[發(fā)明專利]一種振蕩器電路

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110973086.6
• 申請日: 2021-08-24
• 公開（公告）號: CN113659963A
• 公開（公告）日: 2021-11-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 郝報田
• 申請（專利權(quán)）人: 郝報田
• 主分類號: H03K3/011
• 分類號: H03K3/011;H03K3/012;H03K3/017;H03K3/03
• 代理公司: 深圳市洪荒之力專利代理有限公司 44541
• 代理人: 莊露露

本發(fā)明公開了一種振蕩器電路，涉及集成電路設(shè)計領(lǐng)域，該振蕩器電路包括：漏電補償模塊，用于與參考電流產(chǎn)生模塊耦合，對參考電流產(chǎn)生模塊中成比例的漏電流進行補償；參考電流產(chǎn)生模塊，用于產(chǎn)生和溫度成反比的電流，加強高溫下電路精度；與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明提出自偏置技術(shù)，避免了額外電流源輸入的需求，不僅降低了功耗，還節(jié)省了面積與成本；把器件漏電流注入到參考電流產(chǎn)生電路中，通過調(diào)節(jié)延時單元偏置電流，使延時單元延時與漏電流相關(guān)，進而解決了振蕩器時鐘頻率在高溫偏移的問題；把兩級差分電路組成的延時單元耦合到參考電流產(chǎn)生電路中，不僅節(jié)約了功耗，還改善了輸出時鐘占空比。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及集成電路設(shè)計領(lǐng)域，具體是一種振蕩器電路。

背景技術(shù)

振蕩電流是一種大小和方向都隨周期發(fā)生變化的電流，能產(chǎn)生振蕩電流的電路就叫做振蕩電路。振蕩器電路作為芯片時鐘源，為芯片部分或者全局?jǐn)?shù)字、模擬電路提供參考時鐘，振蕩器本身輸出時鐘占空比、頻率精度以及自身功耗是重要指標(biāo)。

目前振蕩器電路技術(shù)具有以下缺點：（1）：受器件漏電流影響，高溫下頻率偏移較多，精度不理想；（2）：需要偏置電流或者額外獨立的偏置電流產(chǎn)生電路，很難做到低功耗；（3）：采用單端輸入、輸出環(huán)形振蕩器，輸出時鐘占空比不理想，需要改進。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種振蕩器電路，以解決上述背景技術(shù)中提出的問題。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：

一種振蕩器電路，包括：

漏電補償模塊，用于與參考電流產(chǎn)生模塊耦合，對參考電流產(chǎn)生模塊中成比例的漏電流進行補償；

參考電流產(chǎn)生模塊，用于產(chǎn)生和溫度成反比的電流，加強高溫下電路精度；

第一延時模塊，用于與參考電流產(chǎn)生模塊耦合，形成電流復(fù)用，差分輸入電壓信號，延時后差分輸出；

第二延時模塊，用于與參考電流產(chǎn)生模塊耦合，形成電流復(fù)用，差分輸入電壓信號，延時后差分輸出；

第一延時模塊和第二延時模塊共同構(gòu)成延時單元，延時單元至少含有兩個延時模塊，共同構(gòu)成環(huán)形振蕩器；

漏電補償模塊連接參考電流產(chǎn)生模塊，參考電流產(chǎn)生模塊連接延時單元。

作為本發(fā)明再進一步的方案：漏電補償模塊包括MOS管PM5B、MOS管PM5A、MOS管PM6B、MOS管PM6A、MOS管PM1C、MOS管NM4B、MOS管NM4A，MOS管PM5B的S極連接MOS管PM5A的S極、MOS管PM1C的S極、MOS管PM1C的G極、電壓VDD，MOS管PM5B的G極連接MOS管PM5B的D極、MOS管PM6B的S極，MOS管PM5A的D極連接MOS管PM6A的S極，MOS管PM6A的G極連接MOS管PM6B的G極、MOS管PM6B的D極、MOS管NM4B的D極，MOS管NM4B的G極連接MOS管NM4A的G極、MOS管NM4A的D極、MOS管PM1C的D極。

作為本發(fā)明再進一步的方案：參考電流產(chǎn)生模塊包括MOS管PM1A、MOS管PM1B、MOS管NM1A、MOS管PM0、電阻R0、MOS管NM1B，MOS管PM1A的S極連接MOS管PM1B的S極、電壓VDD，MOS管PM1A的G極連接MOS管PM1B的G極、MOS管PM1C的G極、MOS管PM1B的D極、MOS管NM1B的D極，MOS管PM1A的D極連接MOS管NM1A的D極、MOS管NM1A的G極、MOS管PM6A的D極、MOS管NM1B的G極，MOS管NM1A的S極連接MOS管PMD的S極，MOS管NM1B的S極連接電阻R0，電阻R0的另一端接地。

作為本發(fā)明再進一步的方案：第一延時模塊包括放大器U1、MOS管NM2A、MOS管NM2B，放大器U1的第四端連接MOS管NM2A的D極，放大器U1的第三端連接MOS管NM2B的D極，MOS管NM2A的S極連接MOS管NM2B的S極，MOS管NM2A的G極連接MOS管NM2B的G極。