[發明專利]鈣鈦礦薄膜及含其的光電探測器的反溶劑制備方法在審
| 申請號： | 202110982208.8 | 申請日： | 2021-08-25 |
| 公開（公告）號： | CN113809239A | 公開（公告）日： | 2021-12-17 |
| 發明（設計）人： | 王學文;岳云帆 | 申請（專利權）人： | 佛山仙湖實驗室 |
| 主分類號： | H01L51/48 | 分類號： | H01L51/48;H01L51/46;H01L51/42 |
| 代理公司： | 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205 | 代理人： | 尹凡華 |
| 地址： | 528200 廣東省佛山市南海區丹灶鎮*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 鈣鈦礦 薄膜 光電 探測器 溶劑 制備 方法 | ||
1.鈣鈦礦薄膜的反溶劑制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
(1)將基底置于等離子清洗設備中進行改性處理，制得改性的基底；
(2)取步驟(1)制得的改性的基底加熱，然后在改性的基底上滴加鈣鈦礦前驅體溶液，再滴加反溶劑，反應，退火，制得所述鈣鈦礦薄膜；
所述反溶劑包括甲苯、丙酮、氯苯或氯仿中的至少一種；
所述退火的溫度為78-122℃。
2.根據權利要求1所述的反溶劑制備方法，其特征在于，所述退火的溫度為80-120℃。
3.根據權利要求1所述的反溶劑制備方法，其特征在于，所述反溶劑為甲苯和/或氯仿。
4.根據權利要求1所述的反溶劑制備方法，其特征在于，當所述反溶劑為甲苯時，所述退火的溫度為78-100℃。
5.根據權利要求4所述的反溶劑制備方法，其特征在于，當所述反溶劑為甲苯時，所述退火的溫度為80-90℃。
6.根據權利要求1所述的反溶劑制備方法，其特征在于，當所述反溶劑為氯仿時，所述退火的溫度為90-122℃。
7.根據權利要求6所述的反溶劑制備方法，其特征在于，當所述反溶劑為氯仿時，所述退火的溫度為100-120℃。
8.根據權利要求1所述的反溶劑制備方法，其特征在于，步驟(1)中，所述基底為玻璃基底；步驟(2)中，所述鈣鈦礦前驅體溶液包含有機胺鹵素化合物和金屬鹵素化合物。
9.一種光電探測器的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
在權利要求1-8中任一項所述的反溶劑制備方法制得的鈣鈦礦薄膜上制備電極，制得所述光電探測器。
10.一種光電探測器，其特征在于，所述光電探測器的響應度為200-700μA/W，外量子效率大于0.01，比探測率為108-109Jones。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的，如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
