[發明專利]一種控制單晶葉片熒光顯示的工藝方法

在審

• 申請號: 202110980412.6
• 申請日: 2021-08-25
• 公開（公告）號: CN113622032A
• 公開（公告）日: 2021-11-09
• 發明（設計）人: 樂獻剛;張鴻;白景晨;黃秋;高力秋
• 申請（專利權）人: 中國航發沈陽黎明航空發動機有限責任公司
• 主分類號: C30B33/10
• 分類號: C30B33/10;C23F1/02;C23F1/16;G01N1/28;G01N21/64
• 代理公司: 沈陽東大知識產權代理有限公司 21109
• 代理人: 梁焱

1.一種控制單晶葉片熒光顯示的工藝方法，其特征在于包括如下步驟：

步驟一：腐蝕前，對已完成熱處理的單晶葉片表面進行干粉吹砂處理，去除凝固過程和熱處理過程中形成的表面附著物；

步驟二：對單晶葉片的緣板部位進行局部封蠟保護；

步驟三：對單晶葉片進行晶粒度腐蝕，需要對腐蝕過程的時間進行控制；

步驟四：去除單晶葉片緣板部位的局部封蠟；

步驟五：對單晶葉片進行熒光檢驗，熒光檢驗前利用磨頭對單晶葉片緣板部位表面進行打磨處理，用以提高一次熒光檢驗通過率。

2.根據權利要求1所述的一種控制單晶葉片熒光顯示的工藝方法，其特征在于：在步驟二中，局部封蠟保護實施過程為：將染色蠟料加熱融化至130℃進行保溫，利用毛刷沾融化的蠟油對單晶葉片緣板部位上端面進行涂刷，封蠟厚度控制在0.15mm～3mm。

3.根據權利要求1所述的一種控制單晶葉片熒光顯示的工藝方法，其特征在于：在步驟三中，單晶葉片晶粒度腐蝕過程為：當采用FeCl₃:HCl:H₂O＝150g:200ml:300ml的腐蝕液對單晶葉片晶粒度進行腐蝕時，腐蝕時間控制在2min～5min；為了精確控制腐蝕時間，在腐蝕前放入2件有雜晶缺陷的對比葉片，對比葉片上具有雜晶缺陷部分的表面需要進行拋光和吹砂處理；腐蝕開始2min后，每隔1min便拿出對比葉片進行觀察，直到對比葉片的枝晶、雜晶顯示清晰，則腐蝕結束。

4.根據權利要求1所述的一種控制單晶葉片熒光顯示的工藝方法，其特征在于：在步驟三中，單晶葉片晶粒度腐蝕過程為：當采用H₂O₂:HCl＝(0.5～1):10的腐蝕液對單晶葉片晶粒度進行腐蝕時，腐蝕時間控制在30s～90s；為了精確控制腐蝕時間，在腐蝕前放入2件有雜晶缺陷的對比葉片，對比葉片上具有雜晶缺陷部分的表面需要進行拋光和吹砂處理；腐蝕開始30s后，每隔15s便拿出對比葉片進行觀察，直到對比葉片的枝晶、雜晶顯示清晰，則腐蝕結束。

5.根據權利要求1所述的一種控制單晶葉片熒光顯示的工藝方法，其特征在于：在步驟四中，采用高壓脫蠟釜對單晶葉片緣板部位的局部封蠟進行去除，脫蠟時需要單晶葉片緣板部位上端面，脫蠟結束后，立即用干凈的棉布擦拭掉單晶葉片緣板部位上端面和榫頭表面殘留的蠟油。