[發明專利]基于基板表面親疏水性處理的高PPI量子點陣列制備方法在審
| 申請號： | 202110984776.1 | 申請日： | 2021-08-26 |
| 公開（公告）號： | CN113937243A | 公開（公告）日： | 2022-01-14 |
| 發明（設計）人： | 李福山;趙等臨;胡海龍;郭太良;孟汀濤 | 申請（專利權）人： | 福州大學;閩都創新實驗室 |
| 主分類號： | H01L51/56 | 分類號： | H01L51/56 |
| 代理公司： | 福州元創專利商標代理有限公司 35100 | 代理人： | 陳明鑫;蔡學俊 |
| 地址： | 350108 福建省福州市*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 表面 親疏 水性 處理 ppi 量子 陣列 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種基于基板表面親疏水性處理的高PPI量子點陣列制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
步驟A、將基板浸入H2SO4:H2O2為3:1(v:v)的溶液中30 min；
步驟B、用去離子水和甲醇先后清洗基板，用氮氣吹干；
步驟C、利用含有陣列的PDMS印章將十八烷基三氯硅烷OTS轉移至基板上，形成具有親疏水性圖形化的基板；
步驟D、利用LB技術，將親水性聚合物與基板上的羥基結合；
步驟E、利用LB技術，將疏水性量子點沉積在OTS上，形成高PPI量子點陣列。
2.根據權利要求1所述的基于基板表面親疏水性處理的高PPI量子點陣列制備方法，其特征在于，在步驟D中，親水聚合物為聚丙烯酸、聚丙烯酞胺、聚乙烯醇、聚氨酷、聚酞胺中的一種。
3.根據權利要求1所述的基于基板表面親疏水性處理的高PPI量子點陣列制備方法，其特征在于，在步驟E中，所述量子點材料為CdS、CdSe、InP、CuS、CuInS、PbSe、CsPbBr3中的一種或其中至少兩種的混合。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的，如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
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