[發明專利]一種雙二次型降壓DC-DC變換器在審
| 申請號: | 202110977529.9 | 申請日: | 2021-08-24 |
| 公開(公告)號: | CN113489327A | 公開(公告)日: | 2021-10-08 |
| 發明(設計)人: | 羅醒華;馮文坤;梁曉榴;張學斌;劉曉騰;黎誕幸;黃文廣;張開翔;陳莉;曾繁杰;區華勇 | 申請(專利權)人: | 廣東電網有限責任公司;廣東電網有限責任公司云浮供電局 |
| 主分類號: | H02M3/158 | 分類號: | H02M3/158;H02M1/44 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 彭東威 |
| 地址: | 510600 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 二次 降壓 dc 變換器 | ||
1.一種對稱雙二次型降壓DC-DC變換器,其特征在于,包括:輸入側、第一低側降壓網絡單元、第二低側降壓網絡單元、第一主控開關、第二主控開關和輸出側;所述輸入側對應的輸入側地,與所述輸出側對應的輸出側地間的電壓差恒定;
所述第一低側降壓網絡單元和所述第二低側降壓網絡單元通過堆疊的方式,對稱并接于所述輸入側;
所述第一主控開關連接于所述第一低側降壓網絡單元和所述輸出側之間;
所述第二主控開關連接于所述第二低側降壓網絡單元和所述輸出側之間。
2.根據權利要求1所述的對稱雙二次型降壓DC-DC變換器,其特征在于,所述輸入側包括:直流電壓源、第一電容和第二電容;所述第一電容的正端與所述輸入電源正端連接;所述第一電容的負端與所述第二電容的正端連接;所述第二電容的負端與所述輸入電源的負端連接;
所述第一電容和所述第二電容分別并接所述第一低側降壓網絡單元和所述第二低側降壓網絡單元;
所述第一低側降壓網絡單元連接于所述直流電壓源的正端與所述第一主控開關之間;
所述第二低側降壓網絡單元連接于所述直流電壓源的負端與所述第二主控開關之間。
3.根據權利要求2所述的對稱雙二次型降壓DC-DC變換器,其特征在于,所述第一電容和所述第二電容均分所述直流電壓源的電壓。
4.根據權利要求3所述的對稱雙二次型降壓DC-DC變換器,其特征在于,所述第一低側降壓網絡單元包括:第一二極管、第二二極管、第一電感和第三電容;所述第二低側降壓網絡單元包括:第三二極管、第四二極管、第二電感和第四電容;所述第一二極管與所述第四二極管同步動作;所述第二二極管與第三二極管之間,以及所述第一二極管與所述第四二極管之間互補動作;
所述第一二極管的陰極與所述直流電壓源的正端,以及所述第一電感的一端連接;所述第一二極管的陽極與所述第二二極管的陰極以及所述第三電容的負極連接;
所述第二二極管的陰極與所述輸出端連接;
所述第三電容的正極與所述第一電感的另一端,以及所述第一主控開關一側連接;
所述第三二極管的陰極與所述第二二極管的陽極,以及所述輸出端連接;所述第三二極管的陽極與所述第四二極管的陰極,以及所述第四電容的正極連接;
所述第四二極管的陽極與所述直流電壓源的負端、所述第二電感的一端相連;
所述第四電容的負極與所述第二電感的另一端,以及所述第二主控開關一側連接。
5.根據權利要求4所述的對稱雙二次型降壓DC-DC變換器,其特征在于,所述輸出端包括:第七二極管、第八二極管、第三電感、第四電感和第五電容;所述第二二極管和所述第三二極管分別與所述第一主控開關和所述第二主控開關同步動作;所述第一二極管和所述第四二極管分別與所述第一主控開關和所述第二主控開關互補動作;
所述第七二極管的陰極與所述第一主控開關另一側,以及位于輸出端高側的所述第三電感一側連接;所述第七二極管的陽極與所述第八二極管的陰極、所述第二二極管的陽極,以及所述第三二極管的陰極連接;
所述第八二極管的陽極與所述第二主控開關的另一側,以及位于所述輸出端低側的所述第四電感的一側連接;
所述第五電容的正極與所述第三電感的另一側連接;所述第五電容的負極與所述第四電感的另一側連接。
6.根據權利要求5所述的對稱雙二次型降壓DC-DC變換器,其特征在于,當所述第一電感、所述第二電感、所述第三電感和所述第四電感均處于電流連續狀態時,在一個開關周期內,所述輸入側地與所述輸出側地間的電壓差恒定。
7.根據權利要求5所述的對稱雙二次型降壓DC-DC變換器,其特征在于,所述第三電感和所述第四電感的感量相等。
8.根據權利要求1所述的對稱雙二次型降壓DC-DC變換器,其特征在于,所述第一主控開關和所述第二主控開關為硅基MOSFET、碳化硅MOSFET、氮化鎵MOSFET、絕緣柵雙極型晶體管及智能功率模組中的一種。
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