[發明專利]顯示基板及其制備方法、顯示裝置在審
| 申請號: | 202110984252.2 | 申請日: | 2021-08-25 |
| 公開(公告)號: | CN113690289A | 公開(公告)日: | 2021-11-23 |
| 發明(設計)人: | 崔釗;張楠;張鋒;劉文渠;呂志軍;董立文;孟德天;王利波;侯東飛;李柳青;黃海濤;姚琪 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262 | 代理人: | 曲鵬 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
本公開提供了一種顯示基板及其制備方法、顯示裝置。顯示基板包括多個像素島區、多個連接橋區和多個隔離區,所述顯示基板包括疊設的發聲顯示結構層和空腔結構層,所述發聲顯示結構層包括設置在基底上的發聲結構層和設置在所述發聲結構層遠離所述基底一側的顯示結構層,所述空腔結構層設置在所述基底遠離所述顯示結構層的一側;至少一個隔離區的發聲結構層和顯示結構層上設置有隔離槽。本公開通過在像素島區之間設置隔離槽,隔離槽可以阻隔在顯示基板平面內傳播的聲波,避免了駐波效應影響屏幕顯示和屏幕發生力學問題。
技術領域
本公開涉及但不限于顯示技術領域,尤指一種顯示基板及其制備方法、顯示裝置。
背景技術
聲音作為顯示產品與使用者之間人機交互的一個重要方面,在顯示產品中的作用和地位越來越重要。傳統顯示產品通常是單獨設置發聲裝置(例如揚聲器)來實現聲音輸出,揚聲器被設置在顯示屏幕的側邊,體積較大,占用空間大,不僅低頻效果較差,而且影響顯示產品的厚度和屏占比,不利于實現窄邊框。由于屏幕發聲技術具有體積小、占用空間小、防水防塵和提高屏占比等優點,近年來得到快速發展。
經本申請發明人研究發現,現有屏幕發聲產品不僅存在因駐波效應影響顯示的問題,而且存在集成度較低的問題。
發明內容
以下是對本文詳細描述的主題的概述。本概述并非是為了限制權利要求的保護范圍。
本公開實施例所要解決的技術問題是,提供一種顯示基板及其制備方法、顯示裝置,以解決現有結構存在影響顯示和集成度較低等問題。
一方面,本公開實施例提供了一種顯示基板,包括多個像素島區、多個連接橋區和多個隔離區,所述連接橋區位于相鄰像素島區之間,被配置為通過連接線實現相鄰像素島區的信號連通,所述隔離區位于相鄰像素島區之間除所述連接橋區所在區域以外的區域;在垂直于顯示基板的平面上,所述顯示基板包括疊設的發聲顯示結構層和空腔結構層,所述發聲顯示結構層包括設置在基底上的發聲結構層和設置在所述發聲結構層遠離所述基底一側的顯示結構層,所述空腔結構層設置在所述基底遠離所述顯示結構層的一側;至少一個隔離區的發聲結構層和顯示結構層上設置有隔離槽。
在示例性實施方式中,所述像素島區的發聲結構層包括設置在所述基底上的第一電極層、設置在所述第一電極層遠離所述基底一側的壓電層、設置在所述壓電層遠離所述基底一側的第二電極層和設置在所述第二電極層遠離所述基底一側的保護層;所述第一電極層包括至少一個第一電極,所述第二電極層包括至少一個第二電極,所述第一電極在所述基底上的正投影與所述第二電極在所述基底上的正投影至少部分交疊。
在示例性實施方式中,所述空腔結構層包括設置在所述基底遠離所述顯示結構層一側的第一粘結層和設置在所述第一粘結層遠離所述基底一側的襯底層,所述襯底層上設置有至少一個空腔,所述空腔為在所述襯底層靠近所述基底一側開設的凹槽,或者,所述空腔為在所述襯底層上開設的通孔;所述空腔在所述基底上的正投影與所述發聲結構層中的第一電極或第二電極在所述基底上的正投影至少部分交疊。
在示例性實施方式中,所述空腔結構層還包括設置在所述襯底層遠離所述基底一側的第二粘結層和設置在所述第二粘結層遠離所述基底一側的反射層。
在示例性實施方式中,所述連接橋區的發聲結構層包括設置在所述基底上的壓電層和設置在所述壓電層遠離所述基底一側的保護層;所述連接橋區的顯示結構層包括設置在所述保護層上的第一無機層、設置在所述第一無機層遠離所述基底一側的第一有機層、設置在所述第一有機層遠離所述基底一側的連接線和覆蓋所述連接線的第二有機層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





