[發明專利]振蕩器、芯片及電子設備

有效

• 申請號: 202110981587.9
• 申請日: 2021-08-25
• 公開（公告）號: CN113676159B
• 公開（公告）日: 2022-07-05
• 發明（設計）人: 劉森;劉海彬;符韜;班桂春;段花花
• 申請（專利權）人: 微龕（廣州）半導體有限公司
• 主分類號: H03K3/012
• 分類號: H03K3/012;H03K3/011
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 施婷婷

1.一種振蕩器，其特征在于，所述振蕩器至少包括：

振蕩信號產生模塊、差分轉單端模塊及反饋控制模塊；

所述振蕩信號產生模塊連接于所述反饋控制模塊的輸出端，基于所述反饋控制模塊輸出的第一電流及第二電流交替調整兩路差分通路上對管的源極電壓，以產生差分振蕩信號；其中，所述振蕩信號產生模塊包括兩個所述對管、第一PMOS偏置管、第二PMOS偏置管、第一NMOS偏置管、第二NMOS偏置管、第一電阻、第一電容及第二電容；兩個所述對管分別經由所述第一PMOS偏置管及第二PMOS偏置管連接電源電壓，經由所述第一NMOS偏置管及所述第二NMOS偏置管接地，兩個所述對管的漏極輸出所述差分振蕩信號；所述第一電阻連接于兩個所述對管的源極之間；所述第一電容及所述第二電容的一端分別連接各所述對管的漏極，另一端接地；所述對管為NMOS時，一組對管包括第一NMOS對管及第二NMOS對管，所述第一NMOS對管的漏極連接所述第一PMOS偏置管，源極連接所述第一NMOS偏置管，柵極連接預設電壓；所述第二NMOS對管的漏極連接所述第二PMOS偏置管，源極連接所述第二NMOS偏置管，柵極連接所述預設電壓；所述對管為PMOS時，一組對管包括第一PMOS對管及第二PMOS對管，所述第一PMOS對管的源極連接所述第一PMOS偏置管，漏極連接所述第一NMOS偏置管，柵極連接所述預設電壓；所述第二PMOS對管的源極連接所述第二PMOS偏置管，漏極連接所述第二NMOS偏置管，柵極連接所述預設電壓；

差分轉單端模塊，連接于所述振蕩信號產生模塊的輸出端，用于將所述差分振蕩信號轉換為單端時鐘信號；

反饋控制模塊，連接于所述差分轉單端模塊的輸出端，基于所述單端時鐘信號控制所述第一電流及所述第二電流交替輸出，對所述單端時鐘信號進行負反饋。

2.根據權利要求1所述的振蕩器，其特征在于：所述反饋控制模塊包括參考電流產生單元、電流鏡、第一開關及第二開關；所述參考電流產生單元輸出參考電流；所述電流鏡連接所述參考電流產生單元，基于所述參考電流產生所述第一電流及所述第二電流；所述第一開關的一端接收所述第一電流，另一端連接所述振蕩信號產生模塊中第一電阻的一端；所述第二開關的一端接收所述第二電流，另一端連接所述振蕩信號產生模塊中第一電阻的另一端；所述第一開關及所述第二開關的控制端分別連接所述單端時鐘信號及所述單端時鐘信號的反信號。

3.根據權利要求2所述的振蕩器，其特征在于：所述參考電流產生單元包括功率管、運算放大單元及第二電阻；所述功率管的漏極連接所述第二電阻的第一端，源極連接所述電流鏡，柵極連接所述運算放大單元的輸出端；所述運算放大單元的輸入端分別連接參考電壓及所述功率管的漏極；

當所述功率管為PMOS功率管時，所述第二電阻的第二端接地；當所述功率管為NMOS功率管時，所述第二電阻的第二端連接所述電源電壓。

4.根據權利要求3所述的振蕩器，其特征在于：所述第一電阻與所述第二電阻的類型相同。

5.根據權利要求3所述的振蕩器，其特征在于：所述第二電阻為可調電阻。

6.根據權利要求2所述的振蕩器，其特征在于：所述反饋控制模塊還包括第一反相單元及第二反相單元，所述第一反相單元與所述第二反相單元依次串聯，用于產生所述第一開關及所述第二開關的控制信號。

7.根據權利要求1所述的振蕩器，其特征在于：所述第一電流與所述第二電流的大小相等。

8.根據權利要求1所述的振蕩器，其特征在于：所述差分轉單端模塊包括差分輸入管，負載單元及電流源；

所述對管為NMOS時，所述差分輸入管包括第一NMOS輸入管、第二NMOS輸入管，所述第一NMOS輸入管及所述第二NMOS輸入管的源極經由所述電流源接地，柵極分別連接所述差分振蕩信號，漏極經由所述負載單元連接電源電壓；

所述對管為PMOS時，所述差分輸入管包括第一PMOS輸入管、第二PMOS輸入管，所述第一PMOS輸入管及所述第二PMOS輸入管的源極經由所述電流源連接所述電源電壓，柵極分別連接所述差分振蕩信號，漏極經由所述負載單元接地。