[發明專利]基板的缺陷檢查方法及缺陷檢查裝置在審
| 申請號： | 202110969576.9 | 申請日： | 2021-08-23 |
| 公開（公告）號： | CN114113100A | 公開（公告）日： | 2022-03-01 |
| 發明（設計）人： | 寺澤恒男;稻月判臣;金子英雄 | 申請（專利權）人： | 信越化學工業株式會社 |
| 主分類號： | G01N21/88 | 分類號： | G01N21/88 |
| 代理公司： | 北京路浩知識產權代理有限公司 11002 | 代理人： | 張晶;劉言 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 缺陷 檢查 方法 裝置 | ||
1.一種基板的缺陷檢查方法，具備：
使用第一聚光光學系統向被檢查基板照射從EUV光源發出的EUV光的工序；
使用第二聚光光學系統向傳感器的受光面引導從照射有所述EUV光的所述被檢查基板反射的反射光中的除去正反射光的散射光的工序；以及
當在所述傳感器的受光面接受的所述散射光的強度超過規定的閾值時，判斷為在所述被檢查基板的所述EUV光的照射處存在缺陷的工序，
其特征在于，
在向所述被檢查基板照射所述EUV光之前，預先具有：
反射率獲取工序，獲得所述被檢查基板的EUV光的反射率；以及
閾值運算工序，基于在該反射率獲取工序中獲得的所述反射率確定所述規定的閾值。
2.根據權利要求1所述的基板的缺陷檢查方法，其特征在于，
在所述反射率獲取工序中，
使所述第一聚光光學系統或者所述第二聚光光學系統的結構變化，使用所述第一聚光光學系統向所述被檢查基板照射從所述EUV光源發出的所述EUV光，使用所述第二聚光光學系統向所述傳感器的所述受光面引導來自照射有該EUV光的所述被檢查基板的正反射光，基于在該受光面上的受光強度來獲得所述反射率。
3.根據權利要求2所述的基板的缺陷檢查方法，其特征在于，
當使所述第一聚光光學系統的結構變化時，
使該第一聚光光學系統成為具有鏡的結構，并使該鏡的位置及姿勢變化。
4.根據權利要求1所述的基板的缺陷檢查方法，其特征在于，
在所述反射率獲取工序中，使用反射率計來獲得所述反射率。
5.根據權利要求1所述的基板的缺陷檢查方法，其特征在于，
將所述被檢查基板設置為在表面形成有使所述EUV光反射的多層反射膜的帶多層反射膜的基板。
6.根據權利要求2所述的基板的缺陷檢查方法，其特征在于，
將所述被檢查基板設置為在表面形成有使所述EUV光反射的多層反射膜的帶多層反射膜的基板。
7.根據權利要求3所述的基板的缺陷檢查方法，其特征在于，
將所述被檢查基板設置為在表面形成有使所述EUV光反射的多層反射膜的帶多層反射膜的基板。
8.根據權利要求4所述的基板的缺陷檢查方法，其特征在于，
將所述被檢查基板設置為在表面形成有使所述EUV光反射的多層反射膜的帶多層反射膜的基板。
9.根據權利要求1至8中任一項所述的基板的缺陷檢查方法，其特征在于，
將所述反射率設置為所述被檢查基板的檢查區域整面上的平均值。
10.根據權利要求1至8中任一項所述的基板的缺陷檢查方法，其特征在于，
將所述被檢查基板的檢查區域分割成小區域，
將所述反射率設置為每個所述小區域的平均值，
對每個所述小區域確定所述規定的閾值。
11.根據權利要求1至8中任一項所述的基板的缺陷檢查方法，其特征在于，
將所述第一聚光光學系統及所述第二聚光光學系統分別設置為具有形成有多層反射膜的多個鏡的結構。
12.根據權利要求9所述的基板的缺陷檢查方法，其特征在于，
將所述第一聚光光學系統及所述第二聚光光學系統分別設置為具有形成有多層反射膜的多個鏡的結構。
13.根據權利要求10所述的基板的缺陷檢查方法，其特征在于，
將所述第一聚光光學系統及所述第二聚光光學系統分別設置為具有形成有多層反射膜的多個鏡的結構。
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