[發(fā)明專利]包括二維材料的晶體管在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110981236.8 | 申請日： | 2021-08-25 |
| 公開（公告）號： | CN114256334A | 公開（公告）日： | 2022-03-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | K·K·馬克西;A·V·佩努瑪查;C·H·內(nèi)勒;C·J·杜羅;K·P·奧布賴恩;S·希瓦拉曼;T·A·戈薩維;U·E·阿夫哲 | 申請（專利權(quán)）人： | 英特爾公司 |
| 主分類號： | H01L29/08 | 分類號： | H01L29/08;H01L29/10;H01L29/12;H01L29/24;H01L29/78;H01L25/18;H05K1/18 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 申屠偉進(jìn);呂傳奇 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 包括 二維 材料 晶體管 | ||
本文公開了包括二維材料的晶體管以及相關(guān)的方法和器件。在一些實(shí)施例中，晶體管可以包括第一二維溝道材料和在源極/漏極（S/D）中的第二二維源極/漏極（S/D）材料，并且第一二維材料和第二二維材料可以具有不同的成分或厚度。在一些實(shí)施例中，晶體管可以包括溝道中的第一二維材料和源極/漏極（S/D）中的第二二維材料，其中，第一二維材料是單晶材料，并且第二二維材料是單晶材料。
背景技術(shù)
電容器被用在許多不同的電子器件設(shè)計(jì)中。這些電容器通常被單獨(dú)制造并且表面安裝到襯底。
附圖說明
通過結(jié)合附圖的以下詳細(xì)描述，將容易理解實(shí)施例。為了便于這種描述，相同的附圖標(biāo)記?表示相同的結(jié)構(gòu)要素。在附圖的各圖中，作為示例而非作為限制示出了各實(shí)施例。
圖1是根據(jù)各種實(shí)施例的二維材料（2DM）晶體管的側(cè)視截面圖。
圖2是圖1的2DM晶體管的示例性實(shí)施例的側(cè)視截面圖。
圖3-8示出根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的用于制造圖2的2DM晶體管的示例性工藝中的各階段。
圖9是圖1的2DM晶體管的另一示例性實(shí)施例的側(cè)視截面圖。
圖10-13示出根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的用于制造圖9的2DM晶體管的示例性工藝中的各階段。
圖14是圖1的2DM晶體管的另一示例性實(shí)施例的側(cè)視截面圖。
圖15-16示出根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的用于制造圖14的2DM晶體管的示例性工藝中的各階段。
圖17-20示出根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的用于制造圖14的2DM晶體管的另一示例性工藝中的各階段。
圖21A-21C是根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的其他2DM晶體管的側(cè)視截面圖。
圖22A-22B是根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的另一2DM晶體管的側(cè)視截面圖。
圖23A-23B是圖22的2DM晶體管的示例性實(shí)施例的側(cè)視截面圖。
圖24A-24B、25A-25B、26A-26B、27A-27B、28A-28B和29A-29B示出根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的用于制造圖23的2DM晶體管的示例性工藝中的各階段。
圖30A-30B是圖22的2DM晶體管的另一示例性實(shí)施例的側(cè)視截面圖。
圖31A-31B是根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的另一2DM晶體管的側(cè)視截面圖。
圖32A-32B是圖31的2DM晶體管的示例性實(shí)施例的側(cè)視截面圖。
圖33A-33B、34A-34B和35A-35B示出根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的用于制造圖32的2DM晶體管的示例性工藝中的各階段。
圖36A-36B是根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的另一2DM晶體管的側(cè)視截面圖。
圖37是根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的另一2DM晶體管的側(cè)視截面圖。
圖38-39示出根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的用于制造圖34的2DM晶體管的示例性工藝中的各階段。
圖40是根據(jù)本文公開的任何實(shí)施例的可以包括2DM晶體管的管芯和晶片的俯視圖。
圖41是根據(jù)本文公開的任何實(shí)施例的可以包括2DM晶體管的集成電路（IC）器件的側(cè)視截面圖。
圖42是根據(jù)本文公開的任何實(shí)施例的可以包括2DM晶體管的IC封裝的側(cè)視截面圖。
圖43是根據(jù)本文公開的任何實(shí)施例的可以包括2DM晶體管的IC器件組裝件的側(cè)視截面圖。
圖44是根據(jù)本文公開的任何實(shí)施例的可以包括2DM晶體管的示例性電氣器件的框圖。
具體實(shí)施方式
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
