[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體的清洗方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110982417.2 | 申請日: | 2021-08-25 |
| 公開(公告)號: | CN115938912A | 公開(公告)日: | 2023-04-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 萬知武 | 申請(專利權(quán))人: | 東莞新科技術(shù)研究開發(fā)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;H01L21/683 |
| 代理公司: | 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝傳鑫 |
| 地址: | 523087 *** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 半導(dǎo)體 清洗 方法 | ||
本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體的清洗方法,包括:將待清洗的半導(dǎo)體粘接在預(yù)設(shè)的UV膠帶上;通過紫外光對粘接有所述半導(dǎo)體的所述UV膠帶進(jìn)行第一次照射;通過滾輪滾動(dòng)擠出所述半導(dǎo)體與所述UV膠帶之間的氣泡;將所述UV膠帶放置在去離子水中,以第一預(yù)設(shè)方向和第二預(yù)設(shè)方向分別對所述半導(dǎo)體的表面進(jìn)行刷洗;將刷洗后的所述UV膠帶放置在焗爐中進(jìn)行烘干處理;通過所述紫外光對烘干后的所述UV膠帶進(jìn)行第二次照射,使得所述半導(dǎo)體與所述UV膠帶分離。采用本發(fā)明的技術(shù)方案能夠解決半導(dǎo)體邊緣由于夾具的阻擋導(dǎo)致無法清洗的問題,并解決由于清洗液的滯留而形成二次污染的問題,使得半導(dǎo)體本身充分暴露在清洗液中,清洗得更加充分。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體清洗技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種半導(dǎo)體的清洗方法。
背景技術(shù)
目前,在半導(dǎo)體晶圓的制造加工過程中,其表面通常粘有膠和蠟等污染物,因此需要對半導(dǎo)體表面進(jìn)行清洗處理。
但是,在采用傳統(tǒng)方法對半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行清洗時(shí),多是將其放在夾具中,連同夾具一起進(jìn)行清洗,而夾具邊緣的夾子對半導(dǎo)體晶圓的阻擋,將會導(dǎo)致半導(dǎo)體晶圓的邊緣往往無法清洗到,或是由于清洗液的滯留而形成二次污染。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例所要解決的技術(shù)問題在于,提供一種半導(dǎo)體的清洗方法,能夠解決半導(dǎo)體邊緣由于夾具的阻擋導(dǎo)致無法清洗的問題,并解決由于清洗液的滯留而形成二次污染的問題,使得半導(dǎo)體本身充分暴露在清洗液中,清洗得更加充分。
為了解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體的清洗方法,包括:
將待清洗的半導(dǎo)體粘接在預(yù)設(shè)的UV膠帶上;
通過紫外光對粘接有所述半導(dǎo)體的所述UV膠帶進(jìn)行第一次照射;
通過滾輪滾動(dòng)擠出所述半導(dǎo)體與所述UV膠帶之間的氣泡;
將所述UV膠帶放置在去離子水中,以第一預(yù)設(shè)方向和第二預(yù)設(shè)方向分別對所述半導(dǎo)體的表面進(jìn)行刷洗;
將刷洗后的所述UV膠帶放置在焗爐中進(jìn)行烘干處理;
通過所述紫外光對烘干后的所述UV膠帶進(jìn)行第二次照射,使得所述半導(dǎo)體與所述UV膠帶分離。
進(jìn)一步地,所述預(yù)設(shè)的UV膠帶的粘度為22N/in~24N/in,厚度為20μm~25μm。
進(jìn)一步地,第一次照射時(shí)間為30s,第一次照射后的所述UV膠帶的粘度為15N/in~16N/in。
進(jìn)一步地,所述第一預(yù)設(shè)方向的刷洗時(shí)間為25min,所述第二預(yù)設(shè)方向的刷洗時(shí)間為25min。
進(jìn)一步地,所述第一預(yù)設(shè)方向與所述第二預(yù)設(shè)方向垂直。
進(jìn)一步地,烘干溫度為100℃~120℃,烘干時(shí)間為25min。
進(jìn)一步地,第二次照射時(shí)間為5min,第二次照射后的所述UV膠帶的粘度為0.05N/in~0.06N/in。
進(jìn)一步地,所述紫外光的能量為4000mJ/cm2~4500mJ/cm2。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體的清洗方法,首先,將待清洗的半導(dǎo)體粘接在預(yù)設(shè)的UV膠帶上,通過紫外光對粘接有半導(dǎo)體的UV膠帶進(jìn)行第一次照射,并通過滾輪滾動(dòng)擠出半導(dǎo)體與UV膠帶之間的氣泡;接著,將UV膠帶放置在去離子水中,以第一預(yù)設(shè)方向和第二預(yù)設(shè)方向分別對半導(dǎo)體的表面進(jìn)行刷洗,并將刷洗后的UV膠帶放置在焗爐中進(jìn)行烘干處理;最后,通過紫外光對烘干后的UV膠帶進(jìn)行第二次照射,使得半導(dǎo)體與UV膠帶分離;通過使用UV膠帶粘接的方式對半導(dǎo)體進(jìn)行清洗,能夠解決半導(dǎo)體邊緣由于夾具的阻擋導(dǎo)致無法清洗的問題,并解決由于清洗液的滯留而形成二次污染的問題,使得半導(dǎo)體本身充分暴露在清洗液中,清洗得更加充分。
附圖說明
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





