[發(fā)明專利]顯示面板及電子終端

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110982780.4
• 申請(qǐng)日: 2021-08-25
• 公開（公告）號(hào): CN113805393A
• 公開（公告）日: 2021-12-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳志林;馬濤;宋德偉;艾飛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 武漢華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): G02F1/1362
• 分類號(hào): G02F1/1362;G02F1/1343;G02F1/1333
• 代理公司: 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 何艷

本申請(qǐng)?zhí)岢隽艘环N顯示面板及電子終端，其中，所述顯示面板包括顯示區(qū)和位于顯示區(qū)外圍的非顯示區(qū)；其中，所述顯示面板包括：襯底；陣列驅(qū)動(dòng)層，位于襯底上，包括柵極層和源漏極層；信號(hào)線，包括位于非顯示區(qū)的轉(zhuǎn)接部，轉(zhuǎn)接部包括與柵極層同層設(shè)置的第一段導(dǎo)線、與源漏極層同層設(shè)置的第二段導(dǎo)線以及與第一段導(dǎo)線和第二段導(dǎo)線電連接的橋接部；其中，第一段導(dǎo)線、第二段導(dǎo)線以及橋接部異層設(shè)置。本申請(qǐng)實(shí)施例通過在非顯示區(qū)內(nèi)設(shè)置與第一段導(dǎo)線和第二段導(dǎo)線異層設(shè)置且電連接的橋接部，以避免在形成轉(zhuǎn)接部的轉(zhuǎn)接孔時(shí)，對(duì)第一段導(dǎo)線過蝕刻，避免了第一段導(dǎo)線的阻抗、第一段導(dǎo)線與第二段導(dǎo)線之間的接觸阻抗的增加，提高了信號(hào)線的數(shù)據(jù)傳輸?shù)臏?zhǔn)確性。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)涉及顯示領(lǐng)域，特別涉及一種顯示面板及電子終端。

背景技術(shù)

液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)等平面顯示裝置因具有高畫質(zhì)、省電、機(jī)身薄及應(yīng)用范圍廣等優(yōu)點(diǎn)，而被廣泛的應(yīng)用于手機(jī)、電視、個(gè)人數(shù)字助理、數(shù)字相機(jī)、筆記本電腦、臺(tái)式計(jì)算機(jī)等各種消費(fèi)性電子產(chǎn)品，成為顯示裝置中的主流。LCD有A-Si(非晶硅)薄膜晶體管/LTPS(Low Temperature Poly-Silicon，低溫多晶硅)薄膜晶體管對(duì)應(yīng)的兩種顯示技術(shù)，LTPS薄膜晶體管由于具有高遷移率的優(yōu)點(diǎn)，被廣泛用于高規(guī)格面板技術(shù)。

LTPS薄膜晶體管的顯示產(chǎn)品受限于高溫制程，如需要600攝氏度左右，目前業(yè)界中大多使用鉬(Mo)金屬。然而Mo金屬阻抗較高，不利用高分辨率、高頻率中尺寸產(chǎn)品的高充電率的產(chǎn)品需求。可使用耐高溫低阻金屬材料替代Mo金屬，以降低其電阻率，從而提高充電率等性能。

當(dāng)前在LTPS薄膜晶體管的顯示產(chǎn)品形成源漏極層和半導(dǎo)體層的過孔的制程中，要利用氫氟酸(Hydrofluoric Acid，HF)去除絕緣層(ILD)接觸孔內(nèi)的氧化層，以提升電性，同時(shí)也會(huì)處理非顯示區(qū)的轉(zhuǎn)接孔里面的金屬，該金屬使用的是耐高溫低阻材料的金屬。由于耐高溫低阻材料的金屬不耐氫氟酸，其容易被刻蝕，導(dǎo)致轉(zhuǎn)接孔里面的金屬損失量較大，轉(zhuǎn)接孔的接觸阻抗增加，影響了顯示面板產(chǎn)品的性能品質(zhì)。

發(fā)明內(nèi)容

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N顯示面板及電子終端，以改善當(dāng)前顯示面板的轉(zhuǎn)接孔內(nèi)的金屬因過蝕刻而導(dǎo)致轉(zhuǎn)接孔的接觸阻抗增加的技術(shù)問題。

為解決上述問題，本申請(qǐng)?zhí)峁┑募夹g(shù)方案如下：

本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N顯示面板，其中，所述顯示面板包括顯示區(qū)和位于所述顯示區(qū)外圍的非顯示區(qū)；其中，所述顯示面板包括：

襯底；

陣列驅(qū)動(dòng)層，位于所述襯底上，包括柵極層和源漏極層；

信號(hào)線，包括位于所述非顯示區(qū)的轉(zhuǎn)接部，所述轉(zhuǎn)接部包括與所述柵極層同層設(shè)置的第一段導(dǎo)線、與所述源漏極層同層設(shè)置的第二段導(dǎo)線以及與所述第一段導(dǎo)線和所述第二段導(dǎo)線電連接的橋接部；

其中，所述第一段導(dǎo)線、所述第二段導(dǎo)線以及所述橋接部異層設(shè)置。

在本申請(qǐng)的顯示面板中，所述顯示面板還包括位于所述陣列驅(qū)動(dòng)層兩側(cè)的多層金屬層，所述橋接部與多層所述金屬層中的至少一者同層設(shè)置。

在本申請(qǐng)的顯示面板中，所述顯示面板包括位于所述襯底和所述陣列驅(qū)動(dòng)層之間的遮光層，所述橋接部與所述遮光層同層設(shè)置，所述第一段導(dǎo)線和所述第二段導(dǎo)線之間的層間絕緣層完全覆蓋所述第一段導(dǎo)線，所述遮光層的耐氫氟酸腐蝕的能力比柵極的耐氫氟酸腐蝕的能力強(qiáng)。

在本申請(qǐng)的顯示面板中，所述顯示面板包括位于所述陣列驅(qū)動(dòng)層上的第一電極層，所述第一電極層與所述源漏極層電連接；

其中，所述橋接部與所述第一電極層同層設(shè)置。