[發明專利]一種半導體器件

有效

• 申請號: 202110985480.1
• 申請日: 2021-08-26
• 公開（公告）號: CN113437051B
• 公開（公告）日: 2021-11-19
• 發明（設計）人: 楊天應
• 申請（專利權）人: 深圳市時代速信科技有限公司
• 主分類號: H01L23/64
• 分類號: H01L23/64;H01L21/66;G01R31/26
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 崔熠

1.一種半導體器件，其特征在于，包括：

襯底；

設置于所述襯底上的半導體層，所述半導體層包括有源區和位于所述有源區外圍的無源區；

設置于所述半導體層無源區的源極測試焊盤、漏極測試焊盤和柵極測試焊盤，

所述漏極測試焊盤包括層疊設置的漏極底層金屬和漏極頂層金屬，所述柵極測試焊盤包括層疊設置的柵極底層金屬和柵極頂層金屬，

在所述漏極底層金屬和所述漏極頂層金屬、所述柵極底層金屬和所述柵極頂層金屬之間分別設置有介質層，所述柵極底層金屬和所述漏極底層金屬分別與所述源極測試焊盤通過導電結構連接。

2.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述源極測試焊盤包括層疊設置的源極底層金屬和源極頂層金屬，所述源極底層金屬分別通過所述導電結構與所述柵極底層金屬和所述漏極底層金屬連接。

3.如權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，在所述源極底層金屬和所述源極頂層金屬之間設置有介質層。

4.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述導電結構橫跨于所述半導體層上的切割道。

5.如權利要求1至4任一項所述的半導體器件，其特征在于，在所述柵極底層金屬和所述半導體層之間、所述漏極底層金屬和所述半導體層之間分別設置有歐姆金屬，所述導電結構包括位于所述半導體層無源區的二維電子氣電阻，所述柵極底層金屬和所述漏極底層金屬分別與所述源極測試焊盤通過所述二維電子氣電阻電性連接。

6.如權利要求5所述的半導體器件，其特征在于，所述導電結構還包括第一折線電感和第二折線電感，所述柵極底層金屬與所述源極測試焊盤通過所述二維電子氣電阻和所述第一折線電感串聯，所述漏極底層金屬與所述源極測試焊盤通過所述二維電子氣電阻和所述第二折線電感串聯。

7.如權利要求1至4任一項所述的半導體器件，其特征在于，所述導電結構包括設置于所述半導體層無源區的薄膜電阻，所述柵極底層金屬和所述漏極底層金屬分別與所述源極測試焊盤通過所述薄膜電阻電性連接。

8.如權利要求7所述的半導體器件，其特征在于，所述電阻為折線電阻。

9.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，在所述半導體層無源區還設置有柵極打線焊盤，所述柵極打線焊盤依次通過連接金屬和薄膜電阻與所述柵極頂層金屬串聯；在所述半導體層無源區還設置有漏極打線焊盤，所述漏極打線焊盤通過連接金屬與所述漏極底層金屬串聯。

10.如權利要求9所述的半導體器件，其特征在于，所述連接金屬橫跨于所述半導體層上的切割道。