[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110972491.6
• 申請日: 2021-08-24
• 公開（公告）號: CN114388500A
• 公開（公告）日: 2022-04-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李元赫;樸鐘撤;樸商德;申洪湜;李道行
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/088
• 分類號: H01L27/088;H01L23/48;H01L23/528
• 代理公司: 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 尹淑梅;任旭

公開了一種半導(dǎo)體裝置。所述半導(dǎo)體裝置包括：第一源極/漏極圖案和第二源極/漏極圖案，在有源圖案上且彼此分隔開；第一源極/漏極接觸件，在第一源極/漏極圖案上且包括第一源極/漏極阻擋膜和在第一源極/漏極阻擋膜上的第一源極/漏極填充膜；第二源極/漏極接觸件，在第二源極/漏極圖案上；以及柵極結(jié)構(gòu)，在第一源極/漏極接觸件與第二源極/漏極接觸件之間在有源圖案上且包括柵電極，其中，第一源極/漏極接觸件的頂表面比柵極結(jié)構(gòu)的頂表面低，并且從有源圖案的頂表面到第一源極/漏極阻擋膜的頂表面的高度比從有源圖案的頂表面到第一源極/漏極填充膜的頂表面的高度小。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及一種半導(dǎo)體裝置及其制造方法。

背景技術(shù)

隨著信息媒體的迅速普及，半導(dǎo)體裝置的功能也在飛速發(fā)展。對于最近的半導(dǎo)體產(chǎn)品，為了確保競爭力，可能期望較低的成本，并且為了產(chǎn)品質(zhì)量，可能期望較高的集成度。對于高集成度，半導(dǎo)體裝置正在按比例縮小。

同時，隨著半導(dǎo)體裝置的間距尺寸減小，減小電容且確保半導(dǎo)體裝置中的接觸件之間的電穩(wěn)定性可能越來越重要。

發(fā)明內(nèi)容

本公開的實施例提供了一種能夠改善性能和可靠性的半導(dǎo)體裝置。

本公開的實施例還提供了一種制造能夠改善性能和可靠性的半導(dǎo)體裝置的方法。

然而，本公開的實施例不限于在此所闡述的實施例。通過參照下面給出的本公開的具體實施方式，本公開的以上和其它實施例對于本公開所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將變得更加明顯。

根據(jù)本公開的實施例，提供了一種半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置包括：第一源極/漏極圖案和第二源極/漏極圖案，在有源圖案上且彼此分隔開；第一源極/漏極接觸件，在第一源極/漏極圖案上且包括第一源極/漏極阻擋膜和在第一源極/漏極阻擋膜上的第一源極/漏極填充膜；第二源極/漏極接觸件，在第二源極/漏極圖案上；以及柵極結(jié)構(gòu)，在第一源極/漏極接觸件與第二源極/漏極接觸件之間在有源圖案上且包括柵電極，其中，相對于有源圖案的頂表面，第一源極/漏極接觸件的頂表面比柵極結(jié)構(gòu)的頂表面低，并且從有源圖案的頂表面到第一源極/漏極阻擋膜的頂表面的高度比從有源圖案的頂表面到第一源極/漏極填充膜的頂表面的高度小。

根據(jù)本公開的前述和其它實施例，提供了一種半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置包括：基底，包括有源區(qū)和場區(qū)；至少一個有源圖案，在有源區(qū)中，至少一個有源圖案從基底突出且在第一方向上延伸；柵極結(jié)構(gòu)，在有源區(qū)中，柵極結(jié)構(gòu)包括與至少一個有源圖案交叉且在第二方向上延伸的柵電極；源極/漏極圖案，在至少一個有源圖案上；柵極接觸件，在柵電極上，其中，柵極接觸件的至少一部分在有源區(qū)上；源極/漏極接觸件，在源極/漏極圖案上；以及布線結(jié)構(gòu)，在源極/漏極接觸件上且電連接到源極/漏極接觸件，其中，源極/漏極接觸件包括一體的第一部分和第二部分，源極/漏極接觸件的第二部分的頂表面的高度比源極/漏極接觸件的第一部分的頂表面的高度大，布線結(jié)構(gòu)在源極/漏極接觸件的第二部分上，源極/漏極接觸件包括源極/漏極填充膜和沿著源極/漏極填充膜的側(cè)壁和底表面延伸的源極/漏極阻擋膜，并且在源極/漏極接觸件的第一部分中，源極/漏極阻擋膜不在源極/漏極填充膜的全部側(cè)壁上。