[發(fā)明專利]一種ArF光源干法光刻用多鎓鹽型光產(chǎn)酸劑的制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110979407.3
• 申請日: 2021-08-25
• 公開（公告）號: CN113816885B
• 公開（公告）日: 2022-12-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 方書農(nóng);王溯;耿志月;唐晨
• 申請（專利權(quán)）人: 上海新陽半導(dǎo)體材料股份有限公司;上海芯刻微材料技術(shù)有限責(zé)任公司
• 主分類號: C07C381/12
• 分類號: C07C381/12;C07C309/12;C07C303/32;C07C25/18;C07C17/35;G03F7/004
• 代理公司: 上海弼興律師事務(wù)所 31283
• 代理人: 王衛(wèi)彬;陳卓

1.一種鎓鹽的制備方法，其特征在于，所述鎓鹽的制備方法包括以下步驟：在溶劑中，將式(II)所示的化合物與式(A-1)所示的化合物或式(B-1)所示的化合物進行成鹽反應(yīng)，得到所述鎓鹽；

所述鎓鹽具有陰離子和鎓離子，所述陰離子具有式(I)所示的結(jié)構(gòu)，所述鎓離子具有式(A)或式(B)所示的結(jié)構(gòu)，所述鎓離子的個數(shù)使所述鎓鹽的電荷保持中性；

其中，M⁺為Li⁺、Na⁺或K⁺；

Hal^-為F^-、Cl^-、Br^-或I^-；

R¹、R²、R³和R⁴分別獨立地為H或F；

L¹和L²為其中a端與苯環(huán)相連；

p和q分別獨立地為0、1、2、3或4；

X為其中

n1、n2和n3分別獨立地為1、2、3、4或5；

m1、m2和m3分別獨立地為0、1、2、3或4；

R^a和R^b分別獨立地為鹵素、C_1-20烷基或C_1-20烷氧基；R^a和R^b的個數(shù)分別獨立地為0至5個；

z為(p+q+2+n1×m1)、(p+q+2+n2×m2)或(p+q+2+n3×m3)。

2.如權(quán)利要求1所述的鎓鹽的制備方法，其特征在于，

M⁺為Na⁺；

和/或，Hal^-為Cl^-；

和/或，R¹、R²、R³和R⁴相同；

和/或，p和q相同；

和/或，結(jié)構(gòu)單元為

和/或，n1為2；

和/或，n2為1；

和/或，n3為1或2；

和/或，m1為1；

和/或，m2為0或2；

和/或，m3為1。

3.如權(quán)利要求1所述的鎓鹽的制備方法，其特征在于，

結(jié)構(gòu)單元為

和/或，為

和/或，為

和/或，為

4.如權(quán)利要求3所述的鎓鹽的制備方法，其特征在于，

為

和/或，為

和/或，為

5.如權(quán)利要求1至4中任一項所述的鎓鹽的制備方法，其特征在于，所述陰離子具有式(I-1)、式(I-2)、式(I-3)或式(I-4)所示的結(jié)構(gòu)，

其中，R¹、R²、R³、R⁴、L¹、L²、m1、m2、m3、n1、n2、n3、p和q的定義如權(quán)利要求1至4中任一項所述。

6.如權(quán)利要求1所述的鎓鹽的制備方法，其特征在于，所述陰離子為以下任一結(jié)構(gòu)：

和/或，所述鎓離子為：

7.如權(quán)利要求6所述的鎓鹽的制備方法，其特征在于，所述鎓離子為