[發明專利]基于對共同鄰近方法至多晶系推廣的缺陷檢索方法及系統有效
| 申請號: | 202110975207.0 | 申請日: | 2021-08-24 |
| 公開(公告)號: | CN113903406B | 公開(公告)日: | 2023-03-10 |
| 發明(設計)人: | 曾雉;汪瑜;張傳國;袁偉偉;屈方 | 申請(專利權)人: | 中國科學院合肥物質科學研究院 |
| 主分類號: | G16C20/20 | 分類號: | G16C20/20;G16C20/40;G16C20/70;G16C20/90 |
| 代理公司: | 合肥市浩智運專利代理事務所(普通合伙) 34124 | 代理人: | 張景云 |
| 地址: | 230031 安徽*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基于 共同 鄰近 方法 至多 晶系 推廣 缺陷 檢索 系統 | ||
1.基于對共同鄰近方法至多晶系推廣的缺陷檢索方法,其特征在于,包括以下步驟:
步驟1.得到晶體的空間群結構,對空間群結構進行平移變換,得到最簡晶胞結構;
步驟2.對精簡后的晶胞結構計算近鄰距離及個數;對近鄰數個數進行統計,得到12近鄰、14近鄰、同時具有12近鄰和14近鄰的三種情況,累計出現12或14時,保留此時近鄰距離r1和下一個近鄰距離r2;
步驟3.根據近鄰個數進行逐個篩選,得到有缺陷原子和無缺陷原子;
3.1對于累計近鄰數12時用FCC和HCP結構的配位數進行篩選,截止半徑選擇
3.2對于累計近鄰數14時用BCC結構的配位數進行篩選,截止半徑選擇
3.3對于又有12近鄰和14近鄰的,先采用步驟3.1的方法篩選出有缺陷原子,在有缺陷原子中,再采用驟3.2的方法進行進一步篩選;
步驟4.針對步驟3篩選得到的有缺陷原子,先利用位錯檢索方法區別出晶界面和層錯界面,然后再對層錯和孿晶結果進行分類;
所述步驟4的具體過程為:
利用位錯檢索方法區別出晶界面和層錯界面,然后再通過步驟4.1、4.2對層錯和孿晶結果進行分類;
4.1對于無缺陷結構的原子進行CSP數據統計
先對無缺陷結構的原子,進行中心對稱參數數據統計,選取最近鄰數,并對前三個峰值的數據進行記錄,利用OVITO軟件,選取第四個峰值處做上界,進行著色;
4.2對于有缺陷結構原子進行中心對稱參數數據統計,選取最近鄰數,并對第四個峰值處設置著色上界,然后與步驟4.1中著色后的無缺陷結構原子進行比對,得到孿晶和層錯缺陷。
2.根據權利要求1所述的基于對共同鄰近方法至多晶系推廣的缺陷檢索方法,其特征在于,所述步驟1中,對于大分子晶體,采取取質心的方式進行精簡空間群結構;對于化合物原子晶體,采取保留主元素的方式精簡空間群結構。
3.根據權利要求1所述的基于對共同鄰近方法至多晶系推廣的缺陷檢索方法,其特征在于,所述步驟2中,對精簡后的晶胞結構進行正負方向擴一個單位,得到8個晶胞,對8個晶胞進行近鄰個數計算。
4.根據權利要求1至3任一所述的基于對共同鄰近方法至多晶系推廣的缺陷檢索方法,其特征在于,在步驟1之前還包括獲取模型的晶格常數值及對應角度,判斷是否為FCC,BCC,HCP,DIAMOND其中一種結構,若是,則采用CAN方法和DXA方法分析晶體產生的位錯和晶界,然后執行步驟4;若否,則依次執行步驟1至步驟4。
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