[發(fā)明專利]選擇性使用具有電子芯片的不同高級(jí)接口總線在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110981108.3 | 申請(qǐng)日: | 2021-08-25 |
| 公開(公告)號(hào): | CN114256195A | 公開(公告)日: | 2022-03-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | D·蘇巴雷迪;A·納拉馬爾普;L·G·唐;M·K·庫(kù)馬希卡爾 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 英特爾公司 |
| 主分類號(hào): | H01L23/50 | 分類號(hào): | H01L23/50;H01L23/00;G06F13/40;G06F15/78 |
| 代理公司: | 中國(guó)專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 徐予紅;姜冰 |
| 地址: | 美國(guó)加利*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 選擇性 使用 具有 電子 芯片 不同 高級(jí) 接口 總線 | ||
1.一種半導(dǎo)體裝置,所述半導(dǎo)體裝置包括:
接口,所述接口包括:
電路系統(tǒng)的物理布局,所述電路系統(tǒng)的物理布局被配置成與管芯之間的高速協(xié)議兼容;以及
多個(gè)凸塊,所述多個(gè)凸塊具有比為所述高速協(xié)議指定的密度更小的密度并且適合于低速協(xié)議,其中所述接口被配置成使用所述高速協(xié)議進(jìn)行通信。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置,包括經(jīng)由再分布層被通信耦合至所述接口的一個(gè)或多個(gè)管芯。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置,其中,第一管芯經(jīng)由所述接口被通信耦合至第二管芯,其中所述第二管芯包括小芯片。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置,其中,所述第一管芯和所述第二管芯被配置成使用高級(jí)接口總線(AIB)2.0協(xié)議進(jìn)行通信。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置,其中,所述接口被配置成具有是所述AIB 2.0協(xié)議吞吐量的一小部分的吞吐量。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置,其中,所述吞吐量等于或小于每秒64千兆位。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置,其中,所述接口的所述吞吐量小于或等于為AIB2.0指定的四分之一。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置,其中,所述吞吐量被參數(shù)化并且能夠由所述半導(dǎo)體裝置的制造商來(lái)配置。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置,包括由有機(jī)材料構(gòu)成的襯底,所述多個(gè)凸塊被耦合至所述襯底。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置,其中,所述凸塊具有比45毫米寬的間距。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置,其中,所述凸塊包括C4凸塊。
12.一種小芯片,所述小芯片包括:
具有第一通信通道的管芯;以及
與所述第一通信通道相關(guān)聯(lián)的第一接口,其中所述第一接口包括:
電路系統(tǒng),所述電路系統(tǒng)被配置成支持高級(jí)接口總線2.0(AIB 2.0)協(xié)議連接;以及
多個(gè)凸塊,所述多個(gè)凸塊具有比為所述AIB 2.0協(xié)議指定的密度更小的密度,其中所述第一接口被配置成使用所述AIB 2.0協(xié)議進(jìn)行通信。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的小芯片,包括再分布層,所述再分布層促進(jìn)所述多個(gè)凸塊和所述管芯之間的連接。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的小芯片,其中,所述小芯片經(jīng)由所述第一接口被通信耦合至第二小芯片。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的小芯片,其中,所述第一接口被配置成具有是與所述AIB2.0協(xié)議相對(duì)應(yīng)的吞吐量的一小部分的吞吐量。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的小芯片,其中,所述凸塊包括C4凸塊。
17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的小芯片,其中,所述管芯包括第二通道,所述第二通道包括第二接口,所述第二接口包括具有為所述AIB 2.0協(xié)議指定的密度的附加的多個(gè)凸塊,并且其中所述第二接口被配置成使用所述AIB 2.0協(xié)議進(jìn)行通信。
18.一種芯片,所述芯片包括:
頂部金屬層;以及
再分布層,其中所述再分布層被配置成選擇性地將具有第一通信架構(gòu)的第一接口層或者具有第二通信架構(gòu)的第二接口層用作所述頂部金屬層,其中所述第一接口層包括所述第二接口層的多個(gè)凸塊的一小部分,其中所述第一通信架構(gòu)和所述第二通信架構(gòu)被配置成使用相同的通信協(xié)議進(jìn)行通信。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于英特爾公司,未經(jīng)英特爾公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110981108.3/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 一種在多種電子設(shè)備,尤其是在電子服務(wù)提供商的電子設(shè)備和電子服務(wù)用戶的電子設(shè)備之間建立受保護(hù)的電子通信的方法
- 一種電子打火機(jī)及其裝配方法
- 電子檔案管理系統(tǒng)
- 在處理系統(tǒng)化學(xué)分析中使用的電子束激勵(lì)器
- 電子文件管理方法和管理系統(tǒng)
- 一種有效電子憑據(jù)生成、公開驗(yàn)證方法、裝置及系統(tǒng)
- 電子文憑讀寫控制系統(tǒng)和方法
- 具有加密解密功能的智能化電子證件管理裝置
- 一種基于數(shù)字證書的電子印章方法及電子印章系統(tǒng)
- 一種電子印章使用方法、裝置及電子設(shè)備





