[發明專利]清理離子布植機內部氟化表面的方法及裝置

有效

• 申請號: 202110972639.6
• 申請日: 2019-10-15
• 公開（公告）號: CN113663988B
• 公開（公告）日: 2023-09-05
• 發明（設計）人: 蘇義翔;史蒂芬·R·瓦爾特;黃啟銘;吳志強
• 申請（專利權）人: 漢辰科技股份有限公司
• 主分類號: B08B7/04
• 分類號: B08B7/04;B08B7/00;H01J37/317
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 徐迪;徐偉

1.一種清理離子布植機內部氟化表面的方法，其特征在于，包括以下步驟：

在離子布植機內部提供含硼離子束的離子束來源，其中，所述含硼離子束包括硼離子束及二氟化硼離子束；

將所述含硼離子束自所述離子束來源傳送到具有氟化表面的內部元件，藉以使得所述含硼離子束被引導到所述氟化表面，以在每次使用含氟離子束進行離子布植后，便使用所述硼離子束進行一次清理；以及

在每使用所述硼離子束進行數次清理后，便使用所述二氟化硼離子束進行一次清理，然后再恢復交替進行使用所述含氟離子束的離子布植以及使用所述硼離子束的清理。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括以下步驟：

調整自所述離子束來源所輸出的所述含硼離子束的軌跡與輪廓，藉以增加將形成在具有氟化表面的所述內部元件上的氟化材料徹底地移除的機率。

3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述調整自所述離子束來源所輸出的所述含硼離子束的軌跡與輪廓的步驟包括：

增大所述含硼離子束的尺寸，以調整自所述離子束來源所輸出的所述含硼離子束的輪廓；和/或

擺動所述含硼離子束，以調整自所述離子束來源所輸出的所述含硼離子束的輪廓。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述硼離子束的能量介于1Kev到40Kev之間并且電流為5微安培，將所述內部元件的溫度加熱到攝氏250度到攝氏300度以進行所述清理。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述含氟離子束為能量不大于1Kev的氟離子束，所述硼離子束的能量介于1Kev到40Kev間，所述二氟化硼離子束的能量介于1KeV到40Kev之間，并且使用所述二氟化硼離子束的單次清理時間長于使用所述硼離子束時的單次清理時間。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括以下步驟：

在提供所述含硼離子束的離子束來源的同時提供溫度調節裝置，所述溫度調節裝置對應到所述具有氟化表面的內部元件；以及

使用所述溫度調節裝置來調節所述內部元件的溫度，藉以加速氟化材料與所述含硼離子束彼此間的反應速率。

7.如權利要求6所述的方法，其特征在于，所述使用所述溫度調節裝置來調節所述內部元件的溫度的步驟包括至少下列之一：

使用接觸式加熱、非接觸式加熱、接觸式冷卻與非接觸式冷卻中的至少一個來調節所述內部元件的溫度；

導引電流通過所述內部元件來調節所述內部元件的溫度；以及

讓所述內部元件直接輻射冷卻來調節所述內部元件的溫度。

8.如權利要求7所述的方法，其特征在于，所述使用接觸式加熱、非接觸式加熱、接觸式冷卻與非接觸式冷卻中的至少一個來調節所述內部元件的溫度的步驟包括至少下列之一：

使用與所述內部元件直接接觸的電熱器來調節所述內部元件的溫度；

讓加熱流體直接流經所述內部元件來調節所述內部元件的溫度；

讓冷卻流體直接流經所述內部元件來調節所述內部元件的溫度；

使用紅外線燈、紫外線燈、可見光燈、熱電絲、激光與能夠發出電磁輻射的光源的至少一者來調節所述內部元件的溫度；

讓所述內部元件與已冷卻的硬件相互接觸來調節所述內部元件的溫度；

讓所述內部元件鄰近于冷擬板來調節所述內部元件的溫度；

使用石墨加熱器來調節所述內部元件的溫度，其中，支架被用來阻絕來自所述石墨加熱器的熱，并且通孔被用來提供真空環境與大氣環境之間導熱管與電纜線的橋接；

使用由嵌入到二片石墨板之間的在電流流經時產生熱量的金屬片來調節所述內部元件的溫度；

使用位于反應室外部的加熱器來調節所述內部元件的溫度；以及

使用位于反應室外部的加熱光源總成來調節所述內部元件的溫度，其中，所述加熱光源總成面對所述內部元件的一面存在有多個光源，窗戶總成被嵌入在反應室腔壁并直接面對加熱光源總成部分，藉以使得所述光源所發射出的電磁輻射能夠通過窗戶總成而抵達位于所述反應室內部的所述內部元件，進而調節所述內部元件的溫度。