[發明專利]顯示設備及其制造方法在審
| 申請號: | 202110964644.2 | 申請日: | 2021-08-19 |
| 公開(公告)號: | CN114628440A | 公開(公告)日: | 2022-06-14 |
| 發明(設計)人: | 梁伸赫;姜東漢;洪淳旭;金有珍;金志訓;尹漢熙 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 郭文峰;韓芳 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 設備 及其 制造 方法 | ||
提供了一種顯示設備及其制造方法。所述顯示設備包括:基底,包括顯示區域和外圍區域;以及墊單元,在外圍區域處,墊單元包括:第一導電層;第二導電層,在第一導電層上,并具有第一開口;第三導電層,在第二導電層上,并具有與第一開口疊置的第二開口,第二開口具有比第一開口的在第二導電層的頂表面處的面積小的面積;有機保護層填充第一開口,并具有與第二開口疊置的第三開口;以及附加金屬層,覆蓋第一導電層的通過第一開口暴露的頂表面、第二開口的內表面、第三開口的內表面以及第三導電層的頂表面的一部分。
本申請要求于2020年12月9日在韓國知識產權局提交的第10-2020-0171448號韓國專利申請的優先權和權益,所述韓國專利申請的全部內容通過引用包含于此。
技術領域
一個或更多個實施例的方面涉及一種顯示設備以及一種制造該顯示設備的方法,更具體地,涉及一種包括具有減少的缺陷的墊(pad,或被稱為“焊盤”)單元的顯示設備以及一種制造該顯示設備的方法。
背景技術
在各種顯示設備之中,有機發光顯示設備由于具有寬視角、高對比度和快響應時間而被視為下一代顯示設備。
通常,有機發光顯示設備包括形成在基底上的薄膜晶體管和有機發光二極管(OLED),并且OLED自身發光(例如,是自發光的)。有機發光顯示設備可以用作用于小型產品(例如,以移動電話為例)的顯示器,或者可以用作用于大型產品(例如,以電視機為例)的顯示器。
在該背景技術部分中公開的以上信息是為了增強對本公開的背景的理解,因此,它可以包含不構成現有技術的信息。
發明內容
在對比顯示設備和制造對比顯示設備的方法中,在制造工藝中形成墊單元之后的后續工藝期間,包括在墊單元中的布線的一部分可能被損壞(例如,可能斷開),從而導致缺陷。
本公開的一個或更多個實施例涉及一種包括具有減少的缺陷的墊單元(例如,墊端子)的顯示設備以及一種制造顯示設備的方法。然而,本公開不限于以上方面和特征。
另外的方面和特征將在下面的描述中被部分地闡述,并且部分地通過描述將是明顯的,或者可以通過實踐本公開的一個或更多個給出的實施例而獲知。
根據本公開的一個或更多個實施例,一種顯示設備包括:基底,包括顯示區域和外圍區域;以及墊單元,在外圍區域處,墊單元包括:第一導電層;第二導電層,在第一導電層上,并具有第一開口;第三導電層,在第二導電層上,并具有與第一開口疊置的第二開口,第二開口具有比第一開口的在第二導電層的頂表面處的面積小的面積;有機保護層,填充第一開口,并具有與第二開口疊置的第三開口;以及附加金屬層,覆蓋第一導電層的通過第一開口暴露的頂表面、第二開口的內表面、第三開口的內表面以及第三導電層的頂表面的一部分。
在實施例中,第二開口的內表面可以比第一開口的內表面朝向第二開口的中心突出得遠。
在實施例中,墊單元還可以包括在有機保護層與第二導電層之間的延遲膜。
在實施例中,延遲膜可以包括硫和第二導電層中包括的金屬的組合。
在實施例中,第二導電層可以包括銅,并且延遲膜可以包括硫化銅。
在實施例中,第一導電層、第二導電層和第三導電層可以在一個方向上延伸。
在實施例中,第一導電層的外邊緣、第二導電層的外邊緣和第三導電層的外邊緣可以彼此對準。
在實施例中,顯示設備還可以包括在顯示區域處的多個薄膜晶體管,所述多個薄膜晶體管中的每個包括源電極和漏電極。源電極和漏電極中的每個可以包括包含與第一導電層的材料相同的材料的第一層、包含與第二導電層的材料相同的材料的第二層以及包含與第三導電層的材料相同的材料的第三層。
在實施例中,第一導電層可以包括鈦,第二導電層可以包括銅,并且第三導電層可以包括氧化銦錫(ITO)。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





