[發明專利]半導體器件及其制造方法

在審

• 申請號: 202110976116.9
• 申請日: 2021-08-24
• 公開（公告）號: CN114068581A
• 公開（公告）日: 2022-02-18
• 發明（設計）人: 吳國暉;莊惠中;陳志良;田麗鈞
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/118
• 分類號: H01L27/118
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

本發明的實施例提供了一種半導體器件，包括一個或多個有源半導體組件，其中，正面定義在半導體襯底上方，背面定義在半導體襯底下方。正面電源軌形成于所述半導體器件的正面，并且被配置為接收第一參考電源電壓。第一和第二背面電源軌形成于半導體襯底的背面，并且被配置為接收相應的第二和第三參考電源電壓。第一，第二和第三參考電源電壓是不同的。本發明的實施例還提供了一種制造半導體器件的方法。

技術領域

本發明的實施例總體涉及半導體領域，更具體地，涉及半導體器件及其制造方法。

背景技術

半導體集成電路(IC)行業已經生產了各種各樣的模擬和數字設備，以解決許多不同領域的問題。隨著IC變得越來越小和越來越復雜，這些模擬和數字設備的工作電壓會降低，從而影響這些數字設備的工作電壓和整體IC 性能。

發明內容

本發明的一個方面提供了一種半導體器件，包括：半導體襯底，包括一個或多個有源半導體部件，其中，正面限定在所述半導體襯底上方并且背面限定在所述半導體襯底下方；第一正面電源軌，位于所述半導體襯底的所述正面，所述第一正面電源軌被配置為接收第一參考電源電壓；以及第一背面電源軌和第二背面電源軌，位于所述半導體襯底的所述背面；所述第一背面電源軌被配置為接收第二參考電源電壓；和所述第二背面電源軌被配置為接收第三參考電源電壓；以及其中，所述第一參考電源電壓、所述第二參考電源電壓和所述第三電源參考電壓彼此不同。

本發明的另一個方面提供了一種半導體器件，包括：半導體襯底，包括一個或多個有源半導體部件，其中，正面限定在所述半導體襯底上方并且背面限定在所述半導體襯底下方；第一背面電源軌、第二背面電源軌和第三背面電源軌，位于所述半導體襯底的所述背面；以及其中：所述第一背面電源軌被配置為接收第一參考電源電壓；所述第二背面電源軌被配置為接收第二參考電源電壓；和所述第三背面電源軌被配置為接收第三參考電源電壓，其中，所述第一參考電源電壓、所述第二參考電源電壓和所述第三參考電源電壓彼此不同。

本發明的又一個方面提供了一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：提供具有沿第一方向對應延伸的第一有源區和第二有源區的半導體襯底；配置所述第一有源區以具有第一導電性；配置所述第二有源區以具有第二導電性；正面限定在所述半導體襯底上方，背面限定在所述半導體襯底下方；在所述正面形成第一正面導線；配置所述第一正面導線以接收輸入信號或提供輸出信號；在所述正面形成第一正面電源軌；配置所述第一正面電源軌以接收第一參考電源電壓；在所述背面形成第一背面電源軌；配置所述第一背面電源軌以接收第二參考電源電壓；以及在所述正面形成第一柵電極，所述第一柵電極沿與所述第一方向正交的所述第二方向延伸；設置所述第一柵電極以在所述第一有源區中定義第一漏/源區和第二漏/源區，在所述第二有源區中定義第三漏/源區和第四漏/源區；將所述第一柵電極連接至所述第一正面導線；將所述第一漏/源區或所述第二漏/源區連接至所述第一正面電源軌；以及將所述第三漏/源區或所述第四漏/源區連接到所述第一背面電源軌。

附圖說明

當結合附圖進行閱讀時，從以下詳細描述可最佳地理解本發明的各個方面。應該注意，根據工業中的標準實踐，各個部件未按比例繪制。實際上，為了清楚的討論，各種部件的尺寸可以被任意增大或減小。

圖1A是根據本公開的實施例的半導體器件的塊圖。

圖1B是根據一些實施例的截面圖。

圖2是根據一些實施例的集成電路(IC)電路。

圖3A和圖3B是根據一些實施例示出的單元的對應布局圖。

圖3C是根據一些實施例的半導體器件的示意圖。

圖3D是根據一些實施例的沿著圖3C截線的截面圖。

圖4A和圖4B是根據一些實施例示出的鄰接單元的對應布局圖。

圖5A和圖5B是根據一些實施例示出的鄰接單元的對應布局圖。