[發明專利]一種抑制氫氣在地下鹽穴中被微生物消耗的方法在審
| 申請號: | 202110979320.6 | 申請日: | 2021-08-25 |
| 公開(公告)號: | CN113738447A | 公開(公告)日: | 2021-12-03 |
| 發明(設計)人: | 陳留平;徐俊輝;劉娟;王衛東;朱旭初 | 申請(專利權)人: | 中鹽金壇鹽化有限責任公司 |
| 主分類號: | E21F17/16 | 分類號: | E21F17/16;E21F17/00;C01B3/00 |
| 代理公司: | 常州至善至誠專利代理事務所(普通合伙) 32409 | 代理人: | 王穎 |
| 地址: | 213200 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 抑制 氫氣 地下 鹽穴中被 微生物 消耗 方法 | ||
1.一種抑制氫氣在地下鹽穴中被微生物消耗的方法,鹽穴包括設置在地下鹽穴腔,所述鹽穴中設置有中心管,所述中心管的下端與鹽穴腔相連通,所述中心管的上端延伸至地面上方,所述中心管上套裝有生產外管,所述中心管的外壁與生產外管的內壁之間具有間隙,所述生產外管的下端與鹽穴腔相連通,所述生產外管的上端延伸至地面上方,其特征在于:包括以下步驟:
S1、進行鹽穴造腔過程,鹽穴造腔過程包括第一造腔階段和第二造腔階段,在第一造腔階段中,使用中心管向鹽穴中注入清水,使用生產外管將鹽穴中的鹵水采出,在第二造腔階段中,使用中心管將鹽穴中的鹵水采出,使用生產外管向鹽穴中注入清水,鹽穴造腔過程中第一造腔階段和第二造腔階段交替進行,在造腔過程中多次調節生產外管和中心管下端的深度,直到鹽穴造腔完成,所述深度即為鹽穴腔的深度;
S2、向鹵水上方的鹽穴腔內注入好氫型微生物抑制劑溶液;
S3、注氣排鹵階段,向好氫型微生物抑制劑溶液上方的鹽穴腔內注入待儲存的氫氣,鹽穴下部的鹵水沿排鹵管線排出,注氣排鹵階段完成后,鹽穴底部留有一部分鹵水作為墊底層。
2.如權利要求1所述的一種抑制氫氣在地下鹽穴中被微生物消耗的方法,其特征在于:所述步驟S2中的好氫型微生物抑制劑溶液包括溶劑和溶質,所述溶劑不溶于鹵水,所述溶質為抗生素、膽鹽、PH調節劑的一種或多種的混合物。
3.如權利要求1所述的一種抑制氫氣在地下鹽穴中被微生物消耗的方法,其特征在于:步驟S2中,在注入好氫型微生物抑制劑溶液的過程中,保持排鹵管線通常,注入壓力低于儲氣庫運行壓力上限。
4.如權利要求2所述的一種抑制氫氣在地下鹽穴中被微生物消耗的方法,其特征在于:所述溶劑為乙酸乙酯。
5.如權利要求1所述的一種抑制氫氣在地下鹽穴中被微生物消耗的方法,其特征在于:所述步驟S2中的好氫型微生物抑制劑溶液包括溶劑和溶質,所述溶劑溶于鹵水,所述溶質為抗生素、膽鹽、PH調節劑的一種或多種的混合物。
6.如權利要求5所述的一種抑制氫氣在地下鹽穴中被微生物消耗的方法,其特征在于:步驟S2包括:
S21、向鹽穴中注入好氫型微生物抑制劑溶液,靜置一段時間;
S22、將鹽穴中的鹵水從排鹵管線排出,排出的鹵水中含有好氫型微生物抑制劑溶液;
S23、將步驟S22中排出的鹵水或者好氫型微生物抑制劑溶液注入到鹽穴中,將鹽穴中的鹵水從排鹵管線排出;
S24、多次重復進行步驟S23,使得好氫型微生物抑制劑溶液與鹽穴內壁充分接觸并擴散至鹽穴內壁中。
7.如權利要求6所述的一種抑制氫氣在地下鹽穴中被微生物消耗的方法,其特征在于:在排鹵管線上安裝濃度測量儀器,檢測所述步驟S23中排出的鹵水中好氫型微生物抑制劑的濃度,若好氫型微生物抑制劑的濃度小于10ug/ml,則重復步驟S21,直到檢測的鹵水中好氫型微生物抑制劑的濃度大于10ug/ml。
8.如權利要求5所述的一種抑制氫氣在地下鹽穴中被微生物消耗的方法,其特征在于:所述溶劑為水或鹵水。
9.如權利要求1所述的一種抑制氫氣在地下鹽穴中被微生物消耗的方法,其特征在于:所述抗生素為青霉素、氯霉素、紅霉素和異霉素中的一種或多種。
10.如權利要求1所述的一種抑制氫氣在地下鹽穴中被微生物消耗的方法,其特征在于:所述膽鹽為牛磺膽酸鈉、牛磺膽酸鉀、脫氧膽酸鈉、脫氧膽酸鉀中的一種或多種。
11.如權利要求1所述的一種抑制氫氣在地下鹽穴中被微生物消耗的方法,其特征在于:所述PH調節劑為碳酸鈉、碳酸氫鈉、磷酸氫二鈉中的一種或多種。
12.如權利要求1所述的一種抑制氫氣在地下鹽穴中被微生物消耗的方法,其特征在于:所述步驟S2中加入的抑制劑溶液的濃度為10~150ug/ml。
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