[發(fā)明專利]一種集成型高壓隔離電容及數(shù)字電容隔離器

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110971795.0
• 申請(qǐng)日: 2021-08-24
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113889456A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-01-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 唐逢杰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華為數(shù)字能源技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/522
• 分類號(hào): H01L23/522;H01L49/02
• 代理公司: 北京同達(dá)信恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 落愛(ài)青

1.一種集成型高壓隔離電容，其特征在于，包括：

襯底及半導(dǎo)體元器件；

位于所述襯底及半導(dǎo)體元器件一側(cè)的走線層，所述走線層具有用于封裝打線的結(jié)合部；

位于所述走線層背離所述襯底及半導(dǎo)體元器件一側(cè)的至少一個(gè)隔離電容單元，所述隔離電容單元在所述襯底及半導(dǎo)體元器件的垂直投影與所述結(jié)合部在所述襯底及半導(dǎo)體元器件的垂直投影無(wú)交疊；沿所述襯底及半導(dǎo)體元器件指向所述走線層方向，所述隔離電容單元包括依次層疊設(shè)置的下極板、電介質(zhì)結(jié)構(gòu)層和上極板。

2.如權(quán)利要求1所述的集成型高壓隔離電容，其特征在于，所述電介質(zhì)結(jié)構(gòu)層包括第一電介質(zhì)層，所述第一電介質(zhì)層的制備材料為二氧化硅。

3.如權(quán)利要求2所述的集成型高壓隔離電容，其特征在于，沿所述襯底及半導(dǎo)體元器件指向所述走線層方向，所述第一電介質(zhì)層的厚度為1um～12um。

4.如權(quán)利要求1所述的集成型高壓隔離電容，其特征在于，沿所述襯底及半導(dǎo)體元器件指向所述走線層方向，所述電介質(zhì)結(jié)構(gòu)層包括層疊設(shè)置的第一電介質(zhì)層和第二電介質(zhì)層，且所述第一電介質(zhì)層與所述第二電介質(zhì)層中的一個(gè)的制備材料為二氧化硅，另一個(gè)的制備材料為光敏聚酰亞胺。

5.如權(quán)利要求1所述的集成型高壓隔離電容，其特征在于，沿所述襯底及半導(dǎo)體元器件指向所述走線層方向，所述電介質(zhì)結(jié)構(gòu)層包括層疊設(shè)置的第一電介質(zhì)層、第二電介質(zhì)層和第三電介質(zhì)層，且所述第一電介質(zhì)層的制備材料為二氧化硅或者氮化硅中的一種，所述第二電介質(zhì)層的制備材料為光敏聚酰亞胺，所述第三電介質(zhì)層的制備材料為二氧化硅或者氮化硅中的一種。

6.如權(quán)利要求5所述的集成型高壓隔離電容，其特征在于，沿所述襯底及半導(dǎo)體元器件指向所述走線層方向，所述第一電介質(zhì)層的厚度為0.3um～1um，所述第二電介質(zhì)層的厚度為5um～30um，所述第三電介質(zhì)層的厚度為0.3～1um。

7.如權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的集成型高壓隔離電容，其特征在于，所述走線層包括頂層金屬TM，所述TM與所述下極板同層制備。

8.如權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的集成型高壓隔離電容，其特征在于，所述上極板的制備材料為鋁。

9.如權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的集成型高壓隔離電容，其特征在于，還包括位于所述隔離電容單元背離所述走線層一側(cè)的鈍化層。

10.一種數(shù)字電容隔離器，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的集成型高壓隔離電容。