01-18 |
| 發明(設計)人: | 歐文凱;向亮睿 | 申請(專利權)人: | 普樂新能源科技(徐州)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/223 | 分類號: | H01L21/223;H01L31/18 |
| 代理公司: | 杭州天昊專利代理事務所(特殊普通合伙) 33283 | 代理人: | 董世博;卓彩霞 |
| 地址: | 221399 江蘇省徐州市高新技*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 電池 se 結構 制作方法 | ||
1.一種N型電池硼擴SE結構的制作方法,其特征是,包括以下步驟:
S1:將N型硅片垂直或水平插入舟內,并放入爐管;
S2:升溫至擴散溫度,進行抽空及檢漏;
S3:溫度保持在擴散溫度,恒壓通入氮氣、氧氣,在硅片表面制作一層薄層氧化硅;
S4:溫度保持在擴散溫度,通入氮氣、氧氣和硼源對硅片表面進行沉積擴散,將硼原子均勻分布在硅片表面;
S5:升溫至推結溫度,并通入氮氣穩壓;
S6:溫度保持在推結溫度,并恒溫推進一段時間,形成生成淺結輕摻雜區;
S7:氮氣氛圍降溫,并出爐管;
S8:通過激光對擴散后硅片進行開槽;
S9:在硅片正面對應電極的激光開槽位置印刷硼漿,并烘干;
S10:將印刷硼漿后的硅片送入退火爐管,在氮氣、氧氣氛圍下,進行高溫恒壓重摻雜推進及退火;
S11:氮氣氛圍下,降溫出管,完成硼擴SE結構。
2.根據權利要求1所述的一種N型電池硼擴SE結構的制作方法,其特征是,步驟S1中,所述N型硅片作為襯底材料,通過清洗制絨使硅片表面產生金字塔狀結構。
3.根據權利要求1所述的一種N型電池硼擴SE結構的制作方法,其特征是,步驟S2中,擴散溫度為800~1100℃。
4.根據權利要求1所述的一種N型電池硼擴SE結構的制作方法,其特征是,步驟S7,出爐管后,制作的輕摻雜區擴散方阻在120ohm/squ~160ohm/squ。
5.根據權利要求1所述的一種N型電池硼擴SE結構的制作方法,其特征是,步驟S8中激光開槽時,選擇功率在24W-30W之間,打標速度40000-60000mm/s,頻率在200KHz-240KHz。
6.根據權利要求1所述的一種N型電池硼擴SE結構的制作方法,其特征是,步驟S10中,退火溫度在900℃-1000℃,時間保持在20min-60min。
7.根據權利要求1所述的一種N型電池硼擴SE結構的制作方法,其特征是,步驟S10中,制作重摻雜區,擴散方阻控制在60ohm/squ~80ohm/squ。
8.根據權利要求1所述的一種N型電池硼擴SE結構的制作方法,其特征是,步驟S4中,硼源為BBr3/BCl3蒸汽。
9.根據權利要求1所述的一種N型電池硼擴SE結構的制作方法,其特征是,步驟S3中,氮氣流量控制在1000sccm-3000sccm,氧氣流量控制在500sccm-1000sccm,時間3min-10min。
10.根據權利要求1所述的一種N型電池硼擴SE結構的制作方法,其特征是,步驟S4中,氮氣流量為1000sccm-2000sccm,氧氣流量為500sccm-1000sccm,硼源蒸汽流量為500sccm-1000sccm,時間控制在10min-20min。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





