[發(fā)明專利]一種孕育劑制作設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110981269.2 | 申請日: | 2021-08-25 |
| 公開(公告)號: | CN113718079B | 公開(公告)日: | 2023-03-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 凌云 | 申請(專利權(quán))人: | 鎮(zhèn)江東豐特殊合金有限公司 |
| 主分類號: | C21C1/08 | 分類號: | C21C1/08;C22C33/08;C22C30/02;B22D47/00;B22D35/04;B22D27/04;B22F9/04;B01F27/90 |
| 代理公司: | 重慶青飛知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 50283 | 代理人: | 張琴 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 孕育 制作 設(shè)備 | ||
本發(fā)明涉及孕育劑生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種硅鋇鑄鐵專用孕育劑及其制作設(shè)備,一種硅鋇鑄鐵專用孕育劑,包括以下原料:Si:10%?30%、Nd:7%?10%、Cu:5%?8%、Al:1%?3%、Ba:0.5%?2%、稀土:1%?3%、四氧化三鐵:10%?20%、Cr:3%?10%、V:0.1%?0.5%、Mn:0.1%?0.5%、Sc:0.1%?0.5%、Ti:0.5%?3%。還提供了一種硅鋇鑄鐵專用孕育劑制作設(shè)備,包括預(yù)處理部、熔煉部、澆鑄部、冷卻倉、傳送部、冷卻部、粉碎部和攪拌部,攪拌部置于預(yù)處理部的頂部,熔煉部置于預(yù)處理部的后端,澆鑄部置于熔煉部的底部,冷卻倉置于澆鑄部的底部,傳送部置于冷卻倉內(nèi),粉碎部置于傳送部的后端,冷卻部置于傳送部的兩側(cè)。解決了一般的孕育劑穩(wěn)定性較差,容易出現(xiàn)白口傾向,并且其制備工序自動化程度較低,伸生產(chǎn)效率不佳等問題。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及孕育劑生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種孕育劑制作設(shè)備。
背景技術(shù)
公開號為CN104878276A的中國發(fā)明專利公開了一種鑄鐵孕育劑。該鑄鐵孕育劑的制作包括以下步驟:首先,把純銅、純錫和純銻金屬按比例加入中頻電爐內(nèi)熔煉;然后,把熔煉的銅錫合金加工成顆粒狀,所述顆粒狀的銅錫合金為圓球狀顆粒、圓柱狀顆?;蚺倩铑w粒。該鑄鐵孕育劑把銅和錫一起按比例熔煉,再澆注冷卻成小球狀,或者把銅錫制成線狀再加工成小圓柱狀,使得該鑄鐵孕育劑能夠起到形成晶核和充分細(xì)化珠光體的作用。
公開號為CN106011599A的中國發(fā)明專利公開了一種孕育劑,包括以下重量比的化學(xué)成分:硅57.6%、鋁3.4%、鎳0.68%、鉬0.03%、磷0.02%、余量為鐵和難以除去的雜質(zhì)。本發(fā)明提供的孕育劑效果好,使用量僅為常規(guī)孕育劑用量的數(shù)十分之一,處理后球墨化效果好,較為均勻,使用此方法處理,孕育劑的被氧化的可能性小,處理時(shí)間短,處理后,鑄鐵的強(qiáng)度有明顯提升,而且也保持了鑄鐵的可加工性能。
但是上述專利仍存在以下問題:
一般的孕育劑穩(wěn)定性較差,容易出現(xiàn)白口傾向,并且其制備工序自動化程度較低,伸生產(chǎn)效率不佳。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明針對現(xiàn)有技術(shù)存在的上述問題,提供了一種孕育劑制作設(shè)備。
本發(fā)明的基本方案為:一種硅鋇鑄鐵專用孕育劑,包括以下原料:Si:10%-30%、Nd:7%-10%、Cu:5%-8%、Al:1%-3%、Ba:0.5%-2%、稀土:1%-3%、四氧化三鐵:10%-20%、Cr:3%-10%、V:0.1%-0.5%、Mn:0.1%-0.5%、Sc:0.1%-0.5%、Ti:0.5%-3%。
優(yōu)選地,包括以下原料:Si:23%-27%、Nd:8%-10%、Cu:6%-7%、Al:2%-2.5%、Ba:1%-2%、稀土:1%-2%、四氧化三鐵:13%-15%、Cr:5%-7%、V:0.3%-0.5%、Mn:0.2%-0.5%、Sc:0.3%-0.5%、Ti:1.2%-2%。
優(yōu)選地,所述稀土包括鈰和鋱,所述Si、Ba、Ti、Cr、V、Nd、Al、Mn、Sc、Cu、四氧化三鐵和稀土均為粉末顆粒狀。
一種硅鋇鑄鐵專用孕育劑制作設(shè)備,包括預(yù)處理部、熔煉部、澆鑄部、冷卻倉、傳送部、冷卻部、粉碎部和攪拌部,所述攪拌部置于預(yù)處理部的頂部,所述熔煉部置于預(yù)處理部的后端,所述澆鑄部置于熔煉部的底部,所述冷卻倉置于澆鑄部的底部,所述傳送部置于冷卻倉內(nèi),所述粉碎部置于傳送部的后端,所述冷卻部置于傳送部的兩側(cè)。
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