[發(fā)明專利]一種用于改進(jìn)諧波的射頻開關(guān)電路在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110972441.8 | 申請日： | 2021-08-24 |
| 公開（公告）號： | CN113572467A | 公開（公告）日： | 2021-10-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 沈宇;管劍鈴;謝婷婷;王玉嬌;周德杭;倪成東;倪文海;徐文華 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海迦美信芯通訊技術(shù)有限公司 |
| 主分類號： | H03K17/687 | 分類號： | H03K17/687;H03K17/10;H03K17/16 |
| 代理公司： | 上海創(chuàng)開專利代理事務(wù)所(普通合伙) 31374 | 代理人： | 李蘭蘭 |
| 地址： | 201203 上海市浦東新區(qū)中國（上海）*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 用于 改進(jìn) 諧波 射頻 開關(guān)電路 | ||
1.一種用于改進(jìn)諧波的射頻開關(guān)電路，其特征在于，包括：
串聯(lián)支路模塊：包括2N個第一開關(guān)晶體管(M11)、2N個第一源漏電阻(Rds1)、2N個柵極偏置電阻(R11)、2N個體區(qū)偏置電阻(R12)、2N-1個第一柵極串聯(lián)電阻(R21)、2N-1個體區(qū)串聯(lián)電阻(R22)、一個第一柵極公共端電阻(R31)以及一個體區(qū)公共端電阻(R32)；所述N為正整數(shù)；第1級第一開關(guān)晶體管(M11)的漏極與第一射頻輸入輸出端口(RF1)相連，第1級第一開關(guān)晶體管(M11)的源極與第二級第一開關(guān)晶體管(M11)的漏極相連，第1級第一開關(guān)晶體管(M11)的源極、漏極分別與第一源漏電阻(Rds1)的兩端相連；第1級第一開關(guān)晶體管(M11)的柵極與第1級柵極偏置電阻(R11)的一端相連，第1級柵極偏置電阻(R11)的另一端與第1級第一柵極串聯(lián)電阻(R21)的一端相連；第1級第一開關(guān)晶體管(M11)的體區(qū)與第1級體區(qū)偏置電阻(R12)的一端相連，第1級體區(qū)偏置電阻(R12)的另一端與第1級體區(qū)串聯(lián)電阻(R22)的一端相連；第二級至第2N-1級的的第一開關(guān)晶體管(M11)、第一源漏電阻(Rds1)、柵極偏置電阻(R11)、第一柵極串聯(lián)電阻(R21)、體區(qū)偏置電阻(R12)、體區(qū)串聯(lián)電阻(R22)的連接方式按照以上所述連接進(jìn)行類推連接；第2N級第一開關(guān)晶體管(M11)的漏極與第2N-1級第一開關(guān)晶體管(M11)的源極相連，第2N級第一開關(guān)晶體管(M11)的源極與第二射頻輸入輸出端口(RF2)相連，第2N級第一開關(guān)晶體管(M11)的源極、漏極分別與第一源漏電阻(Rds1)的兩端相連，第2N級第一開關(guān)晶體管(M11)的柵極與第2N級柵極偏置電阻(R11)的一端相連，第2N級柵極偏置電阻(R11)的另一端與第2N-1級第一柵極串聯(lián)電阻(R21)的一端相連；第2N級第一開關(guān)晶體管(M11)的體區(qū)與第2N 級體區(qū)偏置電阻(R12)的一端相連，第2N級體區(qū)偏置電阻(R12)的另一端與第2N-1級體區(qū)串聯(lián)電阻(R22)的一端相連；
并聯(lián)支路模塊：包括2M個第二開關(guān)晶體管(M12)、2M個偏置晶體管(M2)、2M個第二源漏電阻(Rds2)、2M個第二柵極偏置電阻(R4)、2M-1個第二柵極串聯(lián)電阻(R5)和1個第二柵極公共端電阻(R6)；所述M為正整數(shù)；第1級第二開關(guān)晶體管(M12)的漏極與第一射頻輸入輸出端口(RF1)相連，第1級第二開關(guān)晶體管(M12)的源極與第2級第二開關(guān)晶體管(M12)的漏極相連，第1級第二開關(guān)晶體管(M12)的源極、漏極分別與第二源漏電阻(Rds2)的兩端相連，第1級第二開關(guān)晶體管(M12)的體區(qū)與第1級偏置晶體管(M2)的漏極相連，第1級偏置晶體管(M2)的漏極與柵極相連，第1級偏置晶體管(M2)的源極與第1級第二開關(guān)晶體管(M12)的柵極相連，第1級第二開關(guān)晶體管(M12)的柵極與第1級柵極偏置電阻(R4)的一端相連，第1級柵極偏置電阻(R4)的另一端與第1級第二柵極串聯(lián)電阻(R5)的一端相連；以此類推，第2級到第2M-1級的第二開關(guān)晶體管(M12)、偏置晶體管(M2)、第二源漏電阻(Rds2)、第二柵極偏置電阻(R4)、第二柵極串聯(lián)電阻(R5)的連接方式與以上所述相同；
所述第2M級第二開關(guān)晶體管(M12)的漏極與第2M-1級第二開關(guān)晶體管(M12)的源極相連，第2M級第二開關(guān)晶體管(M12)的源極與地相連，第2M級第二開關(guān)晶體管(M12)的源極、漏極分別與第二源漏電阻(Rds2)的兩端相連，第2M級第二開關(guān)晶體管(M12)的體區(qū)與第2M級偏置晶體管(M2)的漏極相連，第2M級偏置晶體管(M2)的漏極與柵極相連，第2M級偏置晶體管(M2)的源極與第2M級第二開關(guān)晶體管(M12)的柵極相連，第2M 級第二開關(guān)晶體管(M12)的柵極與第2M級偏置晶體管(M2)的一端相連，第2M級第二柵極偏置電阻(R4)的另一端與第2M-1級第二柵極串聯(lián)電阻(R5)的一端相連。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于改進(jìn)諧波的射頻開關(guān)電路，其特征在于，所述第N級柵極偏置電阻(R11)的一端與第一柵極公共端電阻(R31)的一端相連，所述第一柵極公共端電阻(R31)的另一端與柵極控制電壓(VG1)相連。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于改進(jìn)諧波的射頻開關(guān)電路，其特征在于，所述第N級體區(qū)偏置電阻(R12)的一端與體區(qū)公共端電阻(R32)的一端相連，所述體區(qū)公共端電阻(R32)的另一端與體區(qū)控制電壓(VG2)相連。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于改進(jìn)諧波的射頻開關(guān)電路，其特征在于，所述第2M級第二柵極偏置電阻(R4)的一端與第二柵極公共端電阻(R6)的一端相連，所述第二柵極公共端電阻(R6)的另一端與柵極控制電壓(VG3)相連。
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