[發(fā)明專利]一種基于碳納米管薄膜的柔性太赫茲超材料傳感器

在審

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• 申請日: 2021-08-24
• 公開（公告）號: CN113820292A
• 公開（公告）日: 2021-12-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王玥;周韜;陳素果;張向;張曉菊;崔子健
• 申請（專利權(quán)）人: 西安理工大學(xué)
• 主分類號: G01N21/3581
• 分類號: G01N21/3581;G01N21/01
• 代理公司: 西安弘理專利事務(wù)所 61214
• 代理人: 王敏強(qiáng)

1.一種基于碳納米管薄膜的柔性太赫茲超材料傳感器，其特征在于，包括若干個(gè)結(jié)構(gòu)相同的正方形的傳感器結(jié)構(gòu)單元規(guī)則排列而成，形成周期性陣列結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于碳納米管薄膜的柔性太赫茲超材料傳感器，其特征在于，所述傳感器結(jié)構(gòu)單元的邊長為140-150μm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于碳納米管薄膜的柔性太赫茲超材料傳感器，其特征在于，所述傳感器結(jié)構(gòu)單元具體結(jié)構(gòu)為：包括正方形的底部柔性襯底(1)，底部柔性襯底(1)中心位置處設(shè)置有圓形的碳納米管薄膜圖層(3)，底部柔性襯底(1)上還設(shè)置有環(huán)形的金屬圖樣(2)，金屬圖樣(2)在碳納米管薄膜圖層(3)外圍設(shè)置，且金屬圖樣(2)與碳納米管薄膜圖層(3)共圓心。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種基于碳納米管薄膜的柔性太赫茲超材料傳感器，其特征在于，所述碳納米管薄膜圖層(3)厚度為0.5-2μm，半徑為30-50μm。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種基于碳納米管薄膜的柔性太赫茲超材料傳感器，其特征在于，所述金屬圖樣(2)厚度為0.1-0.2μm，內(nèi)徑為50-60μm，環(huán)寬度為0.5-1um。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種基于碳納米管薄膜的柔性太赫茲超材料傳感器，其特征在于，所述底部柔性襯底(1)為聚酰亞胺，底部柔性襯底(1)厚度為4-5μm，底部柔性襯底(1)邊長為140-150μm，即為所述傳感器結(jié)構(gòu)單元邊長。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種基于碳納米管薄膜的柔性太赫茲超材料傳感器，其特征在于，所述金屬圖樣(2)的材料為金、銀、銅其中一種。