[發(fā)明專利]一種半導體器件超臨界處理方法

在審

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• 申請日: 2021-08-26
• 公開（公告）號: CN113871298A
• 公開（公告）日: 2021-12-31
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張冠張;李蕾;劉凱
• 申請（專利權(quán)）人: 北京大學深圳研究生院
• 主分類號: H01L21/322
• 分類號: H01L21/322;H01L21/335
• 代理公司: 深圳鼎合誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44281
• 代理人: 郭燕;彭家恩

1.一種半導體器件超臨界處理方法，其特征在于，包括：

提供一半導體器件、第一物質(zhì)以及第二物質(zhì)，所述第二物質(zhì)為含碳元素以及氫元素的化合物；

對所述第一物質(zhì)進行超臨界化處理，獲取超臨界態(tài)的第一物質(zhì)，其中，處理溫度T為T1≤T，處理壓力P為P1≤P，T1為所述第一物質(zhì)的臨界溫度，P1為所述第一物質(zhì)的臨界壓力；

通過超臨界態(tài)的第一物質(zhì)對所述第二物質(zhì)進行處理，以得到超臨界態(tài)的第二物質(zhì)；

通過超臨界態(tài)的第二物質(zhì)對所述半導體器件的半導體結(jié)構(gòu)進行晶體缺陷修復。

2.如權(quán)利要求1所述的半導體器件超臨界處理方法，其特征在于，在常溫常壓下，所述第一物質(zhì)為氣態(tài)無機物、氣態(tài)有機物或液態(tài)有機物。

3.如權(quán)利要求2所述的半導體器件超臨界處理方法，其特征在于，所述第一物質(zhì)為烷烴、烯烴、炔烴、飽和鹵代烴、醇類有機物、醛類有機物、酯類有機物、酮類有機物、酚類有機物、醚類有機物、酰類有機物或羧酸類有機物，且所述第一物質(zhì)為流體。

4.如權(quán)利要求1所述的半導體器件超臨界處理方法，其特征在于，所述第一物質(zhì)為二氧化碳、四氟化碳、水、氮氣、氨或惰性氣體。

5.一種半導體器件超臨界處理方法，其特征在于，包括：

提供一半導體器件以及第二物質(zhì)，所述第二物質(zhì)為含碳元素以及氫元素的化合物；

獲取超臨界態(tài)的第二物質(zhì)；

通過超臨界態(tài)的第二物質(zhì)對所述半導體器件的半導體結(jié)構(gòu)進行晶體缺陷修復。

6.如權(quán)利要求1或5所述的半導體器件超臨界處理方法，其特征在于，所述第二物質(zhì)為烷烴、烯烴或炔烴。

7.如權(quán)利要求6所述的半導體器件超臨界處理方法，其特征在于，所述第二物質(zhì)為甲烷、乙烯或乙炔。

8.如權(quán)利要求1或5所述的半導體器件超臨界處理方法，其特征在于，所述半導體結(jié)構(gòu)的材料為氮化鎵。

9.如權(quán)利要求8所述的半導體器件超臨界處理方法，其特征在于，所述半導體器件為氮化鎵高電子遷移率晶體管。

10.如權(quán)利要求1或5所述的半導體器件超臨界處理方法，其特征在于，所述第二物質(zhì)的質(zhì)量分數(shù)小于或等于5％，或所述第二物質(zhì)的體積分數(shù)小于或等于5％。