[發明專利]用于控制具有共享通道的多個量子比特的有效脈沖整形

在審

• 申請號: 202110973891.9
• 申請日: 2021-08-24
• 公開（公告）號: CN114254754A
• 公開（公告）日: 2022-03-29
• 發明（設計）人: S·佩勒拉諾;J·P·G·范迪克;B·帕特拉;M·巴貝;F·塞巴斯蒂亞諾;E·沙邦
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: G06N10/00
• 分類號: G06N10/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 丁辰;姜冰

1.一種量子電路組合件，包括：

量子電路部件，所述量子電路部件包括：

第一量子比特裝置，所述第一量子比特裝置與用于控制所述第一量子比特裝置的狀態的第一頻率相關聯，以及

第二量子比特裝置，所述第二量子比特裝置與用于控制所述第二量子比特裝置的狀態的第二頻率相關聯；

共享傳輸通道，所述共享傳輸通道被配置成支持信號脈沖的傳播，所述信號脈沖被配置成控制所述第一量子比特裝置的所述狀態和所述第二量子比特裝置的所述狀態；以及

信號脈沖生成電路，所述信號脈沖生成電路被配置成生成將在所述共享傳輸通道上傳播的信號脈沖，所述信號脈沖用于控制所述第一量子比特裝置的所述狀態，所述信號脈沖具有：

中心頻率，所述中心頻率基本上等于所述第一頻率，

帶寬，所述帶寬包括所述第二頻率，以及

凹陷，所述凹陷在基本上等于所述第二頻率的頻率處。

2.根據權利要求1所述的量子電路組合件，其中，所述信號脈沖在比所述凹陷的所述頻率更低的頻率處具有多個頻率分量，并且具有比在所述凹陷的所述頻率處的功率譜密度更高的功率譜密度。

3.根據權利要求1所述的量子電路組合件，其中，所述信號脈沖在比所述凹陷的所述頻率更高的頻率處具有多個頻率分量，并且具有比在所述凹陷的所述頻率處的功率譜密度更高的功率譜密度。

4.根據權利要求1-3中任一項所述的量子電路組合件，其中：

所述量子電路部件進一步包括第三量子比特裝置，所述第三量子比特裝置與將用于控制所述第三量子比特裝置的狀態的第三頻率相關聯，

所述共享傳輸通道進一步被配置成支持信號脈沖的傳播，所述信號脈沖被配置成控制所述第三量子比特裝置的所述狀態，

所述信號脈沖的所述帶寬包括所述第三頻率，以及

所述信號脈沖在基本上等于所述第三頻率的頻率處具有另外的凹陷。

5. 根據權利要求1-3中任一項所述的量子電路組合件，進一步包括控制邏輯，所述控制邏輯被配置成：

獲得對所述第二量子比特裝置的所述狀態的改變的測量，所述改變響應于在所述共享傳輸通道上傳播的所述信號脈沖，以及

基于對所述第二量子比特裝置的所述狀態的所述改變的所述測量來調整所述信號脈沖的至少一個參數。

6.根據權利要求5所述的量子電路組合件，其中，所述信號脈沖的所述至少一個參數包括以下項中的一項或多項：所述凹陷的所述頻率、所述中心頻率、所述帶寬、以及所述信號脈沖的相位響應。

7.根據權利要求5所述的量子電路組合件，其中，所述控制邏輯被配置成使以下項的序列迭代兩次或更多次：獲得對所述第二量子比特裝置的所述狀態的所述改變的所述測量以及調整所述信號脈沖的所述至少一個參數。

8.根據權利要求7所述的量子電路組合件，其中，使所述序列迭代兩次或更多次包括使所述序列迭代預定義次數。

9.根據權利要求7所述的量子電路組合件，其中，使所述序列迭代兩次或更多次包括使所述序列迭代直到所述第二量子比特裝置的所述狀態的所述改變滿足至少一個準則。

10.根據權利要求9所述的量子電路組合件，其中，所述至少一個準則包括所述第二量子比特裝置的所述狀態的所述改變在容限內，所述改變響應于在所述共享傳輸通道上傳播的所述信號脈沖。

11.根據權利要求9所述的量子電路組合件，其中，所述至少一個準則是預定義的。

12.根據權利要求9所述的量子電路組合件，其中，所述至少一個準則是動態定義的。

13.根據權利要求5所述的量子電路組合件，其中，所述量子電路部件和所述控制邏輯被設置在單個集成電路（IC）封裝中。