[發明專利]使用光學鏈路進行的封裝外高密度、高帶寬存儲器存取

在審

• 申請號: 202110973637.9
• 申請日: 2021-08-24
• 公開（公告）號: CN114256224A
• 公開（公告）日: 2022-03-29
• 發明（設計）人: M·K·庫馬什卡爾;D·蘇巴雷迪;A·塔庫爾;M·A·侯塞恩;A·那拉馬爾普;C·G·蒂倫;D·S·克羅登;K·P·馬;S·Y·舒馬拉耶夫;S·薩內;C·歐基夫
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L25/18
• 分類號: H01L25/18;G02B6/42
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 鄔少俊

1.一種封裝，包括：

片上系統(SOC)；

與所述SOC電耦合的光學物理層(PHY)管芯；

其中，所述光學PHY管芯與另一封裝上的PHY管芯光學耦合，以使用光學鏈路在所述SOC和所述另一封裝之間提供高帶寬通信。

2.根據權利要求1所述的封裝，其中，所述光學PHY管芯使用以下各項中選擇的一個與所述SOC耦合：嵌入式多管芯互連橋(EMIB)或內插器。

3.根據權利要求1所述的封裝，其中，所述PHY管芯是多個PHY管芯。

4.根據權利要求3所述的封裝，其中，所述多個PHY管芯分別光學耦合到所述另一封裝上的多個PHY管芯。

5.根據權利要求3所述的封裝，其中，所述另一封裝包括多個其他封裝，所述多個其他封裝包括一個或多個PHY管芯；并且其中，所述多個PHY管芯分別光學耦合到所述多個其他封裝的所述一個或多個PHY管芯的子集。

6.根據權利要求1、2、3、4或5所述的封裝，其中，所述另一封裝是大型光學連接的存儲器裝置(LOCM)，所述大型光學連接的存儲器裝置(LOCM)包括：

與所述光學PHY管芯耦合的存儲器控制器；

與所述存儲器控制器耦合的存儲器。

7.根據權利要求6所述的封裝，其中，所述存儲器還包括雙倍數據速率(DDR)存儲器、圖形雙倍數據速率(GDDR)存儲器或存儲卡讀取器(MCR)。

8.根據權利要求1所述的封裝，其中，高帶寬包括1太比特(Tb)或更高的速度；并且其中，所述存儲器的密度為16吉比特(Gb)或更高。

9.根據權利要求6所述的封裝，其中，所述光學PHY管芯是光學瓦片。

10.一種封裝，包括：

光學物理層(PHY)管芯；

與所述PHY管芯電耦合的片上系統(SOC)，其中，所述SOC包括：

存儲器控制器；以及

與所述存儲器控制器耦合的存儲器；并且

其中，所述光學PHY管芯與另一封裝上的PHY管芯光學耦合，以使用光學鏈路在所述SOC和所述另一封裝之間提供高帶寬存儲器存取。

11.根據權利要求10所述的封裝，其中，所述存儲器還包括雙倍數據速率(DDR)存儲器、圖形雙倍數據速率(GDDR)存儲器或存儲卡讀取器(MCR)。

12.根據權利要求10所述的封裝，其中，所述SOC還包括與所述存儲器控制器和所述存儲器耦合的處理器。

13.根據權利要求10所述的封裝，其中，所述光學PHY管芯是多個光學PHY管芯。

14.根據權利要求13所述的封裝，其中，所述多個光學PHY管芯分別光學耦合到所述另一封裝上的多個PHY管芯。

15.根據權利要求14所述的封裝，其中，所述另一封裝包括多個其他封裝，所述多個其他封裝包括一個或多個PHY管芯；并且其中，所述多個分別光學耦合到所述多個其他封裝的所述一個或多個PHY管芯的子集。