[發明專利]一種低介電聚酰亞胺薄膜及其制備方法

有效

• 申請號: 202110978814.2
• 申請日: 2021-08-25
• 公開（公告）號: CN113527735B
• 公開（公告）日: 2023-07-28
• 發明（設計）人: 梁力
• 申請（專利權）人: 山東匯智鑫電子材料有限公司
• 主分類號: C08J5/18
• 分類號: C08J5/18;C08L79/08;C08K7/26;C08G73/10
• 代理公司: 深圳市蘭鋒盛世知識產權代理有限公司 44504
• 代理人: 羅炳鋒

1.一種低介電聚酰亞胺薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

（1）內層含氟的SiO₂中空球的制備：

將氨基硅烷和含氟硅烷滴入水中，攪拌反應，離心洗滌，噴霧干燥，得到內層含氟的SiO₂中空球；

（2）將內層含氟的SiO₂中空球加入到極性有機溶劑中，超聲分散，然后加入等摩爾比的二胺和二酐，反應得到聚酰胺酸樹脂溶液；

（3）將所述聚酰胺酸樹脂溶液經真空消泡處理后流涎成膜，加熱亞胺化得到低介電聚酰亞胺薄膜；

所述氨基硅烷和含氟硅烷的物質的量之比為3：1-6：1；

所述氨基硅烷為γ-氨丙基三甲氧基硅烷和二乙烯三胺基丙基三甲氧基硅烷的復配混合物，物質的量之比為1:1-6:1。

2.根據權利要求1所述低介電聚酰亞胺薄膜的制備方法，其特征在于，所述氨基硅烷為γ-氨丙基三甲氧基硅烷和二乙烯三胺基丙基三甲氧基硅烷的復配混合物，物質的量之比為2:1-4:1。

3.根據權利要求1所述低介電聚酰亞胺薄膜的制備方法，其特征在于，所述含氟硅烷選自1H,1H,2H,2H-全氟癸基三乙氧基硅烷、1H,1H,2H,2H-全氟癸基三甲氧基硅烷、十二氟庚基丙基三甲氧基硅烷、十二氟庚基丙基甲基二甲氧基硅烷、3,3,3-三氟丙基甲基二甲氧基硅烷、3,3,3-三氟丙基三甲氧基硅烷、1H,1H,2H,2H-全氟辛基三乙氧基硅烷或1H,1H,2H,2H-全氟辛基三甲氧基硅烷中的任意一種或幾種。

4.根據權利要求1所述低介電聚酰亞胺薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟（2）中，所述極性有機溶劑選自N-甲基吡咯烷酮、N,N-二甲基乙酰胺、N,N-二甲基甲酰胺、二甲基亞砜中的任意一種或幾種。

5.根據權利要求1所述低介電聚酰亞胺薄膜的制備方法，其特征在于，所述內層含氟的SiO₂中空球的質量為二胺和二酐總質量的20％-50％之間。

6.根據權利要求5所述低介電聚酰亞胺薄膜的制備方法，其特征在于，所述內層含氟的SiO₂中空球的質量為二胺和二酐總質量的30%-40%。

7.根據權利要求1所述低介電聚酰亞胺薄膜的制備方法，其特征在于，所述二酐為均苯四甲酸二酐（PMDA）、雙酚A二酐、雙酚F二酐、3，3’，4，4’-聯苯四羧酸二酐（BPDA）、3，3’，4，4’-二苯甲酮四羧酸二酐（BTDA）中的一種或幾種；

所述二胺為4，4’-二氨基二苯醚（4,4’-ODA）、3，4’-二氨基二苯醚（3,4’-ODA）、4，4’-二氨基二苯硫醚、對苯二胺、鄰苯二胺、間苯二胺、4，4’-二氨基二苯基甲烷、3，3’-二氨基二苯基砜和4，4’-二氨基二苯基砜中的一種或幾種。

8.根據權利要求1所述低介電聚酰亞胺薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟（3）中，加熱亞胺化的溫度為100-400℃。

9.一種如權利要求1-8任一項所述的制備方法制得的低介電聚酰亞胺薄膜，其特征在于，所述低介電聚酰亞胺薄膜的拉伸強度為240-270?MPa，斷裂伸長率為60%-70%，介電常數為1.5-2.0。