[發明專利]一種薄膜晶體管、顯示面板及顯示裝置

在審

• 申請號: 202110969328.4
• 申請日: 2021-08-23
• 公開（公告）號: CN113690322A
• 公開（公告）日: 2021-11-23
• 發明（設計）人: 王利忠;袁廣才;寧策;胡合合;姚念琦;薛大鵬;董水浪;雷利平;許晨
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L23/367;H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1333
• 代理公司: 北京眾達德權知識產權代理有限公司 11570
• 代理人: 王春艷

本申請公開一種薄膜晶體管、顯示面板及顯示裝置，涉及半導體技術領域。薄膜晶體管，包括：金屬層；散熱層，所述金屬層與所述散熱層連接。通過設置散熱層，散熱層與金屬層連接，由于薄膜晶體管的運行需要通過向電極通電，通常較大部分的熱量的產生來自于作為電極的金屬層，散熱層可以直接對薄膜晶體管中發熱的金屬層進行散熱，能夠解決較大電子遷移率的薄膜晶體管的發熱問題。

技術領域

本申請涉及半導體技術領域，尤其涉及一種薄膜晶體管、顯示面板及顯示裝置。

背景技術

在顯示技術領域中，隨著用戶對于高PPI(Pixel Per Inch，像素密度)、高刷新頻率、窄邊框產品的需要，傳統的基于a-Si(amorphous silicon，非晶硅)薄膜晶體管的產品已經無法滿足顯示器件的性能需求，氧化物半導體技術作為最可能替代a-Si產品的新型技術成為目前領域內的研究重點。

然而，目前的氧化物薄膜晶體管的電子遷移率偏低，為滿足高PPI、高刷新頻率、窄邊框的需求，需要增大氧化物薄膜晶體管的電子遷移率，但是增大氧化物薄膜晶體管的電子遷移率，會加劇氧化物薄膜晶體管的發熱現象，進而影響顯示器件的可靠性。因此，如何解決較大電子遷移率的薄膜晶體管的發熱問題，已經成為本領域技術人員亟待解決的技術問題。

發明內容

本申請實施例提供一種薄膜晶體管、顯示面板及顯示裝置，能夠解決較大電子遷移率的薄膜晶體管的發熱問題。

本申請實施例的第一方面，提供一種薄膜晶體管，包括：

金屬層；

散熱層，所述金屬層與所述散熱層連接。

在一些實施方式中，所述金屬層包括柵極金屬層，所述散熱層設置于所述柵極金屬層的至少一側。

在一些實施方式中，薄膜晶體管還包括：有源層；

所述金屬層包括源漏極金屬層，所述源漏極金屬層與所述有源層連接；

所述散熱層設置于所述源漏極金屬層遠離所述有源層的一側。

在一些實施方式中，所述散熱層包括鏤空區域。

在一些實施方式中，制備所述有源層的材料包括金屬氧化物。

在一些實施方式中，制備所述散熱層的材料包括碳基材料。

本申請實施例的第二方面，提供一種顯示面板，包括：

如第一方面所述的薄膜晶體管。

在一些實施方式中，顯示面板還包括：

驅動組件，所述驅動組件與所述薄膜晶體管電連接；

所述驅動組件上設置有第一散熱片。

在一些實施方式中，所述驅動組件包括柔性線路板和驅動芯片，所述驅動芯片設置在所述柔性線路板上；

所述第一散熱片設置在所述驅動芯片背離所述柔性線路板的一側。

在一些實施方式中，顯示面板還包括：

襯底基板，所述薄膜晶體管設置在所述襯底基板的一側；

所述顯示面板包括顯示區和非顯示區，所述非顯示區內的所述襯底基板背離所述薄膜晶體管的一側設置有第二散熱片。

在一些實施方式中，所述非顯示區包括第一非顯示區和第二非顯示區，所述薄膜晶體管為多個，設置在所述第一非顯示區內的所述薄膜晶體管為第一薄膜晶體管；

所述第二非顯示區內設置有驅動連接線，所述第一薄膜晶體管與所述驅動組件通過所述驅動連接線電連接；