[發(fā)明專利]一步法轉(zhuǎn)印制備高性能的超高分辨QLED

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110984774.2
• 申請(qǐng)日: 2021-08-26
• 公開（公告）號(hào): CN113937230B
• 公開（公告）日: 2023-09-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 胡海龍;李福山;孟汀濤;郭太良
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 福州大學(xué);閩都創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)室
• 主分類號(hào): H10K50/115
• 分類號(hào): H10K50/115;H10K71/13
• 代理公司: 福州元?jiǎng)?chuàng)專利商標(biāo)代理有限公司 35100
• 代理人: 陳明鑫;蔡學(xué)俊

1.一種一步法轉(zhuǎn)印制備高性能的超高分辨QLED，其特征在于，在透明導(dǎo)電襯底的ITO層上依次沉積空穴注入層、空穴傳輸層、像素化量子點(diǎn)薄膜、電子傳輸層、金屬陰極；其中，

所述像素化量子點(diǎn)薄膜以轉(zhuǎn)印的方法制備，具體制備過程為：首先制備微結(jié)構(gòu)圓柱的PDMS印章，然后通過旋涂或刮涂的工藝將作為電荷阻擋層的絕緣材料填充至微結(jié)構(gòu)的底部，接著將附有絕緣材料的PDMS印章去粘單層的量子點(diǎn)LB膜，使量子點(diǎn)被拾取到微結(jié)構(gòu)頂部，最后將拾取量子點(diǎn)后PDMS印章貼合到空穴傳輸層上，加熱后分離PDMS印章，使電荷阻擋層和像素化的量子點(diǎn)一起被轉(zhuǎn)印到空穴傳輸層上；對(duì)空穴傳輸層上嵌有絕緣材料的像素化QD進(jìn)行80℃退火。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一步法轉(zhuǎn)印制備高性能的超高分辨QLED，其特征在于，所述空穴注入層的材料為聚合物PEDOT:PSS、氧化鉬、氧化鎳、硫氰亞銅中的一種。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一步法轉(zhuǎn)印制備高性能的超高分辨QLED，其特征在于，所述空穴傳輸層的材料為聚合物TFB、Poly:TPD、PVK中的一種或其中至少兩種的混合物。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一步法轉(zhuǎn)印制備高性能的超高分辨QLED，其特征在于，所述量子點(diǎn)的材料為CdSe、InP、鹵素鈣鈦礦中的一種。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一步法轉(zhuǎn)印制備高性能的超高分辨QLED，其特征在于，所述電子傳輸層的材料為ZnO納米顆粒、摻雜金屬陽離子的ZnO納米顆粒或ZnO納米顆粒與聚合物的混合體。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一步法轉(zhuǎn)印制備高性能的超高分辨QLED，其特征在于，所述金屬陰極的材料為銀或鋁。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一步法轉(zhuǎn)印制備高性能的超高分辨QLED，其特征在于，所述絕緣材料為有機(jī)材料，包括：聚乙烯、聚氯乙烯、聚四氟乙烯、聚酰亞胺、PMMA，或無機(jī)材料，包括：納米二氧化硅、氧化鋁、氧化鋯。