[發(fā)明專利]一種用于優(yōu)化堆疊開關管耐壓均勻性的射頻開關電路在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110972283.6 | 申請日： | 2021-08-24 |
| 公開（公告）號： | CN113472329A | 公開（公告）日： | 2021-10-01 |
| 發(fā)明（設計）人： | 沈宇;管劍鈴;謝婷婷;王玉嬌;周德杭;倪成東;倪文海;徐文華 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海迦美信芯通訊技術(shù)有限公司 |
| 主分類號： | H03K17/10 | 分類號： | H03K17/10;H03K17/687 |
| 代理公司： | 上海創(chuàng)開專利代理事務所(普通合伙) 31374 | 代理人： | 李蘭蘭 |
| 地址： | 201203 上海市浦東新區(qū)中國（上海）*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 用于 優(yōu)化 堆疊 開關 耐壓 均勻 射頻 開關電路 | ||
1.一種用于優(yōu)化堆疊開關管耐壓均勻性的射頻開關電路，其特征在于，包括：
串聯(lián)支路模塊：包括2N個第一開關晶體管(M11)、2N個第一偏置晶體管(M21)、2N個第一源漏電阻(Rds1)、2N個第一柵極偏置電阻(R1)、2N-1個第一柵極串聯(lián)電阻(R2)和1個第一柵極公共端電阻(R3)；所述N為正整數(shù)；第1級第一開關晶體管(M11)的漏極與第一射頻輸入輸出端口(RF1)相連，第1級第一開關晶體管(M11)的源極與第2級第一開關晶體管(M11)的漏極相連，第1級第一開關晶體管(M11)的源極、漏極分別與第一源漏電阻(Rds1)的兩端相連，第1級第一開關晶體管(M11)的體區(qū)與第1級第一偏置晶體管(M21)的漏極相連，第1級第一偏置晶體管(M21)的漏極與柵極相連，第1級第一偏置晶體管(M21)的源極與第1級第一開關晶體管(M11)的柵極相連，第1級第一開關晶體管(M11)的柵極與第1級第一柵極偏置電阻(R1)的一端相連，第1級第一柵極偏置電阻(R1)的另一端與第1級第一柵極串聯(lián)電阻(R2)的一端相連；以此類推，第2級到第2N-1級的第一開關晶體管(M11)、第一偏置晶體管(M21)、第一源漏電阻(Rds1)、第一柵極偏置電阻(R1)、第一柵極串聯(lián)電阻(R2)的連接方式與以上所述相同；所述第2N級第一開關晶體管(M11)的漏極與第2N-1級第一開關晶體管(M11)的源極相連，第2N級第一開關晶體管(M11)的源極與第二射頻輸入輸出端口(RF2)相連，第2N級第一開關晶體管(M11)的源極、漏極分別與第一源漏電阻(Rds1)的兩端相連，第2N級第一開關晶體管(M11)的體區(qū)與第2N級第一偏置晶體管(M21)的漏極相連，第2N級第一偏置晶體管(M21)的漏極與柵極相連，第2N級第一偏置晶體管(M21)的源極與第2N級第一開關晶體管(M11)的柵極相連，第2N級第一開關晶體管(M11)的柵極與第2N級第一柵極偏置電阻(R1)的一端相連，第2N級第一柵極偏置電阻(R1)的另一端與第2N-1級第一柵極串聯(lián)電阻(R2)的一端相連；
并聯(lián)支路模塊：
由2M個第二開關晶體管(M12)、2M個第二偏置晶體管(M22)、2M個第二源漏電阻(Rds2)、2M個第二柵極偏置電阻(R4)、2M-1個第二柵極串聯(lián)電阻(R5)和1個第二柵極公共端電阻(R6)；所述M為正整數(shù)；
所述第1級第二開關晶體管(M12)的漏極與第一射頻輸入輸出端口(RF1)相連，第1級第二開關晶體管(M12)的源極與第2級第二開關晶體管(M12)的漏極相連，第1級第二開關晶體管(M12)的源極、漏極分別與第二源漏電阻(Rds2)的兩端相連，第1級第二開關晶體管(M12)的體區(qū)與第1級第二偏置晶體管(M22)的漏極相連，第1級第二偏置晶體管(M22)的漏極與柵極相連，第1級第二偏置晶體管(M22)的源極與第1級第二開關晶體管(M12)的柵極相連，第1級第二開關晶體管(M12)的柵極與第1級第二柵極偏置電阻(R4)的一端相連，第1級第二柵極偏置電阻(R4)的另一端與第1級第二柵極串聯(lián)電阻(R5)的一端相連；以此類推，第2級到第2M-1級的第二開關晶體管(M12)、第二偏置晶體管(M22)、第二源漏電阻(Rds2)、第二柵極偏置電阻(R4)、第二柵極串聯(lián)電阻(R5)的連接方式與以上相同；所述第2M級第二開關晶體管(M12)的漏極與第2M-1級第二開關晶體管(M12)的源極相連，第2M級第二開關晶體管(M12)的源極與地相連，第2M級第二開關晶體管(M12)的源極、漏極分別與第二源漏電阻(Rds2)的兩端相連，第2M級第二開關晶體管(M12)的體區(qū)與第2M級第二偏置晶體管(M22)的漏極相連，第2M級第二偏置晶體管(M22)的漏極與柵極相連，第2M級第二偏置晶體管(M22)的源極與第2M級第二開關晶體管(M12)的柵極相連，第2M級第二開關晶體管(M12)的柵極與第2M級第二柵極偏置電阻(R4)的一端相連，第2M級第二柵極偏置電阻(R4)的另一端與第2M-1級第二柵極串聯(lián)電阻(R5)的一端相連。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于優(yōu)化堆疊開關管耐壓均勻性的射頻開關電路，其特征在于，所述第N級第一柵極偏置電阻(R1)的一端與第一柵極公共端電阻(R3)的一端相連，所述第一柵極公共端電阻(R3)的另一端與第一柵極控制電壓(VG1)相連。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于上海迦美信芯通訊技術(shù)有限公司，未經(jīng)上海迦美信芯通訊技術(shù)有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110972283.6/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
