[發明專利]一種模塊化多電平變換器電容電壓波動抑制方法在審
| 申請號: | 202110967810.4 | 申請日: | 2021-08-23 |
| 公開(公告)號: | CN113765345A | 公開(公告)日: | 2021-12-07 |
| 發明(設計)人: | 薛花;扈曾輝;王育飛;陳程;田廣平;楊興武;劉波 | 申請(專利權)人: | 上海電力大學 |
| 主分類號: | H02M1/12 | 分類號: | H02M1/12;H02M7/483;H02M7/5387;H02M7/5395 |
| 代理公司: | 上??剖⒅R產權代理有限公司 31225 | 代理人: | 葉敏華 |
| 地址: | 200090 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 模塊化 電平 變換器 電容 電壓 波動 抑制 方法 | ||
1.一種模塊化多電平變換器電容電壓波動抑制方法,其特征在于,包括以下步驟:
S1、建立基于PCHD模型的MMC波動電容電壓狀態方程;
S2、基于步驟S1建立的MMC波動電容電壓狀態方程,進一步構建得到基于PCHD模型的MMC電容電壓波動無源一致性控制器,以得到波動電容電壓控制量;
S3、采用脈沖調制方法對波動電容電壓控制量進行處理,得到相應的觸發脈沖信號;
S4、根據觸發脈沖信號對MMC各相橋臂子模塊的變換器開關狀態進行控制。
2.根據權利要求1所述的一種模塊化多電平變換器電容電壓波動抑制方法,其特征在于,所述步驟S1具體包括以下步驟:
S11、在dq旋轉坐標系下,分別定義狀態變量、輸入變量和輸出變量,其中,狀態變量具體為三相注入環流二倍頻dq軸分量與橋臂電感的乘積,輸入變量具體為三相波動電容電壓dq軸分量,輸出變量具體為三相注入環流二倍頻dq軸分量;
S12、基于定義的狀態變量、輸入變量和輸出變量,建立基于PCHD模型的MMC波動電容電壓狀態方程。
3.根據權利要求2所述的一種模塊化多電平變換器電容電壓波動抑制方法,其特征在于,所述MMC波動電容電壓狀態方程具體為:
x=[x1 x2]T=[Lmicird Lmicirq]T
u=[u1 u2]T=[ucird ucirq]T
y=[y1 y2]T=[icird icirq]T
其中,x為狀態變量,u為輸入變量,y為輸出變量,Lm為橋臂電感,icird、icirq分別為三相注入環流二倍頻d軸和q軸分量,ucird、ucirq分別為三相波動電容電壓d軸和q軸分量,J(x)為互連矩陣,R(x)為阻尼矩陣,g(x)為端口矩陣,H(x)為能量函數,ω0為基波角頻率,Rm為橋臂電阻,為微分算子。
4.根據權利要求3所述的一種模塊化多電平變換器電容電壓波動抑制方法,其特征在于,所述步驟S2具體包括以下步驟:
S21、在PCHD模型基礎上引入一致性控制律,并設定MMC子模塊波動電容電壓系統注入環流后的期望平衡點;
S22、以狀態變量與期望平衡點之差及其差值微分均為零作為控制目標,結合MMC波動電容電壓狀態方程,得到基于PCHD模型的無源一致性控制律,即可得到波動電容電壓控制量。
5.根據權利要求4所述的一種模塊化多電平變換器電容電壓波動抑制方法,其特征在于,所述步驟S21引入的一致性控制律具體為:
α=1
其中,xe為狀態變量誤差,x*為設定的期望平衡點,和分別為三相注入環流二倍頻d軸和q軸分量參考軌跡,α為誤差系數。
6.根據權利要求5所述的一種模塊化多電平變換器電容電壓波動抑制方法,其特征在于,所述步驟S22具體包括以下步驟:
S221、以狀態變量與期望平衡點之差及其差值微分均為零作為控制目標,設計對應的期望能量函數;
S222、基于設計的期望能量函數,結合MMC波動電容電壓狀態方程,得到MMC子模塊波動電容電壓閉環系統的狀態方程;
S223、根據MMC子模塊波動電容電壓閉環系統的狀態方程,進一步得到基于PCHD模型無源一致性控制律。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海電力大學,未經上海電力大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110967810.4/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H02M 用于交流和交流之間、交流和直流之間、或直流和直流之間的轉換以及用于與電源或類似的供電系統一起使用的設備;直流或交流輸入功率至浪涌輸出功率的轉換;以及它們的控制或調節
H02M1-00 變換裝置的零部件
H02M1-02 .專用于在靜態變換器內的放電管產生柵極控制電壓或引燃極控制電壓的電路
H02M1-06 .非導電氣體放電管或等效的半導體器件的專用電路,例如閘流管、晶閘管的專用電路
H02M1-08 .為靜態變換器中的半導體器件產生控制電壓的專用電路
H02M1-10 .具有能任意地用不同種類的電流向負載供電的變換裝置的設備,例如用交流或直流
H02M1-12 .減少交流輸入或輸出諧波成分的裝置





